特許ウォッチ

公開番号2025145955
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-10-03
出願番号2024046484
出願日2024-03-22
発明の名称パターニングされた酸化物膜の形成方法
出願人国立大学法人金沢大学
代理人個人,個人
主分類H01L 21/306 20060101AFI20250926BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】犠牲層の除去の精度が高く、微細な形状やパターンからなる酸化物膜の形成方法の提供を目的とする。
【解決手段】基板の表面にパターン形成されたSrCO₃膜を形成するステップと、その上に酸化物膜を形成するステップと、前記SrCO₃膜を有する部分を除去するステップとを有することを特徴とする。
【選択図】図1
特許請求の範囲【請求項１】
基板の表面にパターン形成されたＳｒＣＯ
３
膜を形成するステップと、
その上に酸化物膜を形成するステップと、
前記ＳｒＣＯ
３
膜を有する部分を除去するステップとを有することを特徴とするパターニングされた酸化物膜の形成方法。
続きを表示（約 380 文字）【請求項２】
前記ＳｒＣＯ
３
膜は非晶質のＳｒＣＯ
３
膜であることを特徴とする請求項１記載のパターニングされた酸化物膜の形成方法。
【請求項３】
前記ＳｒＣＯ
３
膜を有する部分を除去するステップは炭酸水と接触させるステップであることを特徴とする請求項２記載のパターニングされた酸化物膜の形成方法。
【請求項４】
前記パターン形成されたＳｒＣＯ
３
膜を形成するステップは基板の表面にパターン形成されたレジスト層を形成するステップと、その表面にＳｒＣＯ
３
膜を形成するステップと、前記レジスト層を有する部分を除去するステップによるものであることを特徴とする請求項１～３のいずれかに記載のパターニングされた酸化物膜の形成方法。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、パターニングされた酸化物の膜の形成方法に関し、特にリフトオフによる形成方法に係る。
続きを表示（約 1,400 文字）【背景技術】
【０００２】
強誘電体，圧電体，強磁性体，高温超電導体，透明導電膜及びワイドギャップ半導体等の分野では、各種酸化物膜が検討されている。
これらの用途に用いる酸化物膜には、導電性，強誘電性，強磁性，高温超電導特性等が要求されるが、そのような酸化物膜は一般に融点が高く化学耐性に優れているため、反応性イオンエッチングやレジストリフトオフ等によるパターニングが困難である。
【０００３】
そこで本出願人は、先に基板の上に微細な形状やパターニングされた酸化物膜の形成方法として、犠牲層（マスク層）としてアモルファス酸化カルシウム（ａ―ＣａＯ）層を用い、水リフトオフによりパターニングされた酸化物膜を形成する方法を提案している（特許文献１）。
【０００４】
しかし、その後の研究により、ａ－ＣａＯからなる犠牲層を水で除去（リフトオフ）する方法は、微細な加工やパターニングに優れているものの、リフトオフの際に完全に除去されない残渣物が残る場合があり、さらなる改善の余地があることが判明した。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
特許第７３５７９０３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明は、犠牲層の除去の精度が高く、微細な形状やパターンからなる酸化物膜の形成方法の提供を目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明に係るパターニングされた酸化物膜の形成方法は、基板の表面にパターン形成されたＳｒＣＯ
３
膜を形成するステップと、その上に酸化物膜を形成するステップと、前記ＳｒＣＯ
３
膜を有する部分を除去するステップとを有することを特徴とする。
【０００８】
ここで、ＳｒＣＯ
３
膜は非晶質のＳｒＣＯ
３
膜であるのが好ましく、ＳｒＣＯ
３
膜を有する部分を除去するステップは炭酸水と接触させるステップであるのが好ましい。
【０００９】
特許文献１に記載の発明は、ａ―ＣａＯからなる犠牲層は純水等の水にて除去できるのに対して、本発明はＳｒＣＯ
３
膜が純水には潮解しにくいが、純水に炭酸が含まれた炭酸水には容易に潮解することに着目したものである。
【００１０】
本発明においてパターニングされた酸化物膜とは、微細形状や所望するパターンに成膜された酸化物の膜をいう。
特に、強誘電特性、圧電特性、高温超電導特性，強磁性特性，半導体特性のいずれかを有するものが好ましい。
具体的に例えば、ＳｒＲｕＯ
３
，Ｇａ
２
Ｏ
３
，Ｐｂ（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ
３
，Ｌａ
１－ｘ
Ｓｒ
ｘ
ＭｎＯ
３
，ＹＢａ
２
Ｃｕ
３
Ｏ
７－ｘ
等が例として挙げられる。
また、基板は、シリコン基板，ガリウムヒ素基板等の各種半導体基板や、銅，アルミニウム等の金属基板であってもよい。
（【００１１】以降は省略されています）

関連特許