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公開番号2025119720
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-08-15
出願番号2024014667
出願日2024-02-02
発明の名称レジスト剥離剤及びこれを用いる導体パターン付き基板材の形成方法
出願人メルテックス株式会社
代理人個人
主分類G03F 7/42 20060101AFI20250807BHJP(写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ)
要約【課題】本件出願に係る発明は、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド及びアミン化合物を成分として含むことなく、これらを成分として含むものと同等の性能を有するレジスト剥離剤及びこれを用いる導体パターン付き基板材の形成方法を提供することを提供することを目的とする。
【解決手段】この課題を達成するために、本件出願に係る発明は、回路形成用のレジストパターンの除去に用いるものであって、アルカリ金属水酸化物を0.05mоl/L～5mоl/L、芳香族アルコール及び/又はグリコールであるアルコールを0.05mоl/L～8mоl/L、環状化合物を0.005mоl/L～1.0mоl/L含み、残部は水であることを特徴とするレジスト剥離剤を採用する。
【選択図】なし
特許請求の範囲【請求項１】
回路形成用のレジストパターンの除去に用いるレジスト剥離剤であって、
当該レジスト剥離剤の成分は、アルカリ金属水酸化物が０．０５ｍоｌ／Ｌ～５ｍоｌ／Ｌ、芳香族アルコール及び／又はグリコールであるアルコールが０．０５ｍоｌ／Ｌ～８ｍоｌ／Ｌ、環状化合物が０．００５ｍоｌ／Ｌ～１．０ｍоｌ／Ｌ、残部は水であることを特徴とするレジスト剥離剤。
続きを表示（約 830 文字）【請求項２】
アルカリ金属水酸化物は、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム及び水酸化リチウムから選択される一種以上であり、
アルコールは、フェノキシエタノール、ベンジルアルコール、フェネチルアルコール、エチレングリコール、トリエチレングリコール及びジエチレングリコールモノブチルエーテルから選択される一種以上であり、
環状化合物は、α－シクロデキストリン、β－シクロデキストリン、γ－シクロデキストリン、１２－クラウン－４－エーテル、１５－クラウン－５－エーテル、１８－クラウン－６－エーテル及び２４－クラウン－８－エーテルから選択される一種以上である請求項１に記載のレジスト剥離剤。
【請求項３】
窒素化合物及び／又は硫黄化合物からなるインヒビターを０．００１ｍоｌ／Ｌ～０．７ｍоｌ／Ｌ含む請求項１又は請求項２に記載のレジスト剥離剤。
【請求項４】
前記インヒビターは、ベンゾイミダゾール、ベンゾトリアゾール、１Ｈ－テトラゾール、５－アミノ－１Ｈ－テトラゾール、２－メルカプトベンゾイミダゾール、１－フェニル－５－メルカプト－１Ｈ－テトラゾールから選択される一種以上である請求項３に記載のレジスト剥離剤。
【請求項５】
請求項１又は請求項２に記載のレジスト剥離剤を用いる導体パターン付き基板材の形成方法であって、
以下の工程Ａ～工程Ｃを含むことを特徴とする導体パターン付き基板材の形成方法。
工程Ａ：基板材の表面にレジストパターンを施してレジストパターン付き基板材を得る。
工程Ｂ：工程Ａで得たレジストパターン付き基板材の表面にめっき処理を施して金属皮膜付き基板材を得る。
工程Ｃ：工程Ｂで得た金属皮膜付き基板材の表面を当該レジスト剥離剤と接触させることにより、当該レジストパターンを除去して金属皮膜からなる導体パターン付き基板材を得る。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本件出願に係る発明は、レジスト剥離剤及びこれを用いる導体パターン付き基板材の形成方法に関する。
続きを表示（約 1,800 文字）【背景技術】
【０００２】
プリント配線板等の導体パターン付き基板材（「回路基板」とも称する。）を形成する方法として、次のようなものが知られている。まず、基板材の上にドライフィルムフォトレジスト（以下、単に「ドライフィルムレジスト」とも称する。）を熱圧着（ラミネート）した後、フォトマスクを介して露光を行い、未硬化の部分を現像液で除去することによりレジストパターンを形成する。これを銅めっき浴に浸漬して、めっき法により基板材が露出している部分の上に銅めっき皮膜を形成する。次いで、レジスト剥離剤によりレジストパターンを除去して、導体パターン付き基板材を得る。
【０００３】
ここで、上述のレジスト剥離剤として、従来、水酸化ナトリウム水溶液が用いられている。しかし、導体パターン付き基板材における、導体パターン（「回路」又は「金属配線」とも称する。）の狭ピッチ化に伴い、水酸化ナトリウム水溶液によるレジスト剥離剤では、レジストパターンの剥離が困難になっている。基板材上に狭ピッチな金属配線を形成するためには、レジストの解像度を上げる必要があるが、レジストの解像度を上げると、硬化後のレジストは、基板材表面との密着性が高くなり、且つ高架橋になるためである。そして、隣接して形成する導体パターン間の距離が狭くなると、レジストパターンのアスペクト比は大きくなることから、硬化後のレジストに対するレジスト剥離剤の浸透性をより高める必要があるためである。
【０００４】
そこで、この問題に対応するために、４級アンモニウム塩であるテトラメチルアンモニウムヒドロキシド（ＴＭＡＨ）及びアミン化合物を含むレジスト剥離剤が上市された。しかし、このレジスト剥離剤に関しても、テトラメチルアンモニウムヒドロキシドは強い急性毒性を有していることから毒物に指定されており、且つアミン化合物は窒素を含有する物質であることから排水基準値が比較的低く設定されているため、工場が設置されている場所によっては、使用できない場合があるという新たな問題が生じている。
【０００５】
この「テトラメチルアンモニウムヒドロキシド及びアミン化合物」を含まないレジスト剥離剤として、特許文献１には、「ベンジルアルコール、アニオン型界面活性剤、水酸化ナトリウム等のアルカリ剤及び水からなる剥離液組成物」が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
特開平２－１６６４５９号公報
【０００７】
しかし、特許文献１の剥離液組成物は、界面活性剤を含むものであるため、使用時に発泡してレジストパターンを安定的に除去できない場合がある。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本件出願に係る発明は、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド及びアミン化合物を成分として含むことなく、これらを成分として含むものと同等の性能を有するレジスト剥離剤及びこれを用いる導体パターン付き基板材の形成方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
Ａ．本件出願に係るレジスト剥離剤
本件出願に係るレジスト剥離剤は、回路形成用のレジストパターンの除去に用いるものであって、当該レジスト剥離剤の成分は、アルカリ金属水酸化物が０．０５ｍоｌ／Ｌ～５ｍоｌ／Ｌ、芳香族アルコール及び／又はグリコールであるアルコールが０．０５ｍоｌ／Ｌ～８ｍоｌ／Ｌ、環状化合物が０．００５ｍоｌ／Ｌ～１．０ｍоｌ／Ｌ、残部は水であることを特徴とする。
【００１０】
本件出願に係るレジスト剥離剤に含まれるアルカリ金属水酸化物は、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム及び水酸化リチウムから選択される一種以上であり、アルコールは、フェノキシエタノール、ベンジルアルコール、フェネチルアルコール、エチレングリコール、トリエチレングリコール及びジエチレングリコールモノブチルエーテルから選択される一種以上であり、環状化合物は、α－シクロデキストリン、β－シクロデキストリン、γ－シクロデキストリン、１２－クラウン－４－エーテル、１５－クラウン－５－エーテル、１８－クラウン－６－エーテル及び２４－クラウン－８－エーテルから選択される一種以上であることが好ましい。
（【００１１】以降は省略されています）

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