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公開番号2025133321
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-09-11
出願番号2024031209
出願日2024-03-01
発明の名称ワークハンドリングシート
出願人リンテック株式会社
代理人個人,個人,個人
主分類H01L 21/301 20060101AFI20250904BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】ダイシングを行う場合であっても、チップ飛散が生じ難いワークハンドリングシートを提供する。
【解決手段】基材と、前記基材における片面側に積層され、ワーク小片を保持可能であるとともに、レーザー光の照射によって界面アブレーションする界面アブレーション層とを備えるワークハンドリングシートであって、前記界面アブレーション層が、紫外線吸収剤を含有し、界面アブレーション層の厚さをT(μm)とし、前記界面アブレーション層における前記基材とは反対側の面の、シリコンウエハのミラー面に対するループタック値をL(mN/25mm)とした場合に、以下の式(1)
評価値=L/T² …(1)
から算出される評価値が、10以上であるワークハンドリングシート。
【選択図】なし
特許請求の範囲【請求項１】
基材と、
前記基材における片面側に積層され、ワーク小片を保持可能であるとともに、レーザー光の照射によって界面アブレーションする界面アブレーション層と
を備えるワークハンドリングシートであって、
前記界面アブレーション層が、紫外線吸収剤を含有し、
界面アブレーション層の厚さをＴ（μｍ）とし、前記界面アブレーション層における前記基材とは反対側の面の、シリコンウエハのミラー面に対するループタック値をＬ（ｍＮ／２５ｍｍ）とした場合に、以下の式（１）
評価値＝Ｌ／Ｔ
２
…（１）
から算出される評価値が、１０以上である
ことを特徴とするワークハンドリングシート。
続きを表示（約 620 文字）【請求項２】
前記界面アブレーション層の厚さＴは、１５μｍ以下であることを特徴とする請求項１に記載のワークハンドリングシート。
【請求項３】
前記ループタック値Ｌは、８００ｍＮ／２５ｍｍ以上、２５００ｍＮ／２５ｍｍ以下であることを特徴とする請求項１に記載のワークハンドリングシート。
【請求項４】
前記界面アブレーション層は、粘着剤層であることを特徴とする請求項１に記載のワークハンドリングシート。
【請求項５】
前記界面アブレーション層に界面アブレーションを生じさせたときに、当該界面アブレーションが生じた位置においてブリスターが形成されることを特徴とする請求項１に記載のワークハンドリングシート。
【請求項６】
前記界面アブレーション層において局所的に生じさせた界面アブレーションによって、前記界面アブレーション層における前記基材とは反対の面上に保持された複数のワーク小片のうちの任意のワーク小片を、前記界面アブレーション層から選択的に分離するために使用されるものであることを特徴とする請求項１に記載のワークハンドリングシート。
【請求項７】
前記ワーク小片は、前記界面アブレーション層における前記基材とは反対の面上に保持されたワークを当該面上において個片化することで得られたものであることを特徴とする請求項６に記載のワークハンドリングシート。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体部品や半導体装置等のワーク小片を取り扱うために使用可能なワークハンドリングシートに関するものである。
続きを表示（約 1,700 文字）【背景技術】
【０００２】
シリコン、ガリウムヒ素などの半導体ウエハおよび各種パッケージ類は、大径の状態で製造され、これらは素子小片（半導体チップ）に切断分離（ダイシング）されるとともに個々に剥離（ピックアップ）された後に、次の工程であるマウント工程に移される。この際、半導体ウエハ等の被加工物は、基材および粘着剤層を備える半導体加工用シートに貼着された状態で、バックグラインド、ダイシング、洗浄、乾燥、エキスパンド、ピックアップ、マウンティング等の加工が行われる。
【０００３】
上述したピックアップおよびマウンティングの工程では、半導体加工用シート上における半導体チップを、吸引コレットを用いて個々に取り上げ、所定の位置に配置することが行われる。このとき、半導体加工用シートの裏面から、ニードルを用いて半導体チップを突き上げたり、半導体加工用シートをエキスパンドさせて、半導体チップ同士を離間させることも行われる。
【０００４】
ところで、近年、マイクロ発光ダイオードを用いたディスプレイの開発において、個々のマイクロ発光ダイオードの基板への配置のために、レーザー光の照射を利用することが検討されている。例えば、特許文献１には、複数のマイクロ発光ダイオードを、所定の層を介して支持体に保持した後、当該層に対してレーザー光を照射することで、その照射した位置において当該層のアブレーションを生じさせ、それによって支持体から分離（レーザーリフトオフ）したマイクロ発光ダイオードを配線基板に載置する方法が検討されている。レーザー光は、指向性および収束性に優れているため、照射する位置を制御しやすく、選択的な載置を良好に行うことができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
特許第６５４６２７８号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
上述した半導体加工用シートでは、当該シート上で半導体ウエハのダイシングを行って半導体チップに個片化した後、同一のシートを用いて、半導体チップのピックアップ工程が行われることがある。
【０００７】
発明者らは、これと同様に、上述したレーザーリフトオフを行うためのシートにおいても、ダイシング工程に続いて、レーザーリフトオフを行うことを検討した。しかしながら、発明者らは、レーザーリフトオフに特化したシートでは、ダイシングを行った際に、チップの飛散が生じ易いことを発見した。
【０００８】
本発明は、このような実状に鑑みてなされたものであり、ダイシングを行う場合であっても、チップ飛散が生じ難いワークハンドリングシートを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記目的を達成するために、第１に本発明は、基材と、前記基材における片面側に積層され、ワーク小片を保持可能であるとともに、レーザー光の照射によって界面アブレーションする界面アブレーション層とを備えるワークハンドリングシートであって、前記界面アブレーション層が、紫外線吸収剤を含有し、界面アブレーション層の厚さをＴ（μｍ）とし、前記界面アブレーション層における前記基材とは反対側の面の、シリコンウエハのミラー面に対するループタック値をＬ（ｍＮ／２５ｍｍ）とした場合に、以下の式（１）
評価値＝Ｌ／Ｔ
２
…（１）
から算出される評価値が、１０以上であることを特徴とするワークハンドリングシートを提供する（発明１）。
【００１０】
上記発明（発明１）に係るワークハンドリングシートでは、上述した評価値の条件を満たすことにより、当該シート上でダイシングを行う場合であっても、チップ飛散が生じ難い。さらに、界面アブレーション層が紫外線吸収剤を含有することにより、良好な界面アブレーションを生じさせることができ、個片化されたチップの選択的な分離を良好に行うことができる。
（【００１１】以降は省略されています）

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