特許ウォッチ

公開番号2025158109
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-10-16
出願番号2025061158
出願日2025-04-02
発明の名称表示装置
出願人三星ディスプレイ株式會社,Samsung Display Co.,Ltd.
代理人個人
主分類G09F 9/30 20060101AFI20251008BHJP(教育;暗号方法;表示;広告;シール)
要約【課題】表示装置を提供する。
【解決手段】本発明は、基板上に配置され、第1方向に隣接した第1画素回路及び第2画素回路及び第1画素回路及び第2画素回路上に配置され、第1画素回路に連結される第1データライン、第2画素回路に連結される第2データライン、第1画素回路に重畳する第1電圧線及び第2画素回路に重畳する第2電圧線を含む第1導電層を含み、第1画素回路及び第2画素回路それぞれは、第1半導体パターン及び第1半導体パターン上の第1ゲート電極を含む第1トランジスタ、第1半導体パターン上に配置される第2半導体パターン及び第2半導体パターン上の第2ゲート電極を含む第2トランジスタ及び第1トランジスタの一端子と第2トランジスタの一端子を連結する連結電極を含み、平面視において、第2画素回路の連結電極は、第1電圧線と第1データラインとの間に配置される表示装置を提供する。
【選択図】図4
特許請求の範囲【請求項１】
基板上に配置され、第１方向に隣接した第１画素回路及び第２画素回路と、
前記第１画素回路及び前記第２画素回路の上方に配置されており、前記第１画素回路に連結される第１データライン、前記第２画素回路に連結される第２データライン、前記第１画素回路に重畳する第１電圧線、及び、前記第２画素回路に重畳する第２電圧線を含む第１導電層と、を含み、
前記第１画素回路及び前記第２画素回路それぞれは、
第１半導体パターン、及び前記第１半導体パターン上の第１ゲート電極を含む第１トランジスタと、
前記第１半導体パターン上に配置される第２半導体パターン、及び前記第２半導体パターン上の第２ゲート電極を含む第２トランジスタと、
前記第１トランジスタの一端子と前記第２トランジスタの一端子を連結する連結電極と、を含み、
平面視において、前記第２画素回路の連結電極は、前記第１電圧線と前記第１データラインとの間に配置される、表示装置。
続きを表示（約 1,100 文字）【請求項２】
前記第１導電層上に配置されており、前記第１画素回路に連結される第１画素電極、及び、前記第２画素回路に連結される第２画素電極を含む第２導電層と、
前記第２導電層上に配置されており、前記第１画素電極に重畳する第１画素開口、及び、前記第２画素電極に重畳する第２画素開口を画定する画素画定膜と、をさらに含み、
平面視において、前記第１データラインは、前記第１画素開口及び前記第２画素開口から離隔して配置される、請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
前記第１画素開口及び前記第２画素開口は、前記第１電圧線と重畳する、請求項２に記載の表示装置。
【請求項４】
前記第１画素開口と重畳する前記第１電圧線の一部は、前記第１画素開口の中心を通る仮想の直線を基準として線対称をなす、請求項３に記載の表示装置。
【請求項５】
前記基板上に配置されており、前記第２画素回路に前記第１方向から隣接した第３画素回路をさらに含み、
前記第１導電層は、前記第３画素回路に連結される第３データライン及び前記第３画素回路と重畳する第３電圧線をさらに含む、請求項２に記載の表示装置。
【請求項６】
前記第２導電層は、前記第３画素回路に連結される第３画素電極をさらに含み、
前記画素定義膜は、前記第３画素電極に重畳する第３画素開口をさらに定義し、
前記第２データラインは、前記第３画素開口と重畳する、請求項５に記載の表示装置。
【請求項７】
前記第１導電層は、前記第１方向と交差する第２方向に延びていて前記第３画素開口と重畳する第１電圧伝達配線をさらに含み、
前記第３画素開口と重畳する、前記第２データラインの一部と前記第１電圧伝達配線の一部とは、前記第３画素開口の中心を通る仮想の直線を基準として線対称をなす、請求項６に記載の表示装置。
【請求項８】
前記第１画素回路及び前記第２画素回路のそれぞれは、
前記第１ゲート電極上に配置される導電パターンをさらに含み、
前記第２画素回路の前記導電パターンは、前記第１データラインと、前記第２画素回路の前記第１トランジスタのドレイン領域とが重畳する領域に延びる、請求項１に記載の表示装置。
【請求項９】
前記導電パターン上に配置され、前記第１電圧線、前記第２電圧線、及び、前記導電パターンと連結される第２電圧伝達配線を含む第３導電層をさらに含む、請求項８に記載の表示装置。
【請求項１０】
前記第１半導体パターンはシリコン系半導体物質を含み、前記第２半導体パターンは酸化物系半導体物質を含む、請求項１に記載の表示装置。
（【請求項１１】以降は省略されています）
発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、表示装置に関する。
続きを表示（約 1,500 文字）【背景技術】
【０００２】
最近、表示装置は、軽薄になり、その用途が多様化されている。そのような表示装置は、複数の画素を含みうる。画素のそれぞれは、発光ダイオード及び発光ダイオードの輝度などを制御するための画素回路を含みうる。画素回路は、データライン、ゲートライン、電圧線などの配線に連結されるトランジスタ及びキャパシタを含みうる。
【０００３】
表示装置が広範囲に活用され、表示装置に適用または連携しうる機能が増加することにより、多様な形態の表示装置が設計されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
韓国公開特許10-2023-0168257明細書(KR2023-0168257A)
韓国公開特許10-2023-0166164明細書(KR2023-0166164A)
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
表示装置が高解像度化されることにより、データラインと、隣接した駆動トランジスタとの間の距離が減少し、データラインと駆動トランジスタとの間の寄生キャパシタンスが増加した。これに伴い、データラインに電気的信号が印加される際、隣接した画素の輝度が変化して、表示装置が表示するイメージにムラが発生するという問題点が存在した。
【０００６】
本発明は、前記のような問題点を含めて様々な問題点を解決するためのものであって、高品質のイメージを表示する表示装置を提供することを目的とする。しかし、そのような課題は、例示的なものであって、これにより、本発明の範囲が限定されるものではない。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の一観点によれば、基板上に配置され、第１方向に隣接した第１画素回路及び第２画素回路と、前記第１画素回路及び前記第２画素回路の上方に配置されていて、前記第１画素回路に連結される第１データライン、前記第２画素回路に連結される第２データライン、前記第１画素回路に重畳する第１電圧線、及び、前記第２画素回路に重畳する第２電圧線を含む第１導電層と、を含み、前記第１画素回路及び前記第２画素回路のそれぞれは、第１半導体パターン、及び、前記第１半導体パターン上の第１ゲート電極を含む第１トランジスタと、前記第１半導体パターン上に配置される第２半導体パターン、及び、前記第２半導体パターン上の第２ゲート電極を含む第２トランジスタと、前記第１トランジスタの一端子と前記第２トランジスタの一端子を連結する連結電極と、を含み、平面視において、前記第２画素回路の連結電極は、前記第１電圧線と前記第１データラインとの間に配置される、表示装置が提供される。
【０００８】
一実施形態において、前記第１導電層上に配置されていて、前記第１画素回路に連結される第１画素電極、及び、前記第２画素回路に連結される第２画素電極を含む第２導電層と、前記第２導電層上に配置されていて、前記第１画素電極に重畳する第１画素開口、及び、前記第２画素電極に重畳する第２画素開口を画定(定義)する画素画定(定義)膜と、をさらに含み、平面視において、前記第１データラインは、前記第１画素開口及び前記第２画素開口から離隔して配置されうる。
【０００９】
一実施形態において、前記第１画素開口及び前記第２画素開口は、前記第１電圧線と重畳しうる。
【００１０】
一実施形態において、前記第１画素開口と重畳する前記第１電圧線の一部は、前記第１画素開口の中心を通る仮想の直線を基準として線対称をなしうる。
（【００１１】以降は省略されています）

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