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公開番号2025133140
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-09-11
出願番号2024030897
出願日2024-03-01
発明の名称半導体装置の製造方法
出願人三菱電機株式会社
代理人個人,個人
主分類H01L 21/673 20060101AFI20250904BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】半導体基板を適切に搬送可能な技術を提供することを目的とする。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、加工を行う工程と、搬送する工程とを備える。加工を行う工程では、炭化珪素からなり直径Wが200mm以上である半導体基板に、半導体素子を形成するための加工を行う。搬送する工程では、加工の前及び後の少なくともいずれか一方において、最大で25枚の半導体基板を収容可能な搬送キャリアであるFOUPに半導体基板を収容して搬送する。
【選択図】図1
特許請求の範囲【請求項１】
炭化珪素からなり直径Ｗが２００ｍｍ以上である半導体基板を準備する工程と、
前記半導体基板に半導体素子を形成するための加工を行う工程と、
前記加工の前及び後の少なくともいずれか一方において、最大で２５枚の前記半導体基板を収容可能な搬送キャリアであるＦＯＵＰに前記半導体基板を収容して搬送する工程と
を備える、半導体装置の製造方法。
続きを表示（約 1,500 文字）【請求項２】
請求項１に記載の半導体装置の製造方法であって、
前記加工は、
前記半導体基板に複数の不純物領域を形成する工程と、
前記半導体基板の第１主面に保護膜を形成する工程と、
前記保護膜を形成した後の前記半導体基板の前記第１主面と逆側の第２主面を研削する工程と
の少なくともいずれか１つを含む、半導体装置の製造方法。
【請求項３】
請求項２に記載の半導体装置の製造方法であって、
前記保護膜はガラス板である、半導体装置の製造方法。
【請求項４】
請求項２に記載の半導体装置の製造方法であって、
前記保護膜はテープである、半導体装置の製造方法。
【請求項５】
請求項１に記載の半導体装置の製造方法であって、
前記ＦＯＵＰは、
第１方向に向いて開口し、前記半導体基板の出し入れが行われる開口部を有する筐体と、
前記筐体の内側と接続され、前記第１方向と直交する第２方向に１０ｍｍの間隔で配列された２５枚以下の複数の前記半導体基板の外周部を仕切って収容可能な仕切部と、
前記仕切部から前記第２方向に突出し、前記仕切部に収容された前記複数の半導体基板のそれぞれを前記第２方向に沿って支持可能な複数の支点と
を含み、
前記第２方向から視て、前記仕切部に収容された前記半導体基板の中心から、前記複数の支点のうち前記開口部に最も近い支点に向かう方向と、前記第１方向及び前記第２方向と直交する第３方向とがなす角度は、１３°以上４６°以下であり、
前記半導体基板の有効領域の直径Ｗ’について、Ｗ－１０ｍｍ＜Ｗ’＜Ｗが成り立ち、
前記複数の支点のうち前記半導体基板を支持可能な支点同士の間の、前記第３方向における距離は、Ｗ×ｃｏｓ４６°ｍｍより大きくＷ×ｃｏｓ１３°ｍｍ未満である、半導体装置の製造方法。
【請求項６】
請求項５に記載の半導体装置の製造方法であって、
前記仕切部は、第１仕切部と、前記第１仕切部に対して前記開口部と逆側に位置する第２仕切部とを含み、
前記複数の支点のうち前記開口部に最も近い支点は、前記第１仕切部から突出し、
前記複数の支点のうち前記開口部から最も遠い支点は、前記第２仕切部から突出する、半導体装置の製造方法。
【請求項７】
請求項５または請求項６に記載の半導体装置の製造方法であって、
前記第２方向から視て、前記仕切部に収容された前記半導体基板の中心から、前記複数の支点のうち前記開口部から最も遠い支点に向かう方向と、前記第３方向とがなす角度は、１３°以上４６°以下である、半導体装置の製造方法。
【請求項８】
請求項５または請求項６に記載の半導体装置の製造方法であって、
前記複数の支点のうち前記開口部に最も近い支点は、前記複数の支点のうち前記開口部から最も遠い支点よりも前記第２方向において高い、半導体装置の製造方法。
【請求項９】
請求項５または請求項６に記載の半導体装置の製造方法であって、
前記第１方向から視て、前記複数の支点のうち第１組の支点の先端は、前記複数の支点のうち前記第１組の支点よりも内側の第２組の支点の先端よりも高い、半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
請求項５または請求項６に記載の半導体装置の製造方法であって、
前記複数の支点は、前記仕切部に収容された前記半導体基板と面接触する、半導体装置の製造方法。
（【請求項１１】以降は省略されています）
発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本開示は、半導体装置の製造方法に関する。
続きを表示（約 2,100 文字）【背景技術】
【０００２】
Ｓｉ（珪素）からなる半導体装置よりも低損失であり、高信頼性が期待できるＳｉＣ（炭化珪素）からなる半導体装置への切り替え進んでいる。Ｓｉからなる半導体装置は、Ｓｉ半導体基板から製造され、ＳｉＣからなる半導体装置は、ＳｉＣ半導体基板から製造される。Ｓｉ半導体基板、及び、ＳｉＣ半導体基板は、搬送キャリア（搬送容器ともいう）に収容された状態で処理装置間を搬送され、処理装置毎に異なる処理が行われることによって、半導体基板に半導体素子が形成される（例えば特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
特開２０１２－１４２６２０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ＳｉＣ半導体基板は、Ｓｉ半導体基板と素材が異なるだけでなく、厚みなどの形状が異なる場合があり、ＳｉＣ半導体基板の自重などによる反りなどの撓みの変形量が、Ｓｉ半導体基板の変形量よりも大きくなる場合がある。また、直径が２００ｍｍ以上であるＳｉＣ半導体基板において変形量が顕著となる。このため、搬送キャリアに、直径が２００ｍｍ以上である複数のＳｉＣ半導体基板を収容した状態で搬送すると、隣り合うＳｉＣ半導体基板同士が、搬送中に互いに接触して不具合が生じる可能性がある。
【０００５】
一方、従来技術では、ＳｉＣ半導体基板を収容及び搬送する搬送キャリアにＳＭＩＦ（Standard Mechanical Interface）が用いられる。しかしながら、ＳＭＩＦでは、ＳｉＣ半導体基板を収容する筐体が小さく、収容されるＳｉＣ半導体基板同士の間の距離が短いので、上記不具合によって２５枚の半導体基板を１単位として搬送することができず、製造性が悪いという問題があった。
【０００６】
そこで、本開示は、上記のような問題点に鑑みてなされたものであり、半導体基板を適切に搬送可能な技術を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本開示に係る半導体装置の製造方法は、炭化珪素からなり直径Ｗが２００ｍｍ以上である半導体基板を準備する工程と、前記半導体基板に半導体素子を形成するための加工を行う工程と、前記加工の前及び後の少なくともいずれか一方において、最大で２５枚の前記半導体基板を収容可能な搬送キャリアであるＦＯＵＰに前記半導体基板を収容して搬送する工程とを備える。
【発明の効果】
【０００８】
本開示によれば、炭化珪素からなり直径Ｗが２００ｍｍ以上である最大で２５枚の半導体基板を収容可能なＦＯＵＰに、半導体基板を収容して搬送する。このような構成によれば、半導体基板を適切に搬送することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
実施の形態１に係る半導体装置の製造方法で用いられるＦＯＵＰの構成を示す上面図である。
実施の形態１に係る半導体装置の製造方法で用いられるＦＯＵＰの一部の構成を示す断面図である。
実施の形態１に係る半導体装置の製造方法で用いられるＦＯＵＰの構成を示す上面図である。
実施の形態１に係る半導体装置の製造方法で用いられるＦＯＵＰの構成を示す上面図である。
実施の形態１に係る半導体装置の製造方法を示すフローチャートである。
実施の形態１に係る半導体装置の製造方法を示すフローチャートである。
実施の形態１に係る半導体装置の製造方法を示す断面図である。
実施の形態１に係る半導体装置の半導体基板の撓み量を示す二次元マップである。
実施の形態１に係る半導体装置の半導体基板の撓み量を示す二次元マップである。
実施の形態１に係る上部支点及び下部支点の角度と、ＦＯＵＰに収容された半導体基板の最大撓み量との関係を示す図である。
実施の形態２に係る半導体装置の製造方法で用いられるＦＯＵＰの構成の一部を示す断面図である。
実施の形態３に係る半導体装置の製造方法で用いられるＦＯＵＰの構成の一部を示す断面図である。
実施の形態４に係る半導体装置の製造方法で用いられるＦＯＵＰの構成の一部を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、添付される図面を参照しながら実施の形態について説明する。以下の各実施の形態で説明される特徴は例示であり、すべての特徴は必ずしも必須ではない。また、以下に示される説明では、複数の実施の形態において同様の構成要素には同じまたは類似する符号を付し、異なる構成要素について主に説明する。また、以下に記載される説明において、「上」、「下」、「左」、「右」などの特定の位置及び方向は、実際の実施時の位置及び方向とは必ず一致しなくてもよい。
（【００１１】以降は省略されています）

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