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公開番号2025120354
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-08-15
出願番号2025096515,2024007126
出願日2025-06-10,2021-09-17
発明の名称発光装置
出願人日亜化学工業株式会社
代理人
主分類H01S 5/0239 20210101AFI20250807BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】小型の発光装置を実現できる。
【解決手段】上面を有する基体と、第1側面と第1側面の反対側の側面である第2側面とを有し、基体の上面において第1側面が第1方向に並べて配置され、第1方向の長さよりも上面視で第1方向に垂直な第2方向の長さの方が大きい、複数のサブマウントと、それぞれが、光出射面を有し、光出射面が第2側面よりも第1側面に近い位置で、互いに異なるサブマウントに配置される、複数の半導体レーザ素子と、それぞれが、第2側面までの距離が、半導体レーザ素子から第2側面までの距離よりも短い位置で、互いに異なるサブマウントに配置される、複数の保護素子と、を備える、発光装置。
【選択図】図4
特許請求の範囲【請求項１】
上面と、第１配線部と、第２配線部と、を有する基体と、
上面と、第１側面と、前記第１側面の反対側の側面である第２側面と、前記上面に設けられる第１配置領域及び第２配置領域と、を有し、前記基体の上面において前記第１側面が第１方向に並べて配置され、前記第１方向の長さよりも上面視で前記第１方向に垂直な第２方向の長さの方が大きい、複数のサブマウントと、
それぞれが、光出射面を有し、前記光出射面が前記第２側面よりも前記第１側面に近い位置で、互いに異なる前記サブマウントの前記第１配置領域に配置される、複数の半導体レーザ素子と、
それぞれが、互いに異なる前記サブマウントの前記第２配置領域に配置される、複数の保護素子と、
複数の配線と、
を備え、
前記第１配置領域は、上面視で前記第１側面の中心を通る前記第２方向に平行な仮想線が通過する位置に設けられ、
前記複数の半導体レーザ素子は、出射される光のピーク波長が互いに異なる第１半導体レーザ素子及び第２半導体レーザ素子を含み、また、上面視で、前記第１配線部と前記第２配線部の間に配置され、
前記複数の配線には、前記第１半導体レーザ素子と電気的に接続する１または複数の第１配線、及び、前記第２半導体レーザ素子と電気的に接続する１または複数の第２配線、が含まれ、
前記１または複数の第１配線には、少なくとも前記第１半導体レーザ素子が配置される前記サブマウントと、前記第１配線部とに接合する前記第１配線が含まれ、
前記１または複数の第２配線には、少なくとも前記第２半導体レーザ素子が配置される前記サブマウントと、前記第２配線部とに接合する前記第２配線が含まれ、
前記複数の保護素子は、前記第１半導体レーザ素子が配置される前記サブマウントに配置される第１保護素子と、前記第２半導体レーザ素子が配置される前記サブマウントに配置される第２保護素子と、を含み、
前記第１保護素子は、前記第１方向の長さの中心が、前記第１半導体レーザ素子が配置される前記サブマウントに基づく前記仮想線から前記第１方向に離れた位置に配置され、
前記第２保護素子は、前記第１方向の長さの中心が、前記第２半導体レーザ素子が配置される前記サブマウントに基づく前記仮想線から前記第１方向に離れた位置に配置される、発光装置。
続きを表示（約 1,600 文字）【請求項２】
上面と、第１配線部と、第２配線部と、を有する基体と、
上面と、第１側面と、前記第１側面の反対側の側面である第２側面と、前記上面に設けられる第１配置領域及び第２配置領域と、を有し、前記基体の上面において前記第１側面が第１方向に並べて配置され、前記第１方向の長さよりも上面視で前記第１方向に垂直な第２方向の長さの方が大きい、複数のサブマウントと、
それぞれが、光出射面を有し、前記光出射面が前記第２側面よりも前記第１側面に近い位置で、互いに異なる前記サブマウントの前記第１配置領域に配置される、複数の半導体レーザ素子と、
それぞれが、互いに異なる前記サブマウントの前記第２配置領域に配置される、複数の保護素子と、
複数の配線と、
を備え、
前記第１配置領域は、上面視で前記第１側面の中心を通る前記第２方向に平行な仮想線が通過する位置に設けられ、
前記複数の半導体レーザ素子は、出射される光のピーク波長が互いに異なる第１半導体レーザ素子及び第２半導体レーザ素子を含み、また、上面視で、前記第１配線部と前記第２配線部の間に配置され、
前記複数の配線には、前記第１半導体レーザ素子と電気的に接続する１または複数の第１配線、及び、前記第２半導体レーザ素子と電気的に接続する１または複数の第２配線、が含まれ、
前記１または複数の第１配線には、少なくとも前記第１半導体レーザ素子が配置される前記サブマウントと、前記第１配線部とに接合する前記第１配線が含まれ、
前記１または複数の第２配線には、少なくとも前記第２半導体レーザ素子が配置される前記サブマウントと、前記第２配線部とに接合する前記第２配線が含まれ、
前記複数の保護素子は、前記第１半導体レーザ素子が配置される前記サブマウントに配置される第１保護素子と、前記第２半導体レーザ素子が配置される前記サブマウントに配置される第２保護素子と、を含み、
前記第１保護素子は、前記第１方向の長さの中心が、前記第１半導体レーザ素子が配置される前記サブマウントに基づく前記仮想線から前記第１方向に離れた位置に配置され、
前記第２保護素子は、前記第１方向の長さの中心が、前記第２半導体レーザ素子が配置される前記サブマウントに基づく前記仮想線から前記第１方向と反対の方向に離れた位置に配置される、発光装置。
【請求項３】
前記複数のサブマウントは、前記第１方向に５０μｍ以上３００μｍ以下の間隔をあけて配置される、請求項１または２に記載の発光装置。
【請求項４】
前記複数のサブマウントのうちの少なくとも一つのサブマウントの前記第１方向の長さは、前記複数のサブマウントにおける隣り合うサブマウント間の間隔の最小値の２．５倍以上５倍以下である、請求項１乃至３のいずれか一項に記載の発光装置。
【請求項５】
前記第１半導体レーザ素子が配置される前記サブマウントにおいて、前記第１配置領域と前記第２配置領域は、互いに離隔しているか、あるいは、一部で繋がった１つの配置領域である、請求項１乃至４のいずれか一項に記載の発光装置。
【請求項６】
前記第２半導体レーザ素子が配置される前記サブマウントにおいて、前記第１配置領域と前記第２配置領域は、互いに離隔しているか、あるいは、一部で繋がった１つの配置領域である、請求項１乃至５のいずれか一項に記載の発光装置。
【請求項７】
前記複数のサブマウントは、５以上のサブマウントを含む、請求項１乃至６のいずれか一項に記載の発光装置。
【請求項８】
前記複数の半導体レーザ素子は、前記基体の上面に垂直な方向を速軸方向とする光を出射し、遅軸方向の拡がり角が２０度以下である、請求項１乃至７のいずれか一項に記載の発光装置。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、発光装置に関する。
続きを表示（約 2,000 文字）【背景技術】
【０００２】
特許文献１には、レーザ素子と、レーザ素子に電気的に接続されたツェナーダイオードとが、サブマウントの上方に配置された半導体レーザ装置が開示されている。また、ツェナーダイオードを配置することで、レーザ素子をサージ電圧等から保護することができる旨も開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
特開２０１９－１６９６４４
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
１の発光装置において、半導体レーザ素子及び保護素子が配置されたサブマウントを複数実装したい場合がある。また、小型の発光装置を求めるニーズがある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
実施形態に開示される発光装置は、上面を有する基体と、第１側面と前記第１側面の反対側の側面である第２側面とを有し、前記基体の上面において前記第１側面が第１方向に並べて配置され、前記第１方向の長さよりも上面視で前記第１方向に垂直な第２方向の長さの方が大きい、複数のサブマウントと、それぞれが、光出射面を有し、前記光出射面が前記第２側面よりも前記第１側面に近い位置で、互いに異なる前記サブマウントに配置される、複数の半導体レーザ素子と、それぞれが、前記第２側面までの距離が、前記半導体レーザ素子から前記第２側面までの距離よりも短い位置で、互いに異なる前記サブマウントに配置される、複数の保護素子と、を備える。
【０００６】
実施形態によって開示される１または複数の発明の少なくとも一つにおいて、それぞれに半導体レーザ素子及び保護素子が配置される複数のサブマウントが実装された小型の発光装置を実現できるという効果が期待される。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
図１は、各実施形態に係る発光装置の斜視図である。
図２は、各実施形態に係る発光装置の上面図である。
図３は、図２のIII-III断面線における第１実施形態に係る発光装置の断面図である。
図４は、第１実施形態に係る発光装置において、内部に配置される各構成要素を説明するための上面図である。
図５は、実施形態に係るサブマウント（第１サブマウント）の上面図である。
図６は、実施形態に係るサブマウント（第１サブマウント）に他の構成要素が配置された状態における上面図である。
図７は、図２のVII-VII断面線における第２実施形態に係る発光装置の断面図である。
図８は、第２実施形態に係る発光装置において、内部に配置される各構成要素を説明するための上面図である。
図９は、図２のIX-IX断面線における第３実施形態に係る発光装置の断面図である。
図１０は、第３実施形態に係る発光装置において、内部に配置される各構成要素を説明するための上面図である。
図１１は、実施形態に係る第２サブマウントの上面図である。
図１２は、実施形態に係る第２サブマウントに他の構成要素が配置された状態における上面図である。
図１３は、図２のXIII-XIII断面線における第４実施形態に係る発光装置の断面図である。
図１４は、第４実施形態に係る発光装置において、内部に配置される各構成要素を説明するための上面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
本明細書または特許請求の範囲において、三角形や四角形などの多角形に関しては、多角形の隅に角丸め、面取り、角取り、丸取り等の加工が施された形状も含めて、多角形と呼ぶものとする。また、隅（辺の端）に限らず、辺の中間部分に加工が施された形状も同様に、多角形と呼ぶものとする。つまり、多角形をベースに残しつつ、部分的な加工が施された形状は、本明細書及び特許請求の範囲で記載される“多角形”の解釈に含まれるものとする。
【０００９】
また、多角形に限らず、台形や円形や凹凸など、特定の形状を表す言葉についても同様である。また、その形状を形成する各辺を扱う場合も同様である。つまり、ある辺において、隅や中間部分に加工が施されていたとしても、“辺”の解釈には加工された部分も含まれる。なお、部分的な加工のない“多角形”や“辺”を、加工された形状と区別する場合は“厳密な”を付して、例えば、“厳密な四角形”などと記載するものとする。
【００１０】
また、本明細書または特許請求の範囲において、上下、左右、表裏、前後、手前と奥などの記載は、相対的な位置、向き、方向などの関係を述べるに過ぎず、使用時における関係と一致していなくてもよい。
（【００１１】以降は省略されています）

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