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公開番号2025127239
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-09-01
出願番号2024023857
出願日2024-02-20
発明の名称半導体パッケージ基板の絶縁層形成用の樹脂シート
出願人味の素株式会社
代理人弁理士法人酒井国際特許事務所
主分類C08L 101/00 20060101AFI20250825BHJP(有機高分子化合物;その製造または化学的加工;それに基づく組成物)
要約【課題】誘電正接が低く、スミア除去性に優れ、且つ導体層との間で優れた密着強度を有する硬化物を形成することができる、半導体パッケージ基板の絶縁層形成用の樹脂シートの提供。
【解決手段】支持体と、該支持体上に設けられた樹脂組成物層とを備える樹脂シートであって、該樹脂組成物層が、(A)不飽和結合を含有するカルボジイミド樹脂、(B)熱硬化性樹脂、及び(C)ポリスチレン骨格を有する成分を含み、(C)成分が、(C1)ポリスチレン骨格を有し、且つ重量平均分子量が100,000以下である樹脂、及び(C2)ポリスチレン骨格を有し、且つ平均粒径が5μm未満である粒子の少なくとも一方を含む、半導体パッケージ基板の絶縁層形成用の樹脂シート。
【選択図】なし
特許請求の範囲【請求項１】
支持体と、該支持体上に設けられた樹脂組成物層とを備える樹脂シートであって、
該樹脂組成物層が、（Ａ）不飽和結合を含有するカルボジイミド樹脂、（Ｂ）熱硬化性樹脂、及び（Ｃ）ポリスチレン骨格を有する成分を含み、
（Ｃ）成分が、（Ｃ１）ポリスチレン骨格を有し、且つ重量平均分子量が１００，０００以下である樹脂、及び（Ｃ２）ポリスチレン骨格を有し、且つ平均粒径が５μｍ未満である粒子の少なくとも一方を含む、半導体パッケージ基板の絶縁層形成用の樹脂シート。
続きを表示（約 1,200 文字）【請求項２】
樹脂組成物層が、さらに、（Ｄ）無機充填材を含む、請求項１に記載の半導体パッケージ基板の絶縁層形成用の樹脂シート。
【請求項３】
（Ａ）成分の含有量が、樹脂組成物層中の不揮発成分を１００質量％とした場合、０．１質量％以上５．０質量％以下である、請求項１に記載の半導体パッケージ基板の絶縁層形成用の樹脂シート。
【請求項４】
（Ｃ１）成分及び（Ｃ２）成分の合計含有量が、樹脂組成物層中の不揮発成分を１００質量％とした場合、０．１質量％以上１０．０質量％以下である、請求項１に記載の半導体パッケージ基板の絶縁層形成用の樹脂シート。
【請求項５】
樹脂組成物層に含まれる（Ａ）成分に対する（Ｃ１）成分及び（Ｃ２）成分の質量比（（Ｃ１）成分及び（Ｃ２）成分の合計含有量／（Ａ）成分の含有量）が、０．１以上１０．０以下である、請求項１に記載の半導体パッケージ基板の絶縁層形成用の樹脂シート。
【請求項６】
（Ａ）成分が、下記式（１）で表されるカルボジイミド系樹脂を含む、請求項１に記載の半導体パッケージ基板の絶縁層形成用の樹脂シート。
TIFF
2025127239000015.tif
21
168
（式（１）中、
Ｒは、それぞれ独立して、水素原子、又はメチル基を示し；
Ｘ
１
は、それぞれ独立して、カルボニル基、メチレン基、フェニレン基、又はフェニレン－メチレン基を示し；
Ｘ
２
は、それぞれ独立して、炭素原子数２～４の２価の飽和炭化水素基を示し；
Ｙは、それぞれ独立して、置換基を有していてもよい炭素原子数２～３０の２価の飽和炭化水素基、又は置換基を有していてもよい炭素原子数２～３０の２価の不飽和炭化水素基を示し；
Ｚは、それぞれ独立して、置換基を有していてもよい炭素原子数２～３００の２価の飽和炭化水素基、又は置換基を有していてもよい炭素原子数２～３００の２価の不飽和炭化水素基を示し；
ａは、それぞれ独立して、０、又は１以上の整数を示し；
ｂは、それぞれ独立して、１以上の整数を示し；
ｃは、それぞれ独立して、１以上の整数を示し；
ｄは、０、又は１以上の整数を示す。）
【請求項７】
（Ｂ）成分が、エポキシ樹脂、活性エステル系樹脂、フェノール系樹脂、ナフトール系樹脂、シアネートエステル系樹脂、及びラジカル重合性樹脂から選ばれる１以上の熱硬化性樹脂を含む、請求項１に記載の半導体パッケージ基板の絶縁層形成用の樹脂シート。
【請求項８】
請求項１～７のいずれか１項に記載の樹脂シートの樹脂組成物層の硬化物を含む、半導体パッケージ基板。
【請求項９】
請求項８に記載の半導体パッケージ基板を含む、半導体装置。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体パッケージ基板の絶縁層形成用の樹脂シートに関する。さらには、本発明は、該樹脂シートを用いて製造される半導体パッケージ基板、及び該半導体パッケージ基板を備える半導体装置に関する。
続きを表示（約 3,200 文字）【背景技術】
【０００２】
半導体パッケージ基板の製造技術として、絶縁層と導体層を交互に積み重ねるビルドアップ方式による製造方法が知られている。ビルドアップ方式による製造方法において、絶縁層は、一般に、樹脂組成物の硬化物によって形成される。例えば、特許文献１及び２には、ポリスチレン骨格を有する成分を含む樹脂組成物を硬化させて絶縁層を形成する技術が開示されている。また、特許文献３には、カルボジイミド化合物を含む樹脂組成物を硬化させて絶縁層を形成する技術が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
特開２０２２－１６２８号公報
特開２００２－１４６０１９号公報
国際公開第２０２３／０２７０１３号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
近年、半導体パッケージ基板には、高周波環境で作動させる際に低伝送損失を示すことが求められており、半導体パッケージ基板に用いられる絶縁層は、低い誘電正接を呈することが求められる。誘電正接の低い硬化物をもたらす樹脂組成物として、上記特許文献１及び２に開示されるように、ポリスチレン骨格を有する成分を含む樹脂組成物が期待されている。しかしながら、ポリスチレン骨格を有する成分を含む樹脂組成物を用いて半導体パッケージ基板の絶縁層の形成を試みたところ、デスミア工程においてスミア除去性に劣ったり、乾式メッキにより導体層を形成する場合に該導体層との密着強度に劣ったりする場合があることを本発明者らは見出した。
【０００５】
したがって、本発明の課題は、誘電正接が低く、スミア除去性に優れ、且つ導体層との間で優れた密着強度を有する硬化物を形成することができる、半導体パッケージ基板の絶縁層形成用の樹脂シート；該樹脂シートの樹脂組成物層の硬化物を含む半導体パッケージ基板、及び該半導体パッケージ基板を含む半導体装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明者らが鋭意検討した結果、支持体と、該支持体上に設けられた樹脂組成物層とを備える樹脂シートであって、該樹脂組成物層が、（Ａ）不飽和結合を含有するカルボジイミド樹脂、（Ｂ）熱硬化性樹脂、及び（Ｃ）ポリスチレン骨格を有する成分を含み、（Ｃ）成分が、（Ｃ１）ポリスチレン骨格を有し、且つ重量平均分子量が１００，０００以下である樹脂、及び（Ｃ２）ポリスチレン骨格を有し、且つ平均粒径が５μｍ未満である粒子の少なくとも一方を含む、半導体パッケージ基板の絶縁層形成用の樹脂シートを用いることで、上記した課題を解決できることを見出し、本発明を完成させた。
すなわち、本発明は、下記のものを含む。
【０００７】
＜１＞
支持体と、該支持体上に設けられた樹脂組成物層とを備える樹脂シートであって、
該樹脂組成物層が、（Ａ）不飽和結合を含有するカルボジイミド樹脂、（Ｂ）熱硬化性樹脂、及び（Ｃ）ポリスチレン骨格を有する成分を含み、
（Ｃ）成分が、（Ｃ１）ポリスチレン骨格を有し、且つ重量平均分子量が１００，０００以下である樹脂、及び（Ｃ２）ポリスチレン骨格を有し、且つ平均粒径が５μｍ未満である粒子の少なくとも一方を含む、半導体パッケージ基板の絶縁層形成用の樹脂シート。
＜２＞
樹脂組成物層が、さらに、（Ｄ）無機充填材を含む、＜１＞に記載の半導体パッケージ基板の絶縁層形成用の樹脂シート。
＜３＞
（Ａ）成分の含有量が、樹脂組成物層中の不揮発成分を１００質量％とした場合、０．１質量％以上５．０質量％以下である、＜１＞又は＜２＞に記載の半導体パッケージ基板の絶縁層形成用の樹脂シート。
＜４＞
（Ｃ１）成分及び（Ｃ２）成分の合計含有量が、樹脂組成物層中の不揮発成分を１００質量％とした場合、０．１質量％以上１０．０質量％以下である、＜１＞～＜３＞のいずれか１項に記載の半導体パッケージ基板の絶縁層形成用の樹脂シート。
＜５＞
樹脂組成物層に含まれる（Ａ）成分に対する（Ｃ１）成分及び（Ｃ２）成分の質量比（（Ｃ１）成分及び（Ｃ２）成分の合計含有量／（Ａ）成分の含有量）が、０．１以上１０．０以下である、＜１＞～＜４＞のいずれか１項に記載の半導体パッケージ基板の絶縁層形成用の樹脂シート。
＜６＞
（Ａ）成分が、下記式（１）で表されるカルボジイミド系樹脂を含む、＜１＞～＜５＞のいずれか１項に記載の半導体パッケージ基板の絶縁層形成用の樹脂シート。
TIFF
2025127239000001.tif
20
169
（式（１）中、
Ｒは、それぞれ独立して、水素原子、又はメチル基を示し；
Ｘ
１
は、それぞれ独立して、カルボニル基、メチレン基、フェニレン基、又はフェニレン－メチレン基を示し；
Ｘ
２
は、それぞれ独立して、炭素原子数２～４の２価の飽和炭化水素基を示し；
Ｙは、それぞれ独立して、置換基を有していてもよい炭素原子数２～３０の２価の飽和炭化水素基、又は置換基を有していてもよい炭素原子数２～３０の２価の不飽和炭化水素基を示し；
Ｚは、それぞれ独立して、置換基を有していてもよい炭素原子数２～３００の２価の飽和炭化水素基、又は置換基を有していてもよい炭素原子数２～３００の２価の不飽和炭化水素基を示し；
ａは、それぞれ独立して、０、又は１以上の整数を示し；
ｂは、それぞれ独立して、１以上の整数を示し；
ｃは、それぞれ独立して、１以上の整数を示し；
ｄは、０、又は１以上の整数を示す。）
＜７＞
（Ｂ）成分が、エポキシ樹脂、活性エステル系樹脂、フェノール系樹脂、ナフトール系樹脂、シアネートエステル系樹脂、及びラジカル重合性樹脂から選ばれる１以上の熱硬化性樹脂を含む、＜１＞～＜６＞のいずれか１項に記載の半導体パッケージ基板の絶縁層形成用の樹脂シート。
＜８＞
＜１＞～＜７＞のいずれか１項に記載の樹脂シートの樹脂組成物層の硬化物を含む、半導体パッケージ基板。
＜９＞
＜８＞に記載の半導体パッケージ基板を含む、半導体装置。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、誘電正接が低く、スミア除去性に優れ、且つ導体層との間で優れた密着強度を有する硬化物を形成することができる、半導体パッケージ基板の絶縁層形成用の樹脂シート；該樹脂シートの樹脂組成物層の硬化物を含む半導体パッケージ基板、及び該半導体パッケージ基板を含む半導体装置を提供することができる。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下、本発明について、実施形態及び例示物を示して詳細に説明する。ただし、本発明は下記の実施形態及び例示物に限定されるものではなく、本発明の特許請求の範囲及びその均等の範囲を逸脱しない範囲において任意に変更して実施し得る。
【００１０】
［用語の説明］
本明細書において、化合物又は基についていう「置換基を有していてもよい」という用語は、該化合物又は基の水素原子が置換基で置換されていない場合、及び、該化合物又は基の水素原子の一部又は全部が置換基で置換されている場合の双方を意味する。
（【００１１】以降は省略されています）

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