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公開番号2025122138
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-08-20
出願番号2025087066,2023182390
出願日2025-05-26,2019-03-14
発明の名称大型フォトマスク
出願人大日本印刷株式会社
代理人個人,個人
主分類G03F 1/50 20120101AFI20250813BHJP(写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ)
要約【課題】被転写体に転写されるパターンにムラや寸法のバラツキが生じることを抑制することができる大型フォトマスクを提供する。
【解決手段】透光性基板と、上記透光性基板の表面に設けられた遮光パターンとからなる大型フォトマスクであって、上記遮光パターンは、第1低反射膜、遮光性膜、および第2低反射膜が、上記透光性基板側からこの順番で積層された積層構造を有し、上記遮光パターンの上記透光性基板側の面は、313nm～436nmの波長領域の光に対する反射率が8%以下であることを特徴とする大型フォトマスクを提供する。
【選択図】図1
特許請求の範囲【請求項１】
透光性基板と、前記透光性基板の表面に設けられた遮光パターンとからなる大型フォトマスクであって、
前記遮光パターンは、第１低反射膜、遮光性膜、および第２低反射膜が、前記透光性基板側からこの順番で積層された積層構造を有し、
前記遮光パターンの前記透光性基板側の面は、３１３ｎｍ～４３６ｎｍの波長領域の光に対する反射率が８％以下であることを特徴とする大型フォトマスク。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本開示は、表示装置に用いられる表示装置用機能素子等の製造に使用される大型フォトマスクに関する。
続きを表示（約 1,600 文字）【背景技術】
【０００２】
液晶表示装置、有機ＥＬ表示装置等のフラットパネルディスプレイの分野においては、近年、より高精細な表示が望まれており、高画素化が進んでいる。また、これに伴い、例えばＴＦＴ基板、カラーフィルタ等の表示装置用機能素子については、微細加工を施すことが要求されている。
【０００３】
表示装置用機能素子の製造時における微細加工の方法として、従来から、フォトマスクを用いたフォトリソグラフィ法が好適に用いられている。また、フォトマスクとしては、透光性基板の表面に設けられた遮光パターンを有し、光透過領域および遮光領域を備えるフォトマスクが一般的に用いられている。
【０００４】
このようなフォトマスクを露光装置に用いて被転写体に対してパターンを転写する際に、露光光に対するフォトマスクの反射率が高い場合には、フォトマスクを露光光が反射することを原因として生じる迷光の影響により被転写体へのパターンの転写精度が低下してしまう。このような問題を抑制できるように、露光光に対するフォトマスクの反射率を低減する技術が採用されている。このような技術として、例えば、特許文献１等には、遮光パターンの表面側に反射防止膜を設けたフォトマスクの構成が記載されている。
【０００５】
一方、フラットパネルディスプレイの製造技術は、解像度の高精細化に従って年々進化している。これに伴って、パネルメーカーも、より微細なパターンを高精度で形成する技術を開発しているが、近年、被転写体にパターンを転写する露光技術の分野においては、より微細なパターンを高精度で形成するために、高感度のレジストを用いる傾向がある。
図１１は、露光量に対する転写線幅シフトの変動を既存の低感度のレジストと近年において用いられている高感度のレジストとで比較したグラフである。図１１に示されるように、高感度のレジストは、低感度のレジストと比較して、硬化に必要な露光量が少なく、露光量が少ない段階における転写線幅シフトの変動が大きい。
【０００６】
このため、高感度のレジストを用いる傾向にともない、従来であれば影響を無視できたような微弱な迷光が露光時にレジスト層に影響を及ぼすことにより、被転写体に転写されるパターンにムラや寸法のバラツキが生じる問題が起こっている。
【０００７】
さらに、近年においては、大面積のパターンを高精度で形成する場合に、ｇ線、ｈ線、またはｉ線を含む露光光では、レジスト層に照射される露光光のエネルギーが不足するため、ｇ線、ｈ線、ｉ線等の複数の波長の光を含む露光光を使用することが求められており、特に、これらの光の中でもエネルギーが大きいｊ線を含む露光光を使用することが求められている。一方、これらの露光光を用いる場合には、感光時のレジスト層の変化が大きくなるために、上述した微弱な迷光のレジスト層への影響がさらに大きくなるので、上述した問題が顕著となる。
【０００８】
これに対して、上記特許文献１等に記載されたような構成では、露光時において、フォトマスクを露光光が反射することを原因として生じる迷光の強度を十分に低減することができなかったために、被転写体に転写されるパターンにムラや寸法のバラツキが生じることを抑制することができなかった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
特許第４４５１３９１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
本開示は、上記問題点に鑑みてなされたものであり、被転写体に転写されるパターンにムラや寸法のバラツキが生じることを抑制することができる大型フォトマスクを提供することを主目的とする。
【課題を解決するための手段】
（【００１１】以降は省略されています）

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