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公開番号2025154091
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-10-10
出願番号2024056900
出願日2024-03-29
発明の名称セラミック電子部品
出願人太陽誘電株式会社
代理人個人
主分類H01G 4/30 20060101AFI20251002BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】低電圧で高周波数の領域で静電容量を高めることができるセラミック電子部品を提供する。
【解決手段】セラミック電子部品は、複数の誘電体層と複数の内部電極層とが積層された積層部分を含む積層チップを備え、前記複数の内部電極層は、前記積層チップの対向する2端面に交互に引き出され、前記積層チップは、前記複数の内部電極層が互いに対向する第1方向と、前記2端面が互いに対向する第2方向と、に直交する第3方向において、前記複数の誘電体層と前記複数の内部電極層とが対向する領域である容量部の外側にサイドマージンを備え、前記複数の内部電極層は、300層以上設けられており、前記複数の内部電極層の厚さは、前記複数の誘電体層の厚さの1.5倍以上である。
【選択図】図7

特許請求の範囲【請求項１】
複数の誘電体層と複数の内部電極層とが積層された積層部分を含む積層チップを備え、
前記複数の内部電極層は、前記積層チップの対向する２端面に交互に引き出され、
前記積層チップは、前記複数の内部電極層が互いに対向する第１方向と、前記２端面が互いに対向する第２方向と、に直交する第３方向において、前記複数の誘電体層と前記複数の内部電極層とが対向する領域である容量部の外側にサイドマージンを備え、
前記複数の内部電極層は、３００層以上設けられており、
前記複数の内部電極層の厚さは、前記複数の誘電体層の厚さの１．５倍以上である、セラミック電子部品。
続きを表示（約 1,100 文字）【請求項２】
前記複数の誘電体層において、前記容量部の前記第３方向における寸法のそれぞれ外側の１０％の領域を外側領域とし、残りの８０％の領域を内側領域とした場合に、前記内側領域におけるセラミックグレイン粒度分布のＤ５０％粒径よりも、前記外側領域におけるセラミックグレイン粒度分布のＤ５０％粒径の方が大きい、請求項１に記載のセラミック電子部品。
【請求項３】
前記複数の誘電体層において、前記容量部の前記第３方向における寸法のそれぞれ外側の１０％の領域を外側領域とし、残りの８０％の領域を内側領域とした場合に、前記内側領域におけるセラミックグレイン粒度分布のＤ５０％粒径は、５０ｎｍ以上２００ｎｍ以下である、請求項１に記載のセラミック電子部品。
【請求項４】
前記複数の誘電体層において、前記容量部の前記第３方向における寸法のそれぞれ外側の１０％の領域を外側領域とし、残りの８０％の領域を内側領域とした場合に、前記内側領域におけるセラミックグレイン粒度分布のＤ９０％粒径は、３００ｎｍ以下である、請求項１に記載のセラミック電子部品。
【請求項５】
前記容量部における前記複数の誘電体層のＳｉ／Ｔｉ元素数比よりも、前記サイドマージンにおけるＳｉ／Ｔｉ元素数比の方が大きい、請求項１に記載のセラミック電子部品。
【請求項６】
前記サイドマージンにおけるＳｉ／Ｔｉ元素数比は、０．０１以上である、請求項５に記載のセラミック電子部品。
【請求項７】
前記第２方向において前記積層チップの前記容量部よりも外側の領域であって、前記２端面のうち一方の端面に引き出された内部電極層同士が、他方の端面に引き出された内部電極層を介さずに対向する領域をエンドマージンとし、
前記容量部における前記複数の誘電体層のＳｉ／Ｔｉ元素数比よりも、前記エンドマージンにおけるＳｉ／Ｔｉ元素数比の方が大きい、請求項１に記載のセラミック電子部品。
【請求項８】
前記エンドマージンにおけるＳｉ／Ｔｉ元素数比は、０．０１以上である、請求項７に記載のセラミック電子部品。
【請求項９】
前記セラミック電子部品は、０６０３形状以上のサイズを有する、請求項１に記載のセラミック電子部品。
【請求項１０】
前記複数の内部電極層は、５００層以上設けられており、
前記セラミック電子部品は、１００５形状以上のサイズを有する、請求項１に記載のセラミック電子部品。
（【請求項１１】以降は省略されています）
発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、セラミック電子部品に関する。
続きを表示（約 1,300 文字）【背景技術】
【０００２】
積層セラミックコンデンサなどのセラミック電子部品は、内部電極層が誘電体層を挟んで積層された構造を有している（例えば、特許文献１～３参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
特開２０１４－２０４１１７号公報
米国特許公開第２０２２／０１５７５３０号
特開２０２２－０７３９５５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
一般に、誘電体層において、グレイン径が大きいほど誘電率が高くなり、誘電率が高いほどセラミック電子部品全体の静電容量を高くすることができる。しかしながら、高誘電率の誘電体は、低電圧かつ高周波数の領域では、低誘電率の誘電体に静電容量を逆転されることがある。
【０００５】
本発明は、上記課題に鑑みなされたものであり、低電圧で高周波数の領域で静電容量を高めることができるセラミック電子部品を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明に係るセラミック電子部品は、複数の誘電体層と複数の内部電極層とが積層された積層部分を含む積層チップを備え、前記複数の内部電極層は、前記積層チップの対向する２端面に交互に引き出され、前記積層チップは、前記複数の内部電極層が互いに対向する第１方向と、前記２端面が互いに対向する第２方向と、に直交する第３方向において、前記複数の誘電体層と前記複数の内部電極層とが対向する領域である容量部の外側にサイドマージンを備え、前記複数の内部電極層は、３００層以上設けられており、前記複数の内部電極層の厚さは、前記複数の誘電体層の厚さの１．５倍以上である。
【０００７】
上記セラミック電子部品の前記複数の誘電体層において、前記容量部の前記第３方向における寸法のそれぞれ外側の１０％の領域を外側領域とし、残りの８０％の領域を内側領域とした場合に、前記内側領域におけるセラミックグレイン粒度分布のＤ５０％粒径よりも、前記外側領域におけるセラミックグレイン粒度分布のＤ５０％粒径の方が大きくてもよい。
【０００８】
上記セラミック電子部品の複数の誘電体層において、前記容量部の前記第３方向における寸法のそれぞれ外側の１０％の領域を外側領域とし、残りの８０％の領域を内側領域とした場合に、前記内側領域におけるセラミックグレイン粒度分布のＤ５０％粒径は、５０ｎｍ以上２００ｎｍ以下であってもよい。
【０００９】
上記セラミック電子部品の前記複数の誘電体層において、前記容量部の前記第３方向における寸法のそれぞれ外側の１０％の領域を外側領域とし、残りの８０％の領域を内側領域とした場合に、前記内側領域におけるセラミックグレイン粒度分布のＤ９０％粒径は、３００ｎｍ以下であってもよい。
【００１０】
上記セラミック電子部品において、前記容量部における前記複数の誘電体層のＳｉ／Ｔｉ元素数比よりも、前記サイドマージンにおけるＳｉ／Ｔｉ元素数比の方が大きくてもよい。
（【００１１】以降は省略されています）

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