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公開番号2025152992
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-10-10
出願番号2024055224
出願日2024-03-29
発明の名称半導体製造装置用部材及びその再生方法
出願人日本碍子株式会社
代理人弁理士法人アイテック国際特許事務所
主分類H01L 21/683 20060101AFI20251002BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】ウエハの均熱性を向上させると共にセラミックプレート同士の接合強度を高くする。
【解決手段】半導体製造装置用部材10は、上面にウエハ載置面26を有する第1セラミックプレート21と、第1セラミックプレート21の下面に配置された第2セラミックプレート22と、第1セラミックプレート21と第2セラミックプレート22との間に存在する第1アモルファス層24と、を備える。第1セラミックプレート21の熱伝導率は、アルミナ及び第2セラミックプレート22の熱伝導率よりも高い。
【選択図】図2
特許請求の範囲【請求項１】
上面にウエハ載置面を有する第１セラミックプレートと、
前記第１セラミックプレートの下面に配置された第２セラミックプレートと、
前記第１セラミックプレートと前記第２セラミックプレートとの間に存在する第１アモルファス層と、
を備え、
前記第１セラミックプレートの熱伝導率は、アルミナ及び前記第２セラミックプレートの熱伝導率よりも高い、
半導体製造装置用部材。
続きを表示（約 1,300 文字）【請求項２】
前記第１セラミックプレートの熱伝導率は、３６Ｗ／ｍＫ以上である、
請求項１に記載の半導体製造装置用部材。
【請求項３】
前記第１セラミックプレートは、窒化アルミニウムプレートであり、
前記第２セラミックプレートは、アルミナプレートである、
請求項１又は２に記載の半導体製造装置用部材。
【請求項４】
請求項１又は２に記載の半導体製造装置用部材であって、
前記第１セラミックプレートのうち前記第１アモルファス層に接する側に存在する第１変質層と、
前記第２セラミックプレートのうち前記第１アモルファス層に接する側に存在する第２変質層と、
を備えた半導体製造装置用部材。
【請求項５】
請求項１又は２に記載の半導体製造装置用部材であって、
前記第２セラミックプレートの下面に配置された第３セラミックプレートと、
前記第２セラミックプレートと前記第３セラミックプレートとの間に存在する第２アモルファス層と、
を備えた半導体製造装置用部材。
【請求項６】
前記第２セラミックプレートのうち前記第２アモルファス層に面した位置又は前記第３セラミックプレートのうち前記第２アモルファス層に面した位置には、冷媒が流通する冷媒流路又は前記ウエハ載置面にガスを供給するガス流路が設けられている、
請求項５に記載の半導体製造装置用部材。
【請求項７】
請求項５に記載の半導体製造装置用部材であって、
前記第２セラミックプレートのうち前記第２アモルファス層に接する側に存在する第３変質層と、
前記第３セラミックプレートのうち前記第２アモルファス層に接する側に存在する第４変質層と、
を備えた半導体製造装置用部材。
【請求項８】
（ａ）請求項１又は２に記載の半導体製造装置用部材の前記第１セラミックプレートの上面を加工して、前記ウエハ載置面が除去された加工面を前記第１セラミックプレートに形成する工程と、
（ｂ）前記加工面を更に加工して、新たなウエハ載置面を形成する工程と、
を含む半導体製造装置用部材の再生方法。
【請求項９】
（ａ）請求項１又は２に記載の半導体製造装置用部材の前記第１セラミックプレートの上面を加工して、前記ウエハ載置面が除去された加工面を前記第１セラミックプレートに形成する工程と、
（ｂ）前記第２セラミックプレートに比べて熱伝導率が高い再生用セラミックプレートを、前記加工面に直接接合する工程と、
を含む半導体製造装置用部材の再生方法。
【請求項１０】
（ａ）請求項１又は２に記載の半導体製造装置用部材の前記第１セラミックプレートを加工して前記第２セラミックプレートを露出するように除去し、前記第２セラミックプレートに加工面を形成する工程と、
（ｂ）前記第２セラミックプレートに比べて熱伝導率が高い再生用セラミックプレートを、前記加工面に直接接合する工程と、
を含む半導体製造装置用部材の再生方法。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体製造装置用部材及びその再生方法に関する。
続きを表示（約 1,300 文字）【背景技術】
【０００２】
従来、半導体製造装置用部材として、プラズマを利用してウエハにＣＶＤやエッチングなどを行うものが知られている。こうした半導体製造装置用部材としては、特許文献１に示されるように、静電電極が埋設されたセラミック誘電体層の上面にセラミック絶縁層を形成したものが知られている。セラミック絶縁層は、例えばＣＶＤ膜、ＰＶＤ膜、ＡＤ膜又は溶射膜で形成される。セラミック絶縁層は、上面にウエハ載置面を有している。また、セラミック絶縁層の材質として、アルミナが例示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
特許第７２１４８６７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、一般にアルミナの熱伝導率は低いため、セラミック絶縁層の水平方向の熱伝導が不十分となり、ウエハの均熱性が十分得られないことがあった。また、セラミック絶縁層とセラミック誘電体層との接合強度が十分得られないことがあった。
【０００５】
本発明は、上述した課題を解決するためになされたものであり、ウエハの均熱性を向上させると共にセラミックプレート同士の接合強度を高くすることを主目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
［１］本発明の半導体製造装置用部材は、
上面にウエハ載置面を有する第１セラミックプレートと、
前記第１セラミックプレートの下面に配置された第２セラミックプレートと、
前記第１セラミックプレートと前記第２セラミックプレートとの間に存在する第１アモルファス層と、
を備え、
前記第１セラミックプレートの熱伝導率は、アルミナ及び前記第２セラミックプレートの熱伝導率よりも高い、
ものである。
【０００７】
この半導体製造装置用部材では、上面にウエハ載置面を有する第１セラミックプレートの熱伝導率は、アルミナ及び第２セラミックプレートの熱伝導率よりも高い。そのため、第１セラミックプレートは水平方向に熱が伝導しやすい。したがって、ウエハの均熱性が向上する。また、第１セラミックプレートと第２セラミックプレートとの間に第１アモルファス層が存在するため、両プレートの接合強度が比較的高くなる。
【０００８】
本明細書において、「上」「下」は、絶対的な位置関係を表すものではなく、相対的な位置関係を表すものである。そのため、半導体製造装置用部材の向きによって「上」「下」は「下」「上」になったり「左」「右」になったり「前」「後」になったりする。
【０００９】
［２］本発明の半導体製造装置用部材（前記［１］に記載の半導体製造装置用部材）において、前記第１セラミックプレートの熱伝導率は、３６Ｗ／ｍＫ以上であってもよい。
【００１０】
［３］本発明の半導体製造装置用部材（前記［１］又は［２］に記載の半導体製造装置用部材）において、前記第１セラミックプレートは窒化アルミニウムプレートであってもよく、前記第２セラミックプレートはアルミナプレートであってもよい。
（【００１１】以降は省略されています）

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