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公開番号2025139146
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-09-26
出願番号2024037932
出願日2024-03-12
発明の名称容量素子、電子部品および容量素子の製造方法
出願人TDK株式会社
代理人前田・鈴木国際特許弁理士法人
主分類H01G 4/33 20060101AFI20250918BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】比誘電率が高い誘電体を有する容量素子等を提供する。
【解決手段】原子数比でSi_6-zAl_zO_zN_8-zで表される組成を有するβ-サイアロンを含む誘電体を有し、誘電体の比誘電率が12以上である容量素子である。
【選択図】図1
特許請求の範囲【請求項１】
原子数比でＳｉ
6-z
Ａｌ
z
Ｏ
z
Ｎ
8-z
で表される組成を有するβ－サイアロンを含む誘電体を有し、
前記誘電体の比誘電率が１２以上である容量素子。
続きを表示（約 200 文字）【請求項２】
０．３≦ｚ≦４．２を満たす請求項１に記載の容量素子。
【請求項３】
２．０≦ｚ≦４．２を満たす請求項１に記載の容量素子。
【請求項４】
請求項１～３のいずれかに記載の容量素子を含む電子部品。
【請求項５】
基板温度４００℃以上８００℃以下で前記誘電体を成膜する工程を有する請求項１～３のいずれかに記載の容量素子の製造方法。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、容量素子、電子部品および容量素子の製造方法に関する。
続きを表示（約 830 文字）【背景技術】
【０００２】
デジタル機器の高性能化に伴い、容量素子には更なる高容量化が求められている。そして、誘電体を薄層化することにより高容量化を実現できる。
【０００３】
特許文献１にはキャパシタに関する発明が記載されている。特許文献１に記載されたキャパシタは、一般的にトレンチキャパシタと呼ばれる構造を有している。特許文献１の実施例では、不純物がドープされたＳｉＯ
2
で誘電体層が構成されている。ドープされた不純物が拡散していない領域の比誘電率がおよそ３．９であり、ドープされた不純物が拡散している領域の比誘電率がおよび３．９～７である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
特許第７０３６２１０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明は、このような実状に鑑みてなされ、比誘電率が高い誘電体を有する容量素子等を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の容量素子は、原子数比でＳｉ
6-z
Ａｌ
z
Ｏ
z
Ｎ
8-z
で表される組成を有するβ－サイアロンを含む誘電体を有し、
前記誘電体の比誘電率が１２以上である。
【０００７】
本発明の容量素子は、０．３≦ｚ≦４．２を満たしてもよい。
【０００８】
本発明の容量素子は、２．０≦ｚ≦４．２を満たしてもよい。
【０００９】
本発明の電子部品は、上記の容量素子を含む。
【００１０】
本発明の容量素子の製造方法は、基板温度４００℃以上８００℃以下で前記誘電体を成膜する工程を有する。
【図面の簡単な説明】
（【００１１】以降は省略されています）

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