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公開番号2025118952
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-08-13
出願番号2025083856,2024129751
出願日2025-05-20,2014-11-21
発明の名称半導体装置
出願人株式会社半導体エネルギー研究所
代理人
主分類G06F 3/041 20060101AFI20250805BHJP(計算;計数)
要約【課題】可撓性を有するタッチパネルを提供すること。または、タッチパネルの薄型化と
、高い検出感度を両立すること。
【解決手段】可撓性を有する第1の基板と、第1の基板上に第1の絶縁層と、第1の絶縁
層上に、トランジスタおよび発光素子と、発光素子上にカラーフィルタと、カラーフィル
タ上に一対のセンサ電極と、センサ電極上に、第2の絶縁層と、第2の絶縁層上に、可撓
性を有する第2の基板と、第2の基板上に、保護層と、を備えるタッチパネルとする。ま
た発光素子とカラーフィルタとの間に第1の接着層を有し、第1の基板および第2の基板
の厚さが1μm以上200μm以下であり、第1の接着層の厚さが、50nm以上10μ
m以下の領域を有する。
【選択図】図2
特許請求の範囲【請求項１】
第１の基板と、
前記第１の基板の上方に位置する領域を有する第１の絶縁層と、
前記第１の絶縁層の上方に位置する領域を有する接着層と、
前記接着層の上方に位置する領域を有する第２の基板と、を有し、
前記第１の絶縁層は、開口部を有し、
前記接着層は、複数の導電性粒子を有し、
前記複数の導電性粒子のうち１つは、前記第１の絶縁層と重なる領域を有し、
前記複数の導電性粒子のうちの他の１つは、前記開口部の内側に位置する半導体装置。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明の一態様は、表示装置に関する。特に、可撓性を有し、湾曲させることのできる
表示装置に関する。また、本発明の一態様は、タッチパネルに関する。特に、可撓性を有
し、湾曲させることのできるタッチパネルに関する。
続きを表示（約 1,400 文字）【０００２】
なお本発明の一態様は、上記の技術分野に限定されない。本明細書等で開示する発明の
一態様の技術分野は、物、方法、または、製造方法に関するものである。または、本発明
の一態様は、プロセス、マシン、マニュファクチャ、または、組成物（コンポジション・
オブ・マター）に関するものである。そのため、より具体的に本明細書で開示する本発明
の一態様の技術分野としては、半導体装置、表示装置、発光装置、蓄電装置、記憶装置、
それらの駆動方法、または、それらの製造方法、を一例として挙げることができる。
【背景技術】
【０００３】
近年、表示装置は様々な用途への応用が期待されており、多様化が求められている。例
えば、携帯情報端末としてタッチパネルを備えるスマートフォンやタブレット端末の薄型
化や高性能化、多機能化が進んでいる。
【０００４】
また、特許文献１には、フィルム基板上に、スイッチング素子であるトランジスタや有
機ＥＬ素子を備えたフレキシブルなアクティブマトリクス方式の発光装置が開示されてい
る。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
特開２００３－１７４１５３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
可撓性を有するほどに薄型化された表示装置に、ユーザインターフェースとして画面に
指等で触れることで入力する機能を付加したタッチパネルが望まれている。
【０００７】
本発明の一態様は、可撓性を有するタッチパネルを提供することを課題の一とする。ま
たは、タッチパネルの薄型化と、高い検出感度を両立することを課題の一とする。
【０００８】
または、新規な表示装置を提供することを課題の一とする。または、新規なタッチセン
サを提供することを課題の一とする。または、新規なタッチパネルを提供することを課題
の一とする。
【０００９】
なお、これらの課題の記載は、他の課題の存在を妨げるものではない。本発明の一態様
は、これらの課題の全てを解決する必要はないものとする。また、上記以外の課題は、明
細書等の記載から自ずと明らかになるものであり、明細書等の記載から上記以外の課題を
抽出することが可能である。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の一態様は、可撓性を有する第１の基板と、第１の基板上に第１の絶縁層と、第
１の絶縁層上に、トランジスタおよび発光素子と、発光素子上にカラーフィルタと、カラ
ーフィルタ上に一対のセンサ電極と、センサ電極上に、第２の絶縁層と、第２の絶縁層上
に、可撓性を有する第２の基板と、第２の基板上に、保護層と、を備えるタッチパネルで
ある。また発光素子とカラーフィルタとの間に第１の接着層を有し、第１の基板および第
２の基板の厚さが１μｍ以上２００μｍ以下であり、第１の接着層の厚さが、５０ｎｍ以
上１０μｍ以下の領域を有する。
（【００１１】以降は省略されています）

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