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公開番号2025129552
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-09-05
出願番号2024026255
出願日2024-02-26
発明の名称電気光学装置および電子機器
出願人セイコーエプソン株式会社
代理人個人,個人,個人
主分類G09F 9/30 20060101AFI20250829BHJP(教育;暗号方法;表示;広告;シール)
要約【課題】光リーク電流を低減できる電気光学装置を提供する。
【解決手段】画素電極と、前記画素電極と離隔され、第1層、第2層、および第3層を有する配線と、前記画素電極に対応し、少なくとも一部が平面視において前記配線と重なるトランジスターと、前記トランジスターと前記配線との間の層に設けられ、前記トランジスターと電気的に接続され、かつ、少なくとも一部が平面視において前記配線と重なるデータ線と、を有し、前記第2層は、前記第1層と前記第3層との間に設けられ、前記第1層よりも小さい光反射率を有し、前記第3層は、前記第1層および前記第2層よりも前記トランジスター側に設けられ、前記第1層よりも小さい光反射率を有し、かつ、前記第2層と材質が異なる、電気光学装置。
【選択図】図5
特許請求の範囲【請求項１】
画素電極と、
前記画素電極と離隔され、第１層、第２層、および第３層を有する配線と、
前記画素電極に対応し、少なくとも一部が平面視において前記配線と重なるトランジスターと、
前記トランジスターと前記配線との間の層に設けられ、前記トランジスターと電気的に接続され、かつ、少なくとも一部が平面視において前記配線と重なるデータ線と、
を有し、
前記第２層は、前記第１層と前記第３層との間に設けられ、前記第１層よりも小さい光反射率を有し、
前記第３層は、前記第１層および前記第２層よりも前記トランジスター側に設けられ、前記第１層よりも小さい光反射率を有し、かつ、前記第２層と材質が異なる、電気光学装置。
続きを表示（約 720 文字）【請求項２】
請求項１において、
前記配線には、定電位が印可される、電気光学装置。
【請求項３】
請求項１において、
前記第２層の反射率は、前記第３層の反射率よりも小さい、電気光学装置。
【請求項４】
請求項１において、
前記第３層の反射率は、前記第２層の反射率よりも小さい、電気光学装置。
【請求項５】
請求項３において、
前記第２層の厚さは、前記第３層の厚さよりも大きい、電気光学装置。
【請求項６】
請求項１において、
前記データ線を覆う第１絶縁層と、
前記第１絶縁層に設けられた中継電極と、
前記第１絶縁層に設けられ、前記中継電極を覆う第２絶縁層と、
を有し、
前記配線は、前記中継電極と離隔されて前記第１絶縁層に設けられ、
前記第２絶縁層は、前記配線を覆い、
前記画素電極は、前記第２絶縁層に設けられ、
前記中継電極は、前記第２絶縁層を貫通するコンタクトによって前記画素電極と接続されている、電気光学装置。
【請求項７】
請求項３において、
前記第１層は、Ａｌ層であり、
前記第２層は、ＴｉＮ層であり、
前記第３層は、Ｔｉ層である、電気光学装置。
【請求項８】
請求項４において、
前記第１層は、Ａｌ層であり、
前記第２層は、Ｔｉ層であり、
前記第３層は、ＴｉＮ層である、電気光学装置。
【請求項９】
請求項１ないし８のいずれか１項に記載の電気光学装置を有する、電子機器。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、電気光学装置および電子機器に関する。
続きを表示（約 1,500 文字）【背景技術】
【０００２】
電気光学装置の１つとして、画素電極をスイッチング制御するトランジスターを画素ごとに有するアクティブ駆動型の液晶装置が知られている。
【０００３】
例えば特許文献１には、画素電極と、トランジスターと、ＴｉＮより形成された低反射膜およびＡｌを含む遮光幕を積層してなるシールド層と、を備えた電気光学装置が記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
特開２０１３－６５０３４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
液晶装置では、受光型であることから表示を見やすくするために照明装置が用いられる。照明装置からの光がトランジスターに入射すると、トランジスターの半導体層が入射光により励起され、光リーク電流が生じる。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明に係る電気光学装置の一態様は、
画素電極と、
前記画素電極と離隔され、第１層、第２層、および第３層を有する配線と、
前記画素電極に対応し、少なくとも一部が平面視において前記配線と重なるトランジスターと、
前記トランジスターと前記配線との間の層に設けられ、前記トランジスターと電気的に接続され、かつ、少なくとも一部が平面視において前記配線と重なるデータ線と、
を有し、
前記第２層は、前記第１層と前記第３層との間に設けられ、前記第１層よりも小さい光反射率を有し、
前記第３層は、前記第１層および前記第２層よりも前記トランジスター側に設けられ、前記第１層よりも小さい光反射率を有し、かつ、前記第２層と材質が異なる。
【０００７】
本発明に係る電子機器の一態様は、
前記電気光学装置の一態様を有する。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
本実施形態に係る電気光学装置を模式的に示す平面図。
本実施形態に係る電気光学装置を模式的に示す断面図。
本実施形態に係る電気光学装置の電気的な構成を示す等価回路図。
本実施形態に係る電気光学装置の画素の配置を説明するための平面図。
本実施形態に係る電気光学装置を模式的に示す断面図。
本実施形態に係る電気光学装置を模式的に示す断面図。
本実施形態に係る電気光学装置を模式的に示す断面図。
本実施形態に係る電子機器を説明するための図。
シミュレーションに用いたモデルを説明するための図。
シミュレーションに用いたターゲット層の構成、およびシミュレーションの結果を示す表。
シミュレーションの結果を示すグラフ。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下、本発明の好適な実施形態について、図面を用いて詳細に説明する。なお、以下に説明する実施形態は、特許請求の範囲に記載された本発明の内容を不当に限定するものではない。また、以下で説明される構成の全てが本発明の必須構成要件であるとは限らない。
【００１０】
１．電気光学装置
１．１．全体の構成
まず、本実施形態に係る電気光学装置としての液晶装置１００について、図面を参照しながら説明する。図１は、本実施形態に係る液晶装置１００を模式的に示す平面図である。図２は、本実施形態に係る液晶装置１００を模式的に示す図１のＩＩ－ＩＩ線断面図である。なお、図１および図２では、互いに直交する３軸として、Ｘ軸、Ｙ軸、およびＺ軸を図示している。
（【００１１】以降は省略されています）

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