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公開番号2025127238
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-09-01
出願番号2024023856
出願日2024-02-20
発明の名称半導体パッケージ基板の絶縁層形成用の樹脂シート
出願人味の素株式会社
代理人弁理士法人酒井国際特許事務所
主分類C08L 101/00 20060101AFI20250825BHJP(有機高分子化合物;その製造または化学的加工;それに基づく組成物)
要約【課題】ガラス転移温度が高く、ハローイング現象の発生が抑制され、クラック耐性が良好で、難燃性に優れた硬化物を得ることができる、半導体パッケージ基板の絶縁層形成用の樹脂シートの提供。
【解決手段】支持体と、該支持体上に設けられた樹脂組成物層と、を有し、樹脂組成物層が、(A)カルボジイミド構造を有するラジカル重合性基含有化合物、(B)架橋性官能基を有する難燃剤、及び(C)熱硬化性樹脂、を含む、半導体パッケージ基板の絶縁層形成用の樹脂シート。
【選択図】なし
特許請求の範囲【請求項１】
支持体と、該支持体上に設けられた樹脂組成物層と、を有し、
樹脂組成物層が、（Ａ）カルボジイミド構造を有するラジカル重合性基含有化合物、
（Ｂ）架橋性官能基を有する難燃剤、及び
（Ｃ）熱硬化性樹脂、を含む、半導体パッケージ基板の絶縁層形成用の樹脂シート。
続きを表示（約 800 文字）【請求項２】
さらに、（Ｄ）無機充填材を含む、請求項１に記載の半導体パッケージ基板の絶縁層形成用の樹脂シート。
【請求項３】
さらに、（Ｅ）カルボジイミド構造を有さないラジカル重合性基含有化合物を含む、請求項１に記載の半導体パッケージ基板の絶縁層形成用の樹脂シート。
【請求項４】
（Ａ）成分の含有量が、樹脂組成物層の不揮発成分を１００質量％としたとき、０．１質量％以上１５質量％以下である、請求項１に記載の半導体パッケージ基板の絶縁層形成用の樹脂シート。
【請求項５】
（Ｂ）成分の含有量が、樹脂組成物層の不揮発成分を１００質量％としたとき、０．０１質量％以上３質量％以下である、請求項１に記載の半導体パッケージ基板の絶縁層形成用の樹脂シート。
【請求項６】
（Ｃ）成分の含有量が、樹脂組成物層の不揮発成分を１００質量％としたとき、１０質量％以上４０質量％以下である、請求項１に記載の半導体パッケージ基板の絶縁層形成用の樹脂シート。
【請求項７】
（Ｄ）成分の含有量が、樹脂組成物層の不揮発成分を１００質量％としたとき、４５質量％以上８５質量％以下である、請求項２に記載の半導体パッケージ基板の絶縁層形成用の樹脂シート。
【請求項８】
（Ｅ）成分の含有量が、樹脂組成物層の不揮発成分を１００質量％としたとき、０．１質量％以上２０質量％以下である、請求項３に記載の半導体パッケージ基板の絶縁層形成用の樹脂シート。
【請求項９】
請求項１～８のいずれか１項に記載の半導体パッケージ基板の絶縁層形成用の樹脂シートの樹脂組成物層の硬化物からなる絶縁層を備える半導体チップパッケージ基板。
【請求項１０】
請求項９に記載の半導体チップパッケージ基板を含む、半導体装置。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体パッケージ基板の絶縁層形成用の樹脂シートに関する。さらには、当該樹脂組成物を用いて得られる樹脂シート、プリント配線板、及び半導体装置に関する。
続きを表示（約 2,200 文字）【背景技術】
【０００２】
プリント配線板の製造技術として、絶縁層と導体層を交互に積み重ねるビルドアップ方式による製造方法が知られている。ビルドアップ方式による製造方法において、一般に、絶縁層は樹脂組成物を硬化させて形成される。例えば、特許文献１には、カルボジイミド化合物を含む樹脂組成物を硬化させて絶縁層を形成する技術が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
国際公開第２０２３／０２７０１３号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
近年、電子部品の機能向上により、回路基板における配線の高密度化が求められている。配線の更なる高密度化を達成するには、絶縁層の機械強度、難燃性、及びクラック耐性のさらなる向上が求められる。機械強度を向上させるには、絶縁層のガラス転移温度を上昇させること、及びハローイング現象の発生を抑制することが考えられる。
【０００５】
ハローイング現象とは、ビアホールの周囲において絶縁層の樹脂が変色する現象をいう。このようなハローイング現象は、通常、ビアホールの周囲の樹脂が劣化することによって生じる。さらにハローイング現象が生じた絶縁層に粗化処理を施すと、ハローイング現象が生じた絶縁層の部分（以下「ハローイング部」ということがある。）の樹脂が粗化処理時に浸食されて、絶縁層と内層基板との間で層間剥離が生じ、機械強度が劣ってしまうことがある。
【０００６】
本発明の課題は、ガラス転移温度が高く、ハローイング現象の発生が抑制され、クラック耐性が良好である硬化物を得ることができる樹脂シートを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の課題を達成すべく、本発明者らは鋭意検討した結果、（Ａ）カルボジイミド構造を有するラジカル重合性基含有化合物、（Ｂ）架橋性官能基を有する難燃剤、及び（Ｃ）熱硬化性樹脂を用いることにより、ガラス転移温度が高く、ハローイング現象の発生が抑制され、クラック耐性が良好である硬化物を得られることを見出し、本発明を完成させるに至った。
【０００８】
すなわち、本発明は以下の内容を含む。
［１］支持体と、該支持体上に設けられた樹脂組成物層と、を有し、
樹脂組成物層が、（Ａ）カルボジイミド構造を有するラジカル重合性基含有化合物、
（Ｂ）架橋性官能基を有する難燃剤、及び
（Ｃ）熱硬化性樹脂、を含む、半導体パッケージ基板の絶縁層形成用の樹脂シート。
［２］さらに、（Ｄ）無機充填材を含む、［１］に記載の半導体パッケージ基板の絶縁層形成用の樹脂シート。
［３］さらに、（Ｅ）カルボジイミド構造を有さないラジカル重合性基含有化合物を含む、［１］または［２］に記載の半導体パッケージ基板の絶縁層形成用の樹脂シート。
［４］（Ａ）成分の含有量が、樹脂組成物層の不揮発成分を１００質量％としたとき、０．１質量％以上１５質量％以下である、［１］～［３］のいずれかに記載の半導体パッケージ基板の絶縁層形成用の樹脂シート。
［５］（Ｂ）成分の含有量が、樹脂組成物層の不揮発成分を１００質量％としたとき、０．０１質量％以上３質量％以下である、［１］～［４］のいずれかに記載の半導体パッケージ基板の絶縁層形成用の樹脂シート。
［６］（Ｃ）成分の含有量が、樹脂組成物層の不揮発成分を１００質量％としたとき、１０質量％以上４０質量％以下である、［１］～［５］のいずれかに記載の半導体パッケージ基板の絶縁層形成用の樹脂シート。
［７］（Ｄ）成分の含有量が、樹脂組成物層の不揮発成分を１００質量％としたとき、４５質量％以上８５質量％以下である、［２］～［６］のいずれかに記載の半導体パッケージ基板の絶縁層形成用の樹脂シート。
［８］（Ｅ）成分の含有量が、樹脂組成物層の不揮発成分を１００質量％としたとき、０．１質量％以上２０質量％以下である、［３］～［７］のいずれかに記載の半導体パッケージ基板の絶縁層形成用の樹脂シート。
［９］［１］～［８］のいずれかに記載の半導体パッケージ基板の絶縁層形成用の樹脂シートの樹脂組成物層の硬化物からなる絶縁層を備える半導体チップパッケージ基板。
［１０］［９］に記載の半導体チップパッケージ基板を含む、半導体装置。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、ガラス転移温度が高く、ハローイング現象の発生が抑制され、クラック耐性が良好である硬化物を得ることができる樹脂シートを得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
図１は、樹脂組成物層を硬化させて得た絶縁層を、内層基板と共に模式的に示す断面図である。
図２は、樹脂組成物層を硬化させて得た絶縁層の、導体層とは反対側の面を模式的に示す平面図である。
図３は、樹脂組成物層を硬化させて得た、粗化処理後の絶縁層を、内層基板と共に模式的に示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
（【００１１】以降は省略されています）

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