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公開番号2025101814
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-07-08
出願番号2023218847
出願日2023-12-26
発明の名称半導体装置
出願人ルネサスエレクトロニクス株式会社
代理人個人
主分類H10D 89/00 20250101AFI20250701BHJP()
要約【課題】発熱を抑制させることができる半導体装置を提供する。
【解決手段】一実施形態によれば、半導体装置1は、上面51及び下面52を有する半導体基板50と、半導体基板50よりも上方に形成された導電層CL13と、導電層CL13の上面上に形成された導電層MP10と、を備え、上方から見た場合に、導電層MP10は、導電層CL13の端縁よりも内側の領域に形成され、導電層MP10の厚さは、導電層CL13の厚さよりも大きく、導電層MP10の熱伝導率は、導電層CL13の熱伝導率よりも大きく、導電層MP10の抵抗率は、導電層CL13の抵抗率よりも小さい。
【選択図】図3
特許請求の範囲【請求項１】
上面及び下面を有する半導体基板と、
前記半導体基板よりも上方に形成された第１導電層と、
前記第１導電層の上面上に形成された第２導電層と、
を備え、
前記上方から見た場合に、前記第２導電層は、前記第１導電層の端縁よりも内側の領域に形成され、
前記第２導電層の厚さは、前記第１導電層の厚さよりも大きく、
前記第２導電層の熱伝導率は、前記第１導電層の熱伝導率よりも大きく、
前記第２導電層の抵抗率は、前記第１導電層の抵抗率よりも小さい、
半導体装置。
続きを表示（約 1,300 文字）【請求項２】
前記上方から見た場合に、前記第２導電層が形成された領域は、複数のボンディングワイヤにおける各ボンディングワイヤがそれぞれ接続する複数のパッド部を有し、
前記第２導電層が形成された領域をいくつかの区域に分割した場合に、各区域に少なくとも一つの前記パッド部を含む、
請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記半導体基板にデバイスが形成されたデバイス部と、
前記デバイスを制御する制御回路が前記半導体基板に形成された制御回路部と、
を有し、
前記デバイス部は、
前記半導体基板と、
前記デバイスと、
前記第１導電層と、
前記第２導電層と、
を含み、
前記制御回路部は、
前記半導体基板と、
前記制御回路と、
前記半導体基板よりも上方に形成された第３導電層であって、前記半導体基板の前記上面から前記第１導電層と同じ高さの部分を含む前記第３導電層と、
を含み、
前記上方から見た場合に、前記第３導電層が形成された領域は、複数の制御ボンディングワイヤが接続され、
前記デバイス部の前記ボンディングワイヤの太さは、前記制御回路部の前記制御ボンディングワイヤの太さよりも大きい、
請求項２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記第３導電層の上面上に形成された第４導電層であって、前記半導体基板の前記上面から前記第２導電層と同じ高さの部分を含む前記第４導電層をさらに有し、
前記上方から見た場合に、
前記第４導電層は、前記第３導電層の端縁よりも内側の領域に形成され、
前記制御ボンディングワイヤは、前記第４導電層が形成された領域に接続される、
請求項３に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記第２導電層の上面上に形成された導電薄膜をさらに備え、
前記第２導電層は、前記導電薄膜を挟んで、前記ボンディングワイヤと接続する、
請求項２に記載の半導体装置。
【請求項６】
前記第２導電層を覆うように形成されたカバー膜をさらに備え、
前記カバー膜は、複数の開口を含み、
各開口は、各パッド部に対応する、
請求項２に記載の半導体装置。
【請求項７】
前記第２導電層の上面上に形成された導電薄膜をさらに備え、
前記カバー膜は、前記第２導電層及び前記導電薄膜を覆うように形成された、
請求項６に記載の半導体装置。
【請求項８】
前記デバイス部は、複数のトランジスタを備え、
前記トランジスタのソースは、ビア導電体を含む配線を介して、前記第１導電層に接続された、
請求項３に記載の半導体装置。
【請求項９】
前記デバイス部は、前記半導体基板に形成された縦型のパワーＭＯＳトランジスタを含む、
請求項３に記載の半導体装置。
【請求項１０】
前記第２導電層は、メッキ層を含む、
請求項１に記載の半導体装置。
（【請求項１１】以降は省略されています）
発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本開示は、半導体装置に関する。
続きを表示（約 1,600 文字）【背景技術】
【０００２】
特許文献１には、半導体基板上にパッド用の導電層を有する半導体装置が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
特開２０２０－１２０１３３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
半導体装置にパッドを介して大電流が流れると、半導体装置が発熱する場合がある。
【０００５】
その他の課題と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
一実施の形態によれば、半導体装置は、上面及び下面を有する半導体基板と、前記半導体基板よりも上方に形成された第１導電層と、前記第１導電層の上面上に形成された第２導電層と、を備え、前記上方から見た場合に、前記第２導電層は、前記第１導電層の端縁よりも内側の領域に形成され、前記第２導電層の厚さは、前記第１導電層の厚さよりも大きく、前記第２導電層の熱伝導率は、前記第１導電層の熱伝導率よりも大きく、前記第２導電層の抵抗率は、前記第１導電層の抵抗率よりも小さい。
【０００７】
一実施の形態によれば、半導体装置は、上面及び下面を有する半導体基板と、前記半導体基板よりも上方に形成された第１導電層と、前記第１導電層の上面上に形成された第２導電層と、を備え、前記上方から見た場合に、前記第２導電層は、前記第１導電層の端縁よりも内側の領域に形成され、前記第２導電層は、前記第１導電層の上面に平行な面内における一方向に延びた複数のフィンを有する。
【発明の効果】
【０００８】
前記一実施の形態によれば、発熱を抑制することができる半導体装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
比較例に係る半導体装置を例示した平面図である。
比較例に係る半導体装置を例示した断面図であり、図１のＩＩ－ＩＩ線の断面を示す。
実施形態１に係る半導体装置を例示した平面図である。
実施形態１に係る半導体装置を例示した断面図であり、図３のＩＶ－ＩＶ線の断面を示す。
実施形態１に係る半導体装置において、デバイス部における導電層上の複数のパッド部を例示した平面図である。
実施形態１に係る半導体装置を例示した平面図である。
実施形態１に係る半導体装置を例示した断面図であり、図６のＶＩＩ－ＶＩＩ線の断面を示す。
実施形態１に係る半導体装置を例示した断面図である。
実施形態１に係る半導体装置を例示した断面図である。
実施形態１に係る半導体装置を例示した断面図である。
実施形態１に係る半導体装置を例示した断面図である。
実施形態１に係る半導体装置を例示した断面図である。
実施形態２に係る半導体装置を例示した平面図である。
実施形態２に係る半導体装置を例示した平面図である。
実施形態２に係る半導体装置を例示した断面図であり、図１４のＸＶ－ＸＶ線の断面を示す。
実施形態２に係る半導体装置を例示した断面図である。
実施形態２に係る半導体装置を例示した断面図である。
実施形態２に係る半導体装置を例示した断面図である。
実施形態２に係る半導体装置を例示した断面図である。
実施形態２に係る半導体装置を例示した断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
説明の明確化のため、以下の記載及び図面は、適宜、省略及び簡略化がなされている。なお、各図面において、同一の要素には同一の符号が付されており、必要に応じて重複説明は省略されている。
（【００１１】以降は省略されています）

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