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公開番号2025111860
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-07-31
出願番号2024005742
出願日2024-01-18
発明の名称半導体装置
出願人ミネベアパワーデバイス株式会社
代理人ポレール弁理士法人
主分類H10D 62/10 20250101AFI20250724BHJP()
要約【課題】ターミネーション領域102に設けられたフィールドプレート7の端部における電界の集中を緩和し、耐圧を高める。
【解決手段】半導体素子を有するアクティブ領域101と、アクティブ領域101を囲むターミネーション領域102とを有する半導体装置100であって、ターミネーション領域102は、第1導電型のドリフト層1と、ドリフト層1の表面の一部に形成された第2導電型のフィールドリミッティング層3と、ドリフト層1とフィールドリミッティング層3とを覆うフィールド絶縁膜8と、フィールドリミッティング層3に電気的に接続されたフィールドプレート7と、を有する。フィールドプレート7は、フィールド絶縁膜8の表面に、フィールドリミッティング層3の外側まで延在して形成されており、フィールド絶縁膜8は、フィールドプレート7に重なる領域において、フィールドプレート7の端部に近づくほど厚さが厚くなっている。
【選択図】図2
特許請求の範囲【請求項１】
半導体素子を有するアクティブ領域と、前記アクティブ領域を囲むターミネーション領域とを有する半導体装置であって、
前記ターミネーション領域は、第１導電型のドリフト層と、前記ドリフト層の表面の一部に形成された第２導電型のフィールドリミッティング層と、前記ドリフト層と前記フィールドリミッティング層とを覆うフィールド絶縁膜と、前記フィールドリミッティング層に電気的に接続されたフィールドプレートとを有し、
前記フィールドプレートは、前記フィールド絶縁膜の表面に、前記フィールドリミッティング層の外側まで延在して形成されており、
前記フィールド絶縁膜は、前記フィールドプレートに重なる領域において、前記フィールドプレートの端部に近づくほど厚さが厚くなっていることを特徴とする半導体装置。
続きを表示（約 530 文字）【請求項２】
請求項１において、
前記フィールドプレートに重なる領域において、前記フィールドプレートの端部に近づくほど、前記フィールド絶縁膜の表面が階段状に高くなることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項２において、
前記階段状の段数が３段以上であることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１において、
前記フィールドプレートに重なる領域において、前記フィールドプレートの端部に近づくほど、前記フィールド絶縁膜の表面が曲線状に高くなることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１において、
前記フィールドプレートに重なる領域、かつ、前記フィールドリミッティング層の外側において、前記フィールドプレートの端部に近づくほど、前記フィールド絶縁膜の表面が高くなることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項１において、
前記フィールド絶縁膜は、前記フィールドリミッティング層に重なる位置に、前記フィールドリミッティング層と前記フィールドプレートとを電気的に接続するためのコンタクトホールを有することを特徴とする半導体装置。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置に関する。
続きを表示（約 1,300 文字）【背景技術】
【０００２】
半導体装置では、耐圧を確保するために、ターミネーション領域において電界を緩和する構造が設けられている。その一例として、フィールドリミッティング層と、フィールドリミッティング層に電気的に接続されたフィールドプレートとを用いるものがある。フィールドプレートは、フィールドリミッティング層の端部での電界集中を避けるために、フィールドリミッティング層の端部よりも外側まで延在して形成されている。
【０００３】
このような技術を開示するものとしては、例えば、特許文献１の図１、図２などが挙げられる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
特開２００３－１５８２５８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
フィールドリミッティング層の端部とフィールドプレートの端部との間の距離が長いほど、フィールドリミッティング層の端部でのフィールドプレートによる電界緩和効果は強くなる。
【０００６】
しかしながら、この距離が長いほど、フィールドプレートの端部を回り込む等電位線の曲率半径が小さくなるため、フィールドプレートの端部に電界が集中し易くなり、耐圧が低下するという課題がある。
【０００７】
本発明が解決しようとする課題は、ターミネーション領域に設けられたフィールドプレートの端部における電界の集中を緩和し、耐圧を高めることができる半導体装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記した課題を解決するために、本発明の半導体装置は、半導体素子を有するアクティブ領域と、前記アクティブ領域を囲むターミネーション領域とを有する半導体装置であって、前記ターミネーション領域は、第１導電型のドリフト層と、前記ドリフト層の表面の一部に形成された第２導電型のフィールドリミッティング層と、前記ドリフト層と前記フィールドリミッティング層とを覆うフィールド絶縁膜と、前記フィールドリミッティング層に電気的に接続されたフィールドプレートとを有し、前記フィールドプレートは、前記フィールド絶縁膜の表面に、前記フィールドリミッティング層の外側まで延在して形成されており、前記フィールド絶縁膜は、前記フィールドプレートに重なる領域において、前記フィールドプレートの端部に近づくほど厚さが厚くなっていることを特徴とする。
【発明の効果】
【０００９】
本発明の半導体装置によれば、ターミネーション領域に設けられたフィールドプレートの端部における電界の集中を緩和し、耐圧を高めることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
実施例１の半導体装置の上面図。
図１のＡ－Ａ’の断面図。
比較例の半導体装置の断面図。
実施例１の接続部の断面図。
実施例２の半導体装置の断面図。
【発明を実施するための形態】
（【００１１】以降は省略されています）

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