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公開番号2025113729
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-08-04
出願番号2024008024
出願日2024-01-23
発明の名称集束イオンビーム装置
出願人日本電子株式会社
代理人個人,個人,個人
主分類H01J 37/317 20060101AFI20250728BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】ノズル内に残留するガスを排気できる集束イオンビーム装置を提供する。
【解決手段】集束イオンビーム装置100は、試料Sにイオンビームを照射して、試料Sを加工する集束イオンビーム装置であって、吹出口422からデポジション膜を形成するためのガス2を試料Sに吹き付けるノズル42と、ノズル42内にガス2を供給するタンクと、を含み、ノズル42は、ノズル42内のガス2を排気するための排気穴426を有する。
【選択図】図4
特許請求の範囲【請求項１】
試料にイオンビームを照射して、前記試料を加工する集束イオンビーム装置であって、
吹出口からデポジション膜を形成するためのガスを前記試料に吹き付けるノズルと、
前記ノズル内にガスを供給するタンクと、
を含み、
前記ノズルは、前記ノズル内のガスを排気するための排気穴を有する、集束イオンビーム装置。
続きを表示（約 1,000 文字）【請求項２】
請求項１において、
前記ノズルを、前記吹出口から前記試料にガスを吹き付け可能な成膜位置と、前記成膜位置とは異なる退避位置と、の間で移動可能にする移動機構を含む、集束イオンビーム装置。
【請求項３】
請求項２において、
前記排気穴は、前記ノズル内のガスを排気するための排気経路を構成し、
前記ノズルが前記成膜位置に配置された場合に、前記排気経路が閉じ、
前記ノズルが前記退避位置に配置された場合に、前記排気経路が開く、集束イオンビーム装置。
【請求項４】
請求項２において、
前記ノズルが前記成膜位置に配置された場合に、前記排気穴は密閉された密閉室に連通し、
前記ノズルが前記退避位置に配置された場合に、前記排気穴は前記ノズル内のガスを排気するための排気経路を構成する排気室に連通する、集束イオンビーム装置。
【請求項５】
請求項３または４において、
前記排気経路は、前記試料が配置された試料室に連通している、集束イオンビーム装置。
【請求項６】
請求項３または４において、
前記試料が配置された試料室を排気するための第１排気系と、
前記ノズル内を排気するための第２排気系と、
を含む、集束イオンビーム装置。
【請求項７】
請求項２において、
前記ノズルを収容する収容管を含み、
前記ノズルと前記収容管との間の空間は、前記ノズル内のガスを排気するための排気経路を構成している、集束イオンビーム装置。
【請求項８】
請求項７において、
前記収容管には、前記空間に連通する貫通穴が設けられ、
前記ノズルが前記退避位置に配置された場合の前記排気穴と前記貫通穴との間の距離は、前記ノズルが前記成膜位置に配置された場合の前記排気穴と前記貫通穴との間の距離よりも小さい、集束イオンビーム装置。
【請求項９】
請求項８において、
前記貫通穴は、前記試料の方向を向いていない、集束イオンビーム装置。
【請求項１０】
請求項１または２において、
前記ノズル内のガスを排気するための排気経路のコンダクタンスを変化させる制御機構を含む、集束イオンビーム装置。
（【請求項１１】以降は省略されています）
発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、集束イオンビーム装置に関する。
続きを表示（約 1,800 文字）【背景技術】
【０００２】
集束イオンビーム装置では、集束させたイオンビームで試料表面を走査することによって、試料を加工できる。さらに、集束イオンビーム装置では、試料表面付近に化合物ガスを吹き付けながら電子ビームまたはイオンビームを試料に照射することによって、試料表面にデポジション膜を成膜できる。冷却された試料を加工するクライオ集束イオンビーム装置（Ｃｒｙｏ－ＦＩＢ）では、電子ビームまたはイオンビームを照射せずに、試料に化合物ガスを吹き付けるだけで、試料表面にデポジション膜を成膜できる。
【０００３】
特許文献１には、化合物ガスを試料に吹き付けるためのガス銃を備えた集束イオンビーム装置が開示されている。ガス銃は、ガス源を収納するガスタンクと、ガスノズルと、を含む。デポジション膜を成膜する際には、ガスノズルは、エアシリンダーによって退避位置から試料の加工点から数百μｍの高さに接近する。ガスタンク内にはガス封止栓が設けられており、ガス封止栓を開くことで試料にガスを吹き付けることができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
特開２００７－１３４５２０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上記のようなガス銃では、ガスタンクをガス封止栓で閉じても、ガスノズル内にガスが残留してしまう。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明に係る集束イオンビーム装置の一態様は、
試料にイオンビームを照射して、前記試料を加工する集束イオンビーム装置であって、
吹出口からデポジション膜を形成するためのガスを前記試料に吹き付けるノズルと、
前記ノズル内にガスを供給するタンクと、
を含み、
前記ノズルは、前記ノズル内のガスを排気するための排気穴を有する。
【０００７】
このような集束イオンビーム装置では、ノズルが排気穴を有するため、ノズル内に残留するガスを排気できる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
第１実施形態に係る集束イオンビーム装置の構成の一例を示す図。
ガスインジェクション装置を模式的に示す断面図。
第１実施形態に係る集束イオンビーム装置の動作を説明するための図。
第１実施形態に係る集束イオンビーム装置の動作を説明するための図。
第１実施形態に係る集束イオンビーム装置の変形例を模式的に示す断面図。
第１実施形態に係る集束イオンビーム装置の変形例を模式的に示す断面図。
第２実施形態に係る集束イオンビーム装置の構成の一例を示す図。
ガスインジェクション装置を模式的に示す断面図。
第２実施形態に係る集束イオンビーム装置の動作を説明するための図。
第２実施形態に係る集束イオンビーム装置の動作を説明するための図。
第３実施形態に係る集束イオンビーム装置の構成の一例を示す図。
第４実施形態に係る集束イオンビーム装置の構成の一例を示す図。
第４実施形態に係る集束イオンビーム装置の動作を説明するための図。
第４実施形態に係る集束イオンビーム装置の動作を説明するための図。
第５実施形態に係る集束イオンビーム装置の構成の一例を示す図。
第５実施形態に係る集束イオンビーム装置の動作を説明するための図。
第５実施形態に係る集束イオンビーム装置の動作を説明するための図。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下、本発明の好適な実施形態について図面を用いて詳細に説明する。なお、以下に説明する実施形態は、特許請求の範囲に記載された本発明の内容を不当に限定するものではない。また、以下で説明される構成の全てが本発明の必須構成要件であるとは限らない。
【００１０】
１．第１実施形態
１．１．集束イオンビーム装置
まず、第１実施形態に係る集束イオンビーム装置について図面を参照しながら説明する。図１は、第１実施形態に係る集束イオンビーム装置１００の構成の一例を示す図である。
（【００１１】以降は省略されています）

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