特許ウォッチ

公開番号2025119022
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-08-13
出願番号2025086319,2024520293
出願日2025-05-23,2023-04-04
発明の名称コンデンサ
出願人株式会社村田製作所
代理人弁理士法人WisePlus
主分類H01G 9/012 20060101AFI20250805BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】貫通電極を構成するスルーホール導体が設けられていても、コンデンサ容量を発現しない領域が小さいコンデンサを提供する。
【解決手段】コンデンサ1は、誘電体層13を介して厚さ方向に対向する第1の電極層(陽極板11)及び第2の電極層(陰極層12)を含むコンデンサ層10と、コンデンサ層10の厚さ方向に、コンデンサ層10を貫通するように設けられた同軸型スルーホール導体30を備える。同軸型スルーホール導体30は、第1の電極層及び内部配線層41と電気的に接続される第1のスルーホール導体31と、第2の電極層と電気的に接続される第2のスルーホール導体32と、を含む。第1のスルーホール導体31は、第1の電極層の端面と電気的に接続されている。第2のスルーホール導体32は、第1のスルーホール導体31の内側に設けられ、第1のスルーホール導体31と第2のスルーホール導体32とは互いに絶縁されている。
【選択図】図1
特許請求の範囲【請求項１】
誘電体層を介して厚さ方向に対向する第１の電極層及び第２の電極層を含むコンデンサ層と、
前記コンデンサ層の厚さ方向に、前記コンデンサ層を貫通するように設けられた同軸型スルーホール導体と、
前記コンデンサ層の少なくとも一方の主面側に設けられ、かつ、前記コンデンサ層の厚さ方向から見て、前記第１の電極層及び前記第２の電極層と重なるように配置された内部配線層と、を備え、
前記同軸型スルーホール導体は、前記第１の電極層及び前記内部配線層と電気的に接続される第１のスルーホール導体と、前記第２の電極層と電気的に接続される第２のスルーホール導体と、を含み、
前記第１のスルーホール導体は、前記第１の電極層の端面と電気的に接続され、
前記第２のスルーホール導体は、前記第１のスルーホール導体の内側に設けられ、
前記第１のスルーホール導体と前記第２のスルーホール導体とは互いに絶縁されている、コンデンサ。
続きを表示（約 700 文字）【請求項２】
前記コンデンサ層を封止する封止層をさらに備え、
前記内部配線層は、前記封止層の内部に設けられる、請求項１に記載のコンデンサ。
【請求項３】
前記内部配線層と前記コンデンサ層との間には前記封止層の一部が介在している、請求項２に記載のコンデンサ。
【請求項４】
前記封止層の表面に設けられ、かつ、前記内部配線層と電気的に接続された外部配線層をさらに備え、
前記外部配線層は、前記コンデンサ層の厚さ方向から見て、前記第１の電極層及び前記第２の電極層と重なるように配置されている、請求項２又は３に記載のコンデンサ。
【請求項５】
前記外部配線層は、前記コンデンサ層の厚さ方向から見て、前記第１の電極層及び前記第２の電極層と重なる位置において、前記内部配線層と電気的に接続されている、請求項４に記載のコンデンサ。
【請求項６】
前記コンデンサ層の厚さ方向から見て、前記外部配線層は、前記同軸型スルーホール導体に重ならない、請求項４に記載のコンデンサ。
【請求項７】
前記第１の電極層は、金属からなる芯部と、前記芯部の少なくとも一方の主面に設けられた多孔質部と、を有する陽極板であり、
前記誘電体層は、前記多孔質部の表面に設けられ、
前記第２の電極層は、前記誘電体層の表面に設けられた陰極層である、請求項１～３のいずれか１項に記載のコンデンサ。
【請求項８】
前記陰極層は、前記誘電体層の表面に設けられた固体電解質層を含む、請求項７に記載のコンデンサ。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、コンデンサに関する。
続きを表示（約 1,200 文字）【背景技術】
【０００２】
近年の半導体パッケージは、複数の基板層を積層した多層構造が主流である。また、半導体チップへの信号又は電源の供給を行うために、貫通電極を介した信号伝送ラインを設けることが一般的になっている。
【０００３】
ＡＩ（ＡｒｔｉｆｉｃｉａｌＩｎｔｅｌｌｉｇｅｎｃｅ）、データセンター等の用途に向けた高性能な半導体装置では、上記の信号伝送ラインがさらに複雑化したり、高性能化に伴い供給電源容量が増加したりしている。
【０００４】
その結果、貫通電極を介した高電力（高電流）供給が必要となるため、貫通電極にも電流容量が高いこと、すなわち、流せる電流量が多いことが求められる。
【０００５】
また、基板内へ電子部品を内蔵する場合には、電子部品を内蔵するためのエリアを考慮する必要があるため、貫通電極を設けるためのエリアはさらなる制限を受けることになり、電流容量の確保がより一層難しくなる。
【０００６】
特許文献１には、半導体アクティブ素子を含むボルテージレギュレータによって調整された直流電圧を負荷に供給する半導体複合装置に用いられるモジュールが開示されている。上記モジュールは、コンデンサを形成するコンデンサ部を少なくとも１つ含むコンデンサ層と、上記ボルテージレギュレータおよび上記負荷の少なくとも一方との電気的接続に用いられる接続端子と、上記コンデンサ層の厚さ方向に上記コンデンサ部を貫通するように形成されたスルーホール導体と、を備える。上記コンデンサは、上記スルーホール導体を介して上記負荷および上記ボルテージレギュレータの少なくとも一方と電気的に接続される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
国際公開第２０２１／２４１３２５号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
特許文献１の図２１には、複数のコンデンサ部が平面配置されたコンデンサ層の一例が示されている。特許文献１の図２１において、各々のコンデンサ部には、コンデンサ部の陽極と電気的に接続された第１のスルーホール導体と、コンデンサ部の陰極と電気的に接続された第２のスルーホール導体とが設けられている。
【０００９】
特許文献１の図１７～図２０に示されているように、貫通電極を構成するスルーホール導体の周囲では、絶縁領域を確保する必要がある。
【００１０】
上記の構成において、貫通電極の電流容量を増加させるためには、（１）貫通電極の数を増やす、（２）貫通電極の体積を増やす（例えば、貫通電極の径を大きくする）等の方法が考えられる。しかし、これらの方法では、貫通電極を形成するために必要な絶縁領域も大きくなる。
（【００１１】以降は省略されています）

関連特許