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公開番号2025120540
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-08-18
出願番号2024015377
出願日2024-02-05
発明の名称研磨装置、及びSiCウェーハの研磨方法
出願人株式会社ディスコ
代理人インフォート弁理士法人
主分類H01L 21/304 20060101AFI20250808BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】SiCウェーハの両面を研磨する研磨装置において、効率的な研磨加工を行って総加工時間を短縮する。
【解決手段】SiCウェーハ(W)を保持するチャックテーブル(31、32)と、チャックテーブルを少なくとも2つ配置したターンテーブル(30)と、チャックテーブルに保持されたSiCウェーハを研磨パッド(47)で研磨する研磨機構(40)と、を備え、ターンテーブルを回転させ研磨パッドで研磨加工する研磨位置に位置付けSiCウェーハを研磨する研磨装置であって、研磨位置に位置付けたチャックテーブルに保持されたSiCウェーハを研磨加工しているときに、研磨位置に位置付けられていないチャックテーブルに保持されたSiCウェーハのC面をC面研磨パッド(58)で研磨するC面研磨機構(50)を備え、研磨機構とC面研磨機構とによってSiCウェーハの両面を研磨する。
【選択図】図1
特許請求の範囲【請求項１】
ＳｉＣウェーハを保持するチャックテーブルと、該チャックテーブルを少なくとも２つ配置したターンテーブルと、該チャックテーブルに保持されたＳｉＣウェーハを研磨パッドで研磨する研磨機構と、を備え、該ターンテーブルを回転させ該研磨パッドで研磨加工する研磨位置に位置付けＳｉＣウェーハを研磨する研磨装置であって、
該研磨機構の該研磨位置に位置付けた少なくとも一方の該チャックテーブルに保持されたＳｉＣウェーハを研磨加工しているときに、
該研磨位置に位置付けられていない該チャックテーブルに保持されたＳｉＣウェーハのＣ面をＣ面研磨パッドで研磨するＣ面研磨機構を備え、
該研磨機構と該Ｃ面研磨機構とによってＳｉＣウェーハの両面を研磨する研磨装置。
続きを表示（約 570 文字）【請求項２】
該チャックテーブルに対してＳｉＣウェーハを搬入及び搬出する搬送機構を備える、請求項１記載の研磨装置。
【請求項３】
該研磨位置に位置付けられていない該チャックテーブルに保持されたＳｉＣウェーハの上下面を反転させる反転機構を備える、請求項１または請求項２記載の研磨装置。
【請求項４】
ＳｉＣウェーハの両面を研磨するＳｉＣウェーハの研磨方法であって、
ターンテーブルに配設された少なくとも２つのチャックテーブルのうちの一方のチャックテーブルに保持された第１のＳｉＣウェーハのＳｉ面を研磨パッドで研磨している間に、
他方のチャックテーブルに第２のＳｉＣウェーハのＣ面を上にして保持させる第１保持工程と、
該第２のＳｉＣウェーハのＣ面をＣ面研磨パッドで研磨するＣ面研磨工程と、
該第２のＳｉＣウェーハを該他方のチャックテーブルから離し、反転して、該第２のＳｉＣウェーハのＳｉ面を上にして該他方のチャックテーブルに保持させる第２保持工程と、を少なくとも実施する、
ＳｉＣウェーハの研磨方法。
【請求項５】
該第１保持工程の前に、該他方のチャックテーブルから該第２のＳｉＣウェーハを搬出する搬出工程を含む、請求項４記載のＳｉＣウェーハの研磨方法。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＳｉＣウェーハを研磨する研磨装置及び研磨方法に関する。
続きを表示（約 1,700 文字）【背景技術】
【０００２】
ＳｉＣ（炭化ケイ素）を材料とするＳｉＣウェーハは、電流容量や耐熱性などの性質に優れることから、半導体デバイスなどの分野での利用が多くなっている。特許文献１、２及び３に開示のように、ＳｉＣウェーハの製造工程では、インゴットからスライスされた板状のスライスウェーハの両面を研削した後、両面を研磨している。ＳｉＣウェーハは、Ｓｉ原子で終端されたＳｉ面を一方の面に露出させ、Ｃ原子で終端されたＣ面を他方の面に露出させるように形成される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
特開２０２０－０２７８９５号公報
特開２０２２－０２８３６２号公報
特開２０２３－０７１２５４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ＳｉＣウェーハは、硬度や化学的な安定性が高く、研磨加工に多くの時間を要する。また、ＳｉＣウェーハのＳｉ面とＣ面は、機械的な性質や化学的な性質が大きく異なり、Ｓｉ面を研磨するのに要する時間が、Ｃ面を研磨するのに要する時間に比べて長くなる。ＳｉＣウェーハの研磨に要する時間は加工条件によって異なるが、一例として、Ｓｉ面の研磨には、Ｃ面の研磨の３倍程度の時間がかかっていた。そのため、研磨工程において、ＳｉＣウェーハのＳｉ面を研磨しているときに、次に研磨加工されるＳｉＣウェーハの待機時間が長くなり、生産性を向上させる余地があった。
【０００５】
したがって、ＳｉＣウェーハの両面を研磨する研磨装置は、次のＳｉＣウェーハが待機する時間を有効活用して、総加工時間を短縮することが求められている。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の一態様は、ＳｉＣウェーハを保持するチャックテーブルと、該チャックテーブルを少なくとも２つ配置したターンテーブルと、該チャックテーブルに保持されたＳｉＣウェーハを研磨パッドで研磨する研磨機構と、を備え、該ターンテーブルを回転させ該研磨パッドで研磨加工する研磨位置に位置付けＳｉＣウェーハを研磨する研磨装置であって、該研磨機構の該研磨位置に位置付けた少なくとも一方の該チャックテーブルに保持されたＳｉＣウェーハを研磨加工しているときに、該研磨位置に位置付けられていない該チャックテーブルに保持されたＳｉＣウェーハのＣ面をＣ面研磨パッドで研磨するＣ面研磨機構を備え、該研磨機構と該Ｃ面研磨機構とによってＳｉＣウェーハの両面を研磨することを特徴とする。
【０００７】
該チャックテーブルに対してＳｉＣウェーハを搬入及び搬出する搬送機構を備えてもよい。また、該研磨位置に位置付けられていない該チャックテーブルに保持されたＳｉＣウェーハの上下面を反転させる反転機構を備えてもよい。
【０００８】
本発明の一態様は、ＳｉＣウェーハの両面を研磨するＳｉＣウェーハの研磨方法であって、ターンテーブルに配設された少なくとも２つのチャックテーブルのうちの一方のチャックテーブルに保持された第１のＳｉＣウェーハのＳｉ面を研磨パッドで研磨している間に、他方のチャックテーブルに第２のＳｉＣウェーハのＣ面を上にして保持させる第１保持工程と、該第２のＳｉＣウェーハのＣ面をＣ面研磨パッドで研磨するＣ面研磨工程と、該第２のＳｉＣウェーハを該他方のチャックテーブルから離し、反転して、該第２のＳｉＣウェーハのＳｉ面を上にして該他方のチャックテーブルに保持させる第２保持工程と、を少なくとも実施する、ことを特徴とする。
【０００９】
該第１保持工程の前に、該他方のチャックテーブルから該第２のＳｉＣウェーハを搬出する搬出工程を含んでもよい。
【発明の効果】
【００１０】
本発明の研磨装置によれば、研磨機構によってＳｉＣウェーハのＳｉ面を研磨する間に、Ｃ面研磨機構によって次のＳｉＣウェーハのＣ面を研磨することができ、Ｓｉ面の研磨にかかる時間を有効活用して総加工時間を短縮することができる。
（【００１１】以降は省略されています）

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