特許ウォッチ

公開番号2025115492
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-08-07
出願番号2024009968
出願日2024-01-26
発明の名称ウエーハの加工方法
出願人株式会社ディスコ
代理人弁理士法人愛宕綜合特許事務所
主分類H01L 21/304 20060101AFI20250731BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】バンプが所定の高さに加工されたウエーハの表面から容易にレジスト膜を剥離できるウエーハの加工方法を提供する。
【解決手段】ウエーハの加工方法は、保持手段とバイト手段とを含む加工装置を準備する準備工程と、ウエーハ2に水溶性樹脂を塗布してバンプ8とバンプ8の間に水溶性樹脂膜18’を形成する水溶性樹脂膜形成工程と、所定の高さに加工されるバンプ8の高さを超えるように水溶性樹脂膜18’に重ねてレジストを塗布してレジスト膜20’を形成するレジスト膜形成工程と、水溶性樹脂膜18’とレジスト膜20’が被覆された面を露出させてウエーハ2を保持手段に保持させる保持工程と、バイトを回転させてバンプ8の先端を旋削して所定の高さに加工するバンプ加工工程と、所定の高さにバンプ8が加工されたウエーハ2に水を供給してウエーハ2から水溶性樹脂膜18’を溶解してレジスト膜20’を剥離するレジスト膜剥離工程とを含む。
【選択図】図4
特許請求の範囲【請求項１】
バンプが配設されたデバイスが分割予定ラインによって区画されて複数形成された表面を有するウエーハの加工方法であって、
ウエーハを保持する保持手段と、該保持手段に保持されたウエーハの表面に対して平行に回転してバンプの先端を旋削して所定の高さに加工するバイトを備えるバイト手段と、を含む加工装置を準備する準備工程と、
ウエーハの表面に水溶性樹脂を塗布してバンプとバンプの間に水溶性樹脂膜を形成する水溶性樹脂膜形成工程と、
該所定の高さに加工されるバンプの高さを超えるように該水溶性樹脂膜に重ねてレジストを塗布してレジスト膜を形成するレジスト膜形成工程と、
該水溶性樹脂膜と該レジスト膜が被覆された表面を露出させてウエーハの裏面を該保持手段に保持させる保持工程と、
該バイトを回転させて該保持手段に保持されたウエーハの表面に形成されたバンプの先端を旋削して所定の高さに加工するバンプ加工工程と、
該所定の高さにバンプが加工されたウエーハに水を供給してウエーハの表面から該水溶性樹脂膜を溶解して該レジスト膜を剥離するレジスト膜剥離工程と、
を含むウエーハの加工方法。
続きを表示（約 61 文字）【請求項２】
該レジスト膜剥離工程において、水を介して超音波を付与する請求項１記載のウエーハの加工方法。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、バンプが配設されたデバイスが分割予定ラインによって区画されて複数形成された表面を有するウエーハの加工方法に関する。
続きを表示（約 2,300 文字）【背景技術】
【０００２】
ＩＣ、ＬＳＩなどの複数のデバイスが分割予定ラインによって区画され表面に形成されたウエーハは、裏面が研削されて所望の厚みに形成された後、ダイシング装置、レーザー加工装置によって個々のデバイスチップに分割され、分割された各デバイスチップはパソコン、携帯電話などの電気機器に利用される。
【０００３】
デバイスには、バンプと称される突起状の電極が複数配設される場合がある。この場合には、各バンプの上端位置を揃えるために、ウエーハの表面に対して平行にバイトを回転させて旋削する加工装置が本出願人によって提案されている（たとえば、特許文献１参照）。しかし、バイトによってバンプの先端を旋削すると、バリが発生してデバイスの品質を低下させるという問題がある。そこで、ウエーハの表面にレジスト膜を被覆してから、バンプの先端とともにレジスト膜をバイトで旋削することにより、バリの発生を抑制する技術が提案されている（たとえば、特許文献２参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
特開２０１５－０４７６５１号公報
特開２０００－１７３９５４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところが、レジスト膜を剥離するには、アセトンを用いて相当の時間をかけて洗浄しなければならず、煩に堪えないという問題がある。
【０００６】
本発明の課題は、バンプが所定の高さに加工されたウエーハの表面から容易にレジスト膜を剥離することができるウエーハの加工方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明によれば、上記課題を解決する以下のウエーハの加工方法が提供される。すなわち、
「バンプが配設されたデバイスが分割予定ラインによって区画されて複数形成された表面を有するウエーハの加工方法であって、
ウエーハを保持する保持手段と、該保持手段に保持されたウエーハの表面に対して平行に回転してバンプの先端を旋削して所定の高さに加工するバイトを備えるバイト手段と、を含む加工装置を準備する準備工程と、
ウエーハの表面に水溶性樹脂を塗布してバンプとバンプの間に水溶性樹脂膜を形成する水溶性樹脂膜形成工程と、
該所定の高さに加工されるバンプの高さを超えるように該水溶性樹脂膜に重ねてレジストを塗布してレジスト膜を形成するレジスト膜形成工程と、
該水溶性樹脂膜と該レジスト膜が被覆された表面を露出させてウエーハの裏面を該保持手段に保持させる保持工程と、
該バイトを回転させて該保持手段に保持されたウエーハの表面に形成されたバンプの先端を旋削して所定の高さに加工するバンプ加工工程と、
該所定の高さにバンプが加工されたウエーハに水を供給してウエーハの表面から該水溶性樹脂膜を溶解して該レジスト膜を剥離するレジスト膜剥離工程と、
を含むウエーハの加工方法」が提供される。
【０００８】
好ましくは、該レジスト膜剥離工程において、水を介して超音波を付与する。
【発明の効果】
【０００９】
本発明のウエーハの加工方法は、
バンプが配設されたデバイスが分割予定ラインによって区画されて複数形成された表面を有するウエーハの加工方法であって、
ウエーハを保持する保持手段と、該保持手段に保持されたウエーハの表面に対して平行に回転してバンプの先端を旋削して所定の高さに加工するバイトを備えるバイト手段と、を含む加工装置を準備する準備工程と、
ウエーハの表面に水溶性樹脂を塗布してバンプとバンプの間に水溶性樹脂膜を形成する水溶性樹脂膜形成工程と、
該所定の高さに加工されるバンプの高さを超えるように該水溶性樹脂膜に重ねてレジストを塗布してレジスト膜を形成するレジスト膜形成工程と、
該水溶性樹脂膜と該レジスト膜が被覆された表面を露出させてウエーハの裏面を該保持手段に保持させる保持工程と、
該バイトを回転させて該保持手段に保持されたウエーハの表面に形成されたバンプの先端を旋削して所定の高さに加工するバンプ加工工程と、
該所定の高さにバンプが加工されたウエーハに水を供給してウエーハの表面から該水溶性樹脂膜を溶解して該レジスト膜を剥離するレジスト膜剥離工程と、
を含むので、バンプが所定の高さに加工されたウエーハの表面から容易にレジスト膜を剥離することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
（ａ）ウエーハの斜視図、（ｂ）（ａ）に示すウエーハの部分断面図。
保持テーブルでウエーハを保持する状態を示す模式図。
（ａ）水溶性樹脂膜形成工程を示す模式図、（ｂ）水溶性樹脂膜が形成されたウエーハの部分断面図。
（ａ）レジスト膜形成工程を示す模式図、（ｂ）レジスト膜が形成されたウエーハの部分断面図。
加工装置の斜視図。
保持工程を示す模式図。
（ａ）バンプ加工工程を示す模式図、（ｂ）バンプ加工工程が施されたウエーハの斜視図。
（ａ）レジスト膜剥離工程を示す模式図、（ｂ）レジスト膜が剥離されたウエーハの斜視図、（ｃ）（ｂ）に示すウエーハの部分断面図。
【発明を実施するための形態】
（【００１１】以降は省略されています）

関連特許