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公開番号2025126750
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-08-29
出願番号2024023151
出願日2024-02-19
発明の名称ダイシングテープ及びウェハ加工方法
出願人デンカ株式会社
代理人個人,個人,個人,個人
主分類H01L 21/301 20060101AFI20250822BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】低温エキスパンド時に良好なウェハの分割性を有するダイシングテープ、及び該ダイシングテープを用いたウェハ加工方法を提供することを目的とする。
【解決手段】表面と裏面とを有する基材層と、該基材層の前記表面に積層した第1接着層と、を有し、0℃における、前記基材層の引張貯蔵弾性率が、1.0×10⁸～9.9×10⁸Paであり、0℃における、SUS304に対する前記基材層の前記裏面側の露出面の動摩擦係数が、0.1～1.5である、ダイシングテープ。
【選択図】図1
特許請求の範囲【請求項１】
表面と裏面とを有する基材層と、
該基材層の前記表面に積層した第１接着層と、を有し、
０℃における、前記基材層の引張貯蔵弾性率が、１．０×１０
8
～９．９×１０
8
Ｐａであり、
０℃における、ＳＵＳ３０４に対する前記基材層の前記裏面側の露出面の動摩擦係数が、０．１～１．５である、
ダイシングテープ。
続きを表示（約 980 文字）【請求項２】
０℃における、ＳＵＳ３０４に対する前記基材層の前記露出面の静摩擦係数が、０．１～１．５である、
請求項１に記載のダイシングテープ。
【請求項３】
前記基材層が、帯電防止剤を有するか、又は前記裏面側に帯電防止層を有する、
請求項１に記載のダイシングテープ。
【請求項４】
前記第１接着層上に、第２接着層を有する、
請求項１に記載のダイシングテープ。
【請求項５】
レーザーダイシングにより内部に改質部が形成されたウェハの表面に、請求項１～５のいずれか一項に記載のダイシングテープの第１接着層又は第２接着層が貼り合わされた積層体を作製する積層体作製工程と、
０℃以下の条件下で、前記ダイシングテープの露出面側からエキスパンドステージを押し上げることでエキスパンドして、前記ウェハをダイチップにする低温エキスパンド工程と、
前記ダイシングテープから前記ダイチップをピックアップするピックアップ工程と、を有する、
ウェハ加工方法。
【請求項６】
前記低温エキスパンド工程後に、前記第１接着層に紫外線を照射する照射工程をさらに有する、
請求項５に記載のウェハ加工方法。
【請求項７】
前記ダイシングテープが前記第２接着層を有するとき、
前記ピックアップ工程において、
前記紫外線照射後の前記第１接着層から前記第２接着層を剥離して、前記ダイシングテープから、前記第２接着層が付着した状態の前記ダイチップをピックアップする、
請求項６に記載のウェハ加工方法。
【請求項８】
前記ウェハの前記表面が、非素子形成面である、
請求項５に記載のウェハ加工方法。
【請求項９】
前記ウェハの前記表面が、素子形成面である、
請求項５に記載のウェハ加工方法。
【請求項１０】
前記低温エキスパンド工程後、５℃以上の条件下で、前記ダイシングテープの前記露出面側からエキスパンドステージを押し上げることでエキスパンドする常温エキスパンド工程をさらに有する、
請求項５に記載のウェハ加工方法。
（【請求項１１】以降は省略されています）
発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、ダイシングテープ及びウェハ加工方法に関する。
続きを表示（約 2,600 文字）【背景技術】
【０００２】
半導体ウェハ（以下、「ウェハ」ともいう。）等を個片化する際には、ダイシングテープをウェハに貼り付けて、ウェハをダイシングし、ダイシングテープをエキスパンドする。そして、エキスパンド後には、ウェハを個片化して得られたチップをダイシングテープからピックアップ（剥離）する。
【０００３】
このようなダイシングテープには、ダイアタッチフィルム（ＤＡＦ）が積層されたタイプがある。例えば、特許文献１では、ダイシングテープとなる基材とＤＡＦとなる粘着剤層の積層構造を有するダイシングテープ一体型接着性シートが開示されている。当該シートでは、粘着剤層（ＤＡＦ）の分割性の点から、粘着剤層（ＤＡＦ）の破断強度と破断伸度が規定されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
特開２０１９－００９３２４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
特許文献１は、ブレードダイシングによりウェハ表面に分割溝を形成し、裏面から分割溝に到達するまでバックグラインドすることで、ウェハを個片化して得られたチップを形成している。しかしながら、ウェハをチップにする方法はこれに限られない。例えば、ステルスダイシングのように改質部を形成し、エキスパンドの面方向に広がる力によって改質部で分割をしたり、レーザーアブレーションダイシングのように分割溝を形成し、エキスパンドの面方向に広がる力によって分割溝で分割をしたりする方法が挙げられる。またこの他に、ブレードダイシングによりウェハ表面に分割溝を形成し、エキスパンドの面方向に広がる力によって分割溝で分割をしたりする方法も考えられる。
【０００６】
このように、エキスパンドの面方向に広がる力によってウェハを個片化する場合においては、特許文献１のような粘着剤層（ＤＡＦ）の分割性よりは、むしろ、ウェハをチップにするための分割性が重要となる。しかしながら、特許文献１に記載のダイシングテープ一体型接着性シートでは、エキスパンドの面方向に広がる力によってウェハを個片化することについては一切記載がない。
【０００７】
本発明は上記問題点に鑑みてなされたものであり、低温エキスパンド時に良好なウェハの分割性を有するダイシングテープ、及び該ダイシングテープを用いたウェハ加工方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明者らは、上記課題を解決するために鋭意検討した。その結果、ダイシングテープの基材層が所定の引張貯蔵弾性率を有し、基材層の裏面側の露出面が所定の動摩擦係数を有することにより、上記課題を解決し得ることを見出し、本発明を完成するに至った。
【０００９】
すなわち、本発明は、以下のとおりである。
［１］
表面と裏面とを有する基材層と、
該基材層の前記表面に積層した第１接着層と、を有し、
０℃における、前記基材層の引張貯蔵弾性率が、１．０×１０
8
～９．９×１０
8
Ｐａであり、
０℃における、ＳＵＳ３０４に対する前記基材層の前記裏面側の露出面の動摩擦係数が、０．１～１．５である、
ダイシングテープ。
［２］
０℃における、ＳＵＳ３０４に対する前記基材層の前記露出面の静摩擦係数が、０．１～１．５である、
［１］に記載のダイシングテープ。
［３］
前記基材層が、帯電防止材を有するか、又は前記裏面側に帯電防止層を有する、
［１］又は［２］に記載のダイシングテープ。
［４］
前記第１接着層上に、第２接着層を有する、
［１］～［３］のいずれかに記載のダイシングテープ。
［５］
レーザーダイシングにより内部に改質部が形成されたウェハの表面に、［１］～［４］のいずれかに記載のダイシングテープの第１接着層又は第２接着層が貼り合わされた積層体を作製する積層体作製工程と、
０℃以下の条件下で、前記ダイシングテープの露出面側からエキスパンドステージを押し上げることでエキスパンドして、前記ウェハをダイチップにする低温エキスパンド工程と、
前記ダイシングテープから前記ダイチップをピックアップするピックアップ工程と、を有する、
ウェハ加工方法。
［６］
前記低温エキスパンド工程後に、前記第１接着層に紫外線を照射する照射工程をさらに有する、
［５］に記載のウェハ加工方法。
［７］
前記ダイシングテープが前記第２接着層を有するとき、
前記ピックアップ工程において、
前記紫外線照射後の前記第１接着層から前記第２接着層を剥離して、前記ダイシングテープから、前記第２接着層が付着した状態の前記ダイチップをピックアップする、
［６］に記載のウェハ加工方法。
［８］
前記ウェハの前記表面が、非素子形成面である、
［５］～［７］のいずれかに記載のウェハ加工方法。
［９］
前記ウェハの前記表面が、素子形成面である、
［５］～［７］のいずれかに記載のウェハ加工方法。
［１０］
前記低温エキスパンド工程後、５℃以上の条件下で、前記ダイシングテープの前記露出面側からエキスパンドステージを押し上げることでエキスパンドする常温エキスパンド工程をさらに有する、
［５］～［９］のいずれかに記載のウェハ加工方法。
［１１］
前記低温エキスパンド工程後、前記ダイシングテープの前記ウェハと接触していない部分を加熱することにより、当該加熱した部分における基材層を収縮させるヒートシュリンク工程と、をさらに有する、
［５］～［１０］のいずれかに記載のウェハ加工方法。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、低温エキスパンド時に良好なウェハの分割性を有するダイシングテープ及び該ダイシングテープを用いたウェハ加工方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
（【００１１】以降は省略されています）

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