特許ウォッチ

公開番号2025163684
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-10-29
出願番号2025066838
出願日2025-04-15
発明の名称マイクロリソグラフィックフォトマスクの欠陥を粒子ビーム誘起エッチングするための方法および装置
出願人カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー
代理人個人,個人,個人,個人,個人,個人,個人,個人,個人
主分類G03F 1/74 20120101AFI20251022BHJP(写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ)
要約【課題】マイクロリソグラフィックフォトマスクの欠陥の粒子ビーム誘起エッチングを改善すること。
【解決手段】マイクロリソグラフィックフォトマスク(100)の欠陥(D1)の粒子ビーム誘起エッチングのための方法であって、a)欠陥(D1)をエッチングする目的で、活性粒子ビーム(114)と、粒子ビーム(114)によって活性化できる第1のガス成分(116)とを、欠陥(D1)の領域(120)内のフォトマスク(100)の表面(118)において提供するステップ(S1)と、その後に、b)表面(118)を不動態化する目的で、自発的酸化作用を有する酸素含有の第2のガス成分(126)を、欠陥(D1)の領域(120)を包含するパッシベーション領域(122)内のフォトマスク(100)の表面(118)において提供するステップ(S2)とを含む、方法。
【選択図】図1
特許請求の範囲【請求項１】
マイクロリソグラフィックフォトマスク（１００）の欠陥（Ｄ１）の粒子ビーム誘起エッチングのための方法であって、
ａ）前記欠陥（Ｄ１）をエッチングする目的で、活性粒子ビーム（１１４）と、前記粒子ビーム（１１４）によって活性化できる第１のガス成分（１１６）とを、前記欠陥（Ｄ１）の領域（１２０）内の前記フォトマスク（１００）の表面（１１８）において提供するステップ（Ｓ１）と、その後に、
ｂ）前記表面（１１８）を不動態化する目的で、自発的酸化作用を有する酸素含有の第２のガス成分（１２６）を、前記欠陥（Ｄ１）の前記領域（１２０）を包含するパッシベーション領域（１２２）内の前記フォトマスク（１００）の前記表面（１１８）において提供するステップ（Ｓ２）と
を含む、方法。
続きを表示（約 1,800 文字）【請求項２】
ステップａ）において、前記フォトマスク（１００）の構造化コーティング（１０８）の少なくとも１つの縁部（１２４）が露出され、
ステップｂ）において、前記少なくとも１つの露出された縁部（１２４）が不動態化される、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
ステップａ）において、前記欠陥（Ｄ１）が、完全にエッチングされ、および／または、完全に取り除かれる、請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】
前記第２のガス成分（１２６）が、自発的化学吸着の助けによって、前記フォトマスク（１００）の前記表面（１１８）を不動態化する、請求項１～３のいずれか１項に記載の方法。
【請求項５】
ｃ）ポンピング（Ｓ３）によって前記フォトマスク（１００）の前記表面（１１８）から前記第２のガス成分（１２６）を取り除くステップを含む、請求項１～４のいずれか１項に記載の方法。
【請求項６】
ステップａ）において、前記フォトマスク（１００）の第１の欠陥（Ｄ１）が前記フォトマスク（１００）の第１の領域（１２０）においてエッチングされ、
ステップｃ）の後に、前記フォトマスク（１００）の第２の欠陥（Ｄ２）が前記フォトマスク（１００）の第２の領域（１３０）においてエッチングされる、さらなるステップａ）を含む、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記第２のガス成分（１２６）が、オゾン（Ｏ
3
）、原子状酸素（Ｏ）、励起酸素（Ｏ
2
*
）、ヒドロペルオキシル（ＨＯＯ）、水酸基（ＨＯ）、硝酸ラジカル（ＮＯ
3
）、１つもしくは複数の酸素ラジカル（２４８）、および／または、１つもしくは複数の中性酸素ラジカル（２４８）を含有する、請求項１～６のいずれか１項に記載の方法。
【請求項８】
前記第２のガス成分（１２６）が、オゾン生成器（２３６）の助けによって生成されたオゾン（Ｏ
3
）を含有し、
オゾン（Ｏ
3
）が酸素（Ｏ
2
）から生成されるように、前記酸素（Ｏ
2
）が前記オゾン生成器（２３６）内で、電場（Ｅ）を通して誘導され、または、紫外光にさらされ、
前記生成されたオゾン（Ｏ
3
）が、前記オゾン生成器（２３６）の提供ライン（２４４）を通じて、および／または、前記オゾン生成器（２３６）に流体接続された供給ライン（２３０）を通じて、前記フォトマスク（１００）の前記表面（１１８）に供給される、請求項１～７のいずれか１項に記載の方法。
【請求項９】
前記第２のガス成分（１２６）が、プラズマベースガス生成機器（２４６）の助けによって生成された１つまたは複数の中性酸素ラジカル（２４８）を含有し、
前記プラズマベースガス生成機器（２４６）が、プラズマ生成源（２５４）と、前記プラズマ生成源（２５４）に流体接続された選択機器（２５６）とを備え、
前記１つまたは複数の中性酸素ラジカル（２４８）が、前記プラズマ生成源（２５４）において生成されたプラズマから前記選択機器（２５６）によって分離され、前記プラズマベースガス生成機器（２４６）の提供ライン（２５８）を通じて、および／または、前記選択機器（２５６）に流体接続された供給ライン（２３０）を通じて、前記フォトマスク（１００）の前記表面（１１８）に供給される、請求項１～８のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１０】
前記第１のガス成分（３１６）が、前記欠陥（Ｄ１）をエッチングするための少なくとも１つのエッチングガス成分（３１８）と、第１のパッシベーションステップ（Ｓ１２）において、前記フォトマスク（１００）の前記表面（１１８）を不動態化するための少なくとも１つのパッシベーションガス成分（３２０）とを含有し、
前記フォトマスク（１００）の前記表面（１１８）が、第２のパッシベーションステップ（Ｓ２）において、前記第２のガス成分（１２６）の助けによって、ステップｂ）において不動態化される、請求項１～９のいずれか１項に記載の方法。
（【請求項１１】以降は省略されています）
発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、マイクロリソグラフィックフォトマスクの欠陥を粒子ビーム誘起エッチングするための方法および装置に関する。
続きを表示（約 1,800 文字）【０００２】
優先権出願独国特許第１０２０２４１１０７６４．２号の内容は援用により完全に組み込まれる。
【背景技術】
【０００３】
マイクロリソグラフィは、微細構造化された構成要素部品、たとえば集積回路を作り出すために使用される。マイクロリソグラフィプロセスは、照射システムおよび投影システムを備えるリソグラフィ装置を用いて実行される。照射システムによって照射されたマスク（レチクル）の像は、マスク構造を基板の感光コーティングに転写するために、感光層（フォトレジスト）でコーティングされ投影システムの像面内に配置されている基板、たとえばシリコンウェハ上に、投影システムによって投影される。
【０００４】
集積回路の生産において、さらに小さな構造体を求める要望によって主導され、０．１ｎｍ～３０ｎｍの範囲、特に１３．５ｎｍの波長を有する光を使用するＥＵＶリソグラフィ装置が現在開発中である。
【０００５】
マイクロリソグラフィの最中に用いられるフォトマスク（すなわち、リソグラフィマスク）は微細構造を有し、その微細構造は、規模が低減された基板上に投影される。フォトマスクの構造自体はすでに非常に小さく、寸法は、たとえば、数ミクロンメートル～数ナノメートルである。マイクロリソグラフィを用いて微細構造化構成要素を非常に正確に作り出すために、利用されるフォトマスク上の構造もまた、非常に精密に製造されなければならず、しかも、フォトマスクには欠陥（たとえば、欠陥構造および汚染）があってはならない。フォトマスクは通常複数回の露光で使用されるため、欠陥のないマイクロリソグラフィックフォトマスクもまた、非常に重要である。したがって、フォトマスクは欠陥については大きな費用を掛けて検査され、露呈した欠陥は修復される。
【０００６】
フォトマスクの典型的な欠陥は、たとえばエッチングプロセスが成功裏に実行されなかったことにより想定される構造の欠如を含み、あるいは、たとえば、エッチングプロセスが、迅速に進みすぎたこと、もしくは、その作用を誤った部位において成長させたことによる、想定外の構造が存在する。これらの欠陥は、適切な位置において、過剰な材料を、的を絞ってエッチングすることまたはさらなる材料を、的を絞って堆積させることによって補修することができ、たとえば、これは、電子ビーム誘起処理（ＦＥＢＩＰ「集束電子ビーム誘起処理：ｆｏｃｕｓｓｅｄｅｌｅｃｔｒｏｎｂｅａｍｉｎｄｕｃｅｄｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ」）によって非常に的を絞った様式で実現可能である。
【０００７】
独国特許第１０２０１７２０８１１４Ａ１号は、マイクロリソグラフィックフォトマスクの粒子ビーム誘起エッチング向けの方法を記載している。このケースでは、粒子ビーム、特に電子ビーム、およびエッチングガスが、フォトマスク上のエッチングすべき部位において提供される。粒子ビームは、フォトマスクの材料とエッチングガスとの間の局所的な化学反応を活性化し、その結果として、フォトマスクから局所的に材料が取り除かれる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
独国特許第１０２０２４１１０７６４．２号
独国特許第１０２０１７２０８１１４Ａ１号
【発明の概要】
【０００９】
この背景に対して、本発明によって取り組まれる問題は、マイクロリソグラフィックフォトマスクの欠陥の粒子ビーム誘起エッチングを改善することである。
【００１０】
第１の態様に従って、マイクロリソグラフィックフォトマスクの欠陥の粒子ビーム誘起エッチングのための方法が提案される。方法は、
ａ）欠陥をエッチングする目的で、活性粒子ビームと、粒子ビームによって活性化できる第１のガス成分とを、欠陥の領域内のフォトマスクの表面において提供するステップと、その後に、
ｂ）表面を不動態化する目的で、自発的酸化作用を有する酸素含有の第２のガス成分を、欠陥の領域を包含するパッシベーション領域内のフォトマスクの表面において提供するステップと
を含む。
（【００１１】以降は省略されています）

関連特許