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公開番号2025141895
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-09-29
出願番号2025038461
出願日2025-03-11
発明の名称導電性膜、導電性基材、電子デバイス、RFタグ、電磁波シールドフィルムおよび面状発熱体
出願人株式会社サトー
代理人個人
主分類H01B 1/22 20060101AFI20250919BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】樹枝状の銅粒子を用いて、導電性が良好な導電性膜を形成すること。
【解決手段】複数の銅粒子が焼結してなる導電性膜。ここでの複数の銅粒子は、樹枝状の銅粒子を含む。また、導電性膜の少なくとも一方の面における、ISO 25178で規定される算術平均高さSaは0.1～0.9μmであり、かつ、ISO 25178で規定される最大高さSzは1.5～11.0μmである。
【選択図】図4
特許請求の範囲【請求項１】
複数の銅粒子が焼結してなる導電性膜であって、
前記複数の銅粒子は、樹枝状の銅粒子を含み、
前記導電性膜の少なくとも一方の面における、ＩＳＯ２５１７８で規定される算術平均高さＳａは０．１～０．９μｍであり、かつ、ＩＳＯ２５１７８で規定される最大高さＳｚは１．５～１１．０μｍである、導電性膜。
続きを表示（約 900 文字）【請求項２】
請求項１に記載の導電性膜であって、
前記一方の面における、ＩＳＯ２５１７８で規定される二乗平均平方根高さＳｑは、０．１～１．０μｍである、導電性膜。
【請求項３】
請求項１または２に記載の導電性膜であって、
前記一方の面における、ＩＳＯ２５１７８で規定される最大山高さＳｐは、０．９～５．０μｍである、導電性膜。
【請求項４】
請求項１または２に記載の導電性膜であって、
前記一方の面における、ＩＳＯ２５１７８で規定されるコア部のレベル差Ｓｋは、０．１～２．５μｍである、導電性膜。
【請求項５】
請求項１または２に記載の導電性膜であって、
前記一方の面における、ＩＳＯ２５１７８で規定されるコア部の空隙容積Ｖｖｃは、０．１～１．３ｍｌ／ｍ
２
である、導電性膜。
【請求項６】
請求項１または２に記載の導電性膜であって、
前記一方の面における、ＩＳＯ２５１７８で規定されるコア部の実体体積Ｖｍｃは、０．０５～１．０ｍｌ／ｍ
２
である、導電性膜。
【請求項７】
請求項１または２に記載の導電性膜であって、
前記一方の面における表面抵抗率は、５～１００ｍΩ／□である、導電性膜。
【請求項８】
請求項１または２に記載の導電性膜であって、
厚みが２～１００μｍである、導電性膜。
【請求項９】
請求項１または２に記載の導電性膜であって、
前記複数の銅粒子をレーザー回折散乱法により粒子径測定したときに得られる体積基準累積粒子径分布曲線において、累積頻度が５０％となる粒子径Ｄ
５０
は、０．５～１００μｍである、導電性膜。
【請求項１０】
基材と、
前記基材の少なくとも一方の面側に設けられた、請求項１または２に記載の導電性膜と、
を備える、導電性基材。
（【請求項１１】以降は省略されています）
発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、導電性膜、導電性基材、電子デバイス、ＲＦタグ、電磁波シールドフィルムおよび面状発熱体に関する。より具体的には、銅粒子が焼結してなる導電性膜などに関する。
続きを表示（約 2,300 文字）【背景技術】
【０００２】
基材上に、導電性粒子を含有する導電性組成物を用いて導電性膜を用いて導電パターンを得る技術が知られている。このような技術は、近年盛んに開発が行われているプリンテッドエレクトロニクスに適用可能と考えられる。プリンテッドエレクトロニクスとは、印刷技術を用いて、フィルムなどの基材の上に電子回路、センサー、素子などを形成する技術のことである。
【０００３】
特許文献１は、直線的に成長した主幹と該主幹から分かれた複数の枝とを有する樹枝状の形状をなし、大きさが１．０μｍ以上であり且つ断面厚さ０．２～０．５μｍの平板状の銅粒子の単体により、枝の太さが１０μｍ以下となる範囲で集合して構成されていることを特徴とする銅粉を開示している。特許文献１は、さらに、この銅粉を用いて導電性ペーストを作成することや、その導電性ペーストを用いて導電膜を形成することを開示している。
【０００４】
特許文献２は、安息角が５０度より大きく、且つ、グラインドゲージの値（μｍ）が４０～４であることを特徴とする銅粉を開示している。特許文献２は、さらに、この銅粉を用いて導電性ペーストを作成することや、その導電性ペーストを用いて導電膜を形成することを開示している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
特開２０１６－８３３３号公報
特開２０１３－１３６８１８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
導電性粒子として樹枝状の銅粒子が知られている。樹枝状の銅粒子は例えば上述の特許文献１に記載されている。
本発明者の知見によれば、樹枝状の銅粒子を用いて形成した導電性膜については、例えば導電性について改善の余地があった。
【０００７】
本発明はこのような事情に鑑みてなされたものである。本発明の目的の１つは、樹枝状の銅粒子を用いて、導電性が良好な導電性膜を形成することである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明者らは、以下に提供される発明を完成させ、上記課題を解決した。
【０００９】
１．
複数の銅粒子が焼結してなる導電性膜であって、
前記複数の銅粒子は、樹枝状の銅粒子を含み、
前記導電性膜の少なくとも一方の面における、ＩＳＯ２５１７８で規定される算術平均高さＳａは０．１～０．９μｍであり、かつ、ＩＳＯ２５１７８で規定される最大高さＳｚは１．５～１１．０μｍである、導電性膜。
２．
１．に記載の導電性膜であって、
前記一方の面における、ＩＳＯ２５１７８で規定される二乗平均平方根高さＳｑは、０．１～１．０μｍである、導電性膜。
３．
１．または２．に記載の導電性膜であって、
前記一方の面における、ＩＳＯ２５１７８で規定される最大山高さＳｐは、０．９～５．０μｍである、導電性膜。
４．
１．～３．のいずれか１つに記載の導電性膜であって、
前記一方の面における、ＩＳＯ２５１７８で規定されるコア部のレベル差Ｓｋは、０．１～２．５μｍである、導電性膜。
５．
１．～４．のいずれか１つに記載の導電性膜であって、
前記一方の面における、ＩＳＯ２５１７８で規定されるコア部の空隙容積Ｖｖｃは、０．１～１．３ｍｌ／ｍ
２
である、導電性膜。
６．
１．～５．のいずれか１つに記載の導電性膜であって、
前記一方の面における、ＩＳＯ２５１７８で規定されるコア部の実体体積Ｖｍｃは、０．０５～１．０ｍｌ／ｍ
２
である、導電性膜。
７．
１．～６．のいずれか１つに記載の導電性膜であって、
前記一方の面における表面抵抗率は、５～１００ｍΩ／□である、導電性膜。
８．
１．～５．のいずれか１つに記載の導電性膜であって、
厚みが２～１００μｍである、導電性膜。
９．
１．～８．のいずれか１つに記載の導電性膜であって、
前記複数の銅粒子をレーザー回折散乱法により粒子径測定したときに得られる体積基準累積粒子径分布曲線において、累積頻度が５０％となる粒子径Ｄ
５０
は、０．５～１００μｍである、導電性膜。
１０．
基材と、
前記基材の少なくとも一方の面側に設けられた、１．～９．のいずれか１つに記載の導電性膜と、
を備える、導電性基材。
１１．
１０．に記載の導電性基材であって、
前記基材が可撓性を有する、導電性基材。
１２．
１０．または１１．に記載の導電性基材を含む、電子デバイス。
１３．
１０．または１１．に記載の導電性基材を含む、ＲＦタグ。
１４．
１０．または１１．に記載の導電性基材を含む、電磁波シールドフィルム。
１５．
１０．または１１．に記載の導電性基材を含む、面状発熱体。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、樹枝状の銅粒子を用いて、導電性が良好な導電性膜を形成することができる。
【図面の簡単な説明】
（【００１１】以降は省略されています）

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