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公開番号2025112797
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-08-01
出願番号2024007269
出願日2024-01-22
発明の名称ウエーハの加工方法
出願人株式会社ディスコ
代理人弁理士法人愛宕綜合特許事務所
主分類H01L 21/304 20060101AFI20250725BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】第一のウエーハと第二のウエーハとを接合した接合ウエーハにおける第一のウエーハに加工を施す場合において、第一のウエーハの面取り部を適切に除去することができるウエーハの加工方法を提供する。
【解決手段】第一のウエーハ10Aと第二のウエーハ10Bとを接合力が比較的弱い仮接合した仮接合ウエーハWAを生成する仮接合ウエーハ生成工程と、仮接合ウエーハWAの第一のウエーハ10Aの外周に形成された面取り部17Aに隣接した内側にレーザー光線LBを照射して改質層100を形成する改質層形成工程と、改質層100を起点として第一のウエーハ10Aの面取り部17Aを除去する面取り部除去工程と、第一のウエーハ10Aの面取り部17Aが除去された仮接合ウエーハWAをアニール処理して接合力を高めた本接合ウエーハWBを生成する本接合ウエーハ生成工程と、該面取り部除去工程の後、該本接合ウエーハ生成工程の前又は後に第一のウエーハ10Aを研削して所望の厚みに仕上げる仕上げ研削工程と、を含み構成される。
【選択図】図8
特許請求の範囲【請求項１】
第一のウエーハと第二のウエーハとを接合し第一のウエーハに加工を施すウエーハの加工方法であって、
第一のウエーハと第二のウエーハとを接合力が比較的弱い仮接合した仮接合ウエーハを生成する仮接合ウエーハ生成工程と、
仮接合ウエーハの第一のウエーハの外周に形成された面取り部に隣接した内側にレーザー光線を照射して改質層を形成する改質層形成工程と、
該改質層を起点として第一のウエーハの面取り部を除去する面取り部除去工程と、
第一のウエーハの面取り部が除去された仮接合ウエーハをアニール処理して接合力を高めた本接合ウエーハを生成する本接合ウエーハ生成工程と、
該面取り部除去工程の後、該本接合ウエーハ生成工程の前又は後に第一のウエーハを研削して所望の厚みに仕上げる仕上げ研削工程と、を含み構成されるウエーハの加工方法。
続きを表示（約 250 文字）【請求項２】
該仮接合ウエーハ生成工程の後、該改質層形成工程の前に第一のウエーハを研削して該改質層形成工程で照射されるレーザー光線の妨げとなる層を除去する前研削工程を実施する請求項１に記載のウエーハの加工方法。
【請求項３】
該第一のウエーハと該第二のウエーハはシリコンウエーハであり、
仮接合ウエーハは、ＳｉとＳｉとがＯＨで接合されたウエーハであり、
本接合ウエーハは、ＳｉとＳｉとがＯで接合されたウエーハである請求項１に記載のウエーハの加工方法。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、第一のウエーハと第二のウエーハとを接合し第一のウエーハに加工を施すウエーハの加工方法に関する。
続きを表示（約 2,600 文字）【背景技術】
【０００２】
ＩＣ、ＬＳＩ等の複数のデバイスが分割予定ラインによって区画され表面に形成されたウエーハは、裏面が研削されて所定の厚みに形成された後、ダイシング装置、レーザー加工装置によって個々のデバイスチップに分割され、携帯電話、パソコン等の電気機器に利用される。
【０００３】
また、ウエーハの外周には面取り部が形成されていて、ウエーハの裏面を研削すると、該面取り部が鋭利なナイフエッジとなり、該ナイフエッジからクラックが生じて内部に至り、中央寄りの領域に形成されたデバイスを損傷させたり、ナイフエッジとなった面取り部によってオペレータが怪我をしたりする等の問題があることから、ウエーハの面取り部を除去する技術が提案されている（特許文献１を参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
特開２０２０－０８８１８７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかし、デバイスの機能を向上させるために第一のウエーハと第二のウエーハとを接合して接合ウエーハを形成し、その後、該第一のウエーハを加工する技術において、第一のウエーハから面取り部を除去することが比較的困難であるという問題がある。
すなわち、
（１）シロキサン結合等によって接合されたウエーハは接合力が高く、第一のウエーハに対して透過性を有する波長のレーザー光線の集光点を面取り部に隣接する内側に位置付けて照射し、第一のウエーハの内部に改質層を形成しても面取り部を除去することが困難である。
（２）第一のウエーハと第二のウエーハとの密着性が高い状態で、（１）に示す改質層を形成して第一のウエーハの面取り部を除去しようとする場合、該改質層を形成する際のレーザー光線が第二のウエーハに達して、第二のウエーハを損傷させるおそれがある。
（３）切削ブレードを使用して面取り部を第一のウエーハから除去しようとしても、第二のウエーハに傷を付けることなく面取り部を除去することは困難である。
（４）第一のウエーハの裏面に凹凸がある場合又は膜が被覆されている場合、（１）に示す改質層を形成する工程を実施する際、レーザー光線が乱反射又は反射して適正な改質層を形成できず、その結果、面取り部が適正に除去できないという問題がある。
という問題がある。
【０００６】
本発明は、上記した（１）～（４）に示す問題を解決すべくなされたものであり、その主たる技術課題は、第一のウエーハと第二のウエーハとを接合した接合ウエーハにおける第一のウエーハに加工を施す場合において、第一のウエーハの面取り部を適切に除去することができるウエーハの加工方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記主たる技術課題を解決するため、本発明によれば、第一のウエーハと第二のウエーハとを接合し第一のウエーハに加工を施すウエーハの加工方法であって、第一のウエーハと第二のウエーハとを接合力が比較的弱い仮接合した仮接合ウエーハを生成する仮接合ウエーハ生成工程と、仮接合ウエーハの第一のウエーハの外周に形成された面取り部に隣接した内側にレーザー光線を照射して改質層を形成する改質層形成工程と、該改質層を起点として第一のウエーハの面取り部を除去する面取り部除去工程と、第一のウエーハの面取り部が除去された仮接合ウエーハをアニール処理して接合力を高めた本接合ウエーハを生成する本接合ウエーハ生成工程と、該面取り部除去工程の後、該本接合ウエーハ生成工程の前又は後に第一のウエーハを研削して所望の厚みに仕上げる仕上げ研削工程と、を含み構成されるウエーハの加工方法が提供される。
【０００８】
該仮接合ウエーハ生成工程の後、該改質層形成工程の前に第一のウエーハを研削して該改質層形成工程で照射されるレーザー光線の妨げとなる層を除去する前研削工程を実施することが好ましい。また、該第一のウエーハと該第二のウエーハはシリコンウエーハであり、仮接合ウエーハは、ＳｉとＳｉとがＯＨで接合されたウエーハであり、本接合ウエーハは、ＳｉとＳｉとがＯで接合されたウエーハであることが好ましい。
【発明の効果】
【０００９】
本発明のウエーハの加工方法は、第一のウエーハと第二のウエーハとを接合力が比較的弱い仮接合した仮接合ウエーハを生成する仮接合ウエーハ生成工程と、仮接合ウエーハの第一のウエーハの外周に形成された面取り部に隣接した内側にレーザー光線を照射して改質層を形成する改質層形成工程と、該改質層を起点として第一のウエーハの面取り部を除去する面取り部除去工程と、第一のウエーハの面取り部が除去された仮接合ウエーハをアニール処理して接合力を高めた本接合ウエーハを生成する本接合ウエーハ生成工程と、該面取り部除去工程の後、該本接合ウエーハ生成工程の前又は後に第一のウエーハを研削して所望の厚みに仕上げる仕上げ研削工程と、を含み構成されていることから、第一のウエーハと第二のウエーハとを接合した接合ウエーハにおける第一のウエーハに加工を施す場合において、第一のウエーハの面取り部を適切に除去することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
仮接合ウエーハ生成工程の実施態様を示す斜視図である。
仮接合ウエーハを研削装置のチャックテーブルに載置する態様を示す斜視図である。
前研削工程を実施する態様を示す斜視図である。
（ａ）改質層形成工程の実施態様を示す斜視図、（ｂ）（ａ）に示す改質層形成工程において改質層が形成される態様を示す一部拡大断面図である。
第一のウエーハ１０Ａに形成される放射状の改質層を示す平面図である。
面取り部除去工程の実施態様を示す斜視図である。
本接合ウエーハ生成工程の実施態様を示す斜視図である。
（ａ）仕上げ研削工程の際にチャックテーブルに本接合ウエーハを載置する態様を示す斜視図、（ｂ）仕上げ研削工程の実施態様を示す斜視図である。
【発明を実施するための形態】
（【００１１】以降は省略されています）

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