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公開番号2025073823
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-05-13
出願番号2023184926
出願日2023-10-27
発明の名称半導体材料用洗浄剤組成物
出願人株式会社日本触媒,クラークソンユニバーシティ
代理人弁理士法人WisePlus
主分類H01L 21/304 20060101AFI20250502BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】液性が中性付近で、洗浄能力に優れた半導体材料用洗浄剤組成物を提供する。
【解決手段】臨界ミセル濃度以上のアニオン性界面活性剤と、キレート剤と、pH調整剤を含み、pHが6～8であることを特徴とする半導体材料用洗浄剤組成物。
【選択図】なし
特許請求の範囲【請求項１】
臨界ミセル濃度以上のアニオン性界面活性剤と、キレート剤と、ｐＨ調整剤を含み、
ｐＨが６～８である
ことを特徴とする半導体材料用洗浄剤組成物。
続きを表示（約 480 文字）【請求項２】
前記アニオン性界面活性剤は、スルホン酸型、又は、硫酸型であることを特徴とする請求項１に記載の半導体材料用洗浄剤組成物。
【請求項３】
前記アニオン性界面活性剤の含有量は、半導体材料用洗浄剤組成物１００質量％中、臨界ミセル濃度以上、１質量％以下であることを特徴とする請求項１に記載の半導体材料用洗浄剤組成物。
【請求項４】
前記ｐＨ調整剤は、有機酸、アンモニア、及び、有機塩基性化合物からなる群より選択される少なくとも一種の化合物を含むことを特徴とする請求項１に記載の半導体材料用洗浄剤組成物。
【請求項５】
前記半導体材料用洗浄剤組成物は、セリア粒子を含む基板洗浄用であることを特徴とする請求項１に記載の半導体材料用洗浄剤組成物。
【請求項６】
前記セリア粒子は、平均粒子径が２００ｎｍ以下であることを特徴とする請求項５に記載の半導体材料用洗浄剤組成物。
【請求項７】
二流体洗浄法に使用されることを特徴とする請求項１に記載の半導体材料用洗浄剤組成物。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体材料用洗浄剤組成物に関する。より詳しくは、洗浄力に優れる半導体材料用洗浄剤組成物に関する。
続きを表示（約 1,800 文字）【背景技術】
【０００２】
従来、半導体製造プロセスにおけるウェハ表面を平坦化する工程として、ＣＭＰ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ－Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ－Ｐｌａｎａｒｉｚａｔｉｏｎ／Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ、化学機械平坦化／研磨）が知られている。ＣＭＰ工程では、化学研磨剤、研磨パッドを使用し、化学作用と機械的研磨の複合作用で、ウェハ表面の凹凸を削って平坦化する。研磨後のウェハ表面には、研磨砥粒や研磨屑等が残留する。これらの残留物は半導体の電気特性等に悪影響を及ぼすため、ＣＭＰ工程後に残留物を除去するための洗浄が行われる。
【０００３】
ＣＭＰ工程後の洗浄は、通常、洗浄剤を用いた化学洗浄と、ブラシ等を用いた物理洗浄とを組み合わせて行われる。これまでに、上記洗浄剤として様々な洗浄剤組成物が提案されている（特許文献１～３）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
国際公開第２０１３／１２２１７２号
特開２０２０－１６１５１１号公報
特開２０２０－１９１３６５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、従来の半導体材料の洗浄に使用される洗浄剤組成物は、洗浄力が未だ不十分であった。特にセリア粒子等の微細な研磨粒子を含む研磨剤を用いた場合、被研磨物上でのファンデルワールス力や静電的相互作用の影響が大きく研磨粒子が付着しやすくなり、従来の洗浄剤組成物では研磨粒子を十分に除去することができず、残留物が被研磨物に固着する等の問題があった。また、液性が強酸性もしくは強アルカリ性であり、被研磨物に悪影響を与えたり、取り扱いの点で注意したりする必要があった。
【０００６】
本発明は、上記現状に鑑みて、液性が中性付近のため、環境にやさしく、安全性が高く、洗浄能力に優れた半導体材料用洗浄剤組成物を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明者は、上記の課題を解決すべく、半導体材料用洗浄剤組成物について種々検討したところ、臨界ミセル濃度以上のアニオン性界面活性剤と、キレート剤と、ｐＨ調整剤を含むことにより、ｐＨが６～８の中性付近でも洗浄能力に優れた洗浄剤組成物となることを見いだし、本発明を完成するに至った。
【０００８】
すなわち、本発明は、下記の態様の発明を提供する。
＜１＞臨界ミセル濃度以上のアニオン性界面活性剤と、キレート剤と、ｐＨ調整剤を含み、ｐＨが６～８であることを特徴とする半導体材料用洗浄剤組成物。
＜２＞前記アニオン性界面活性剤は、スルホン酸型、又は、硫酸型であることを特徴とする上記＜１＞に記載の半導体材料用洗浄剤組成物。
＜３＞前記アニオン性界面活性剤の含有量は、半導体材料用洗浄剤組成物１００質量％中、臨界ミセル濃度以上、１質量％以下であることを特徴とする上記＜１＞又は＜２＞に記載の半導体材料用洗浄剤組成物。
＜４＞前記ｐＨ調整剤は、有機酸、アンモニア、及び、有機塩基性化合物からなる群より選択される少なくとも一種の化合物を含むことを特徴とする上記＜１＞～＜３＞のいずれかに記載の半導体材料用洗浄剤組成物。
＜５＞前記半導体材料用洗浄剤組成物は、セリア粒子を含む基板洗浄用であることを特徴とする上記＜１＞～＜４＞のいずれかに記載の半導体材料用洗浄剤組成物。
＜６＞前記セリア粒子は、平均粒子径が２００ｎｍ以下であることを特徴とする上記＜５＞に記載の半導体材料用洗浄剤組成物。
＜７＞二流体洗浄法に使用されることを特徴とする上記＜１＞～＜６＞のいずれかに記載の半導体材料用洗浄剤組成物。
【発明の効果】
【０００９】
本発明の半導体材料用洗浄剤組成物は、洗浄力に優れる。また、液性が中性付近であるので、取り扱いにも優れる。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下に本発明を詳述する。
なお、以下において記載する本発明の個々の好ましい形態を２つ以上組み合わせたものもまた、本発明の好ましい形態である。
（【００１１】以降は省略されています）

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