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公開番号2025140988
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-09-29
出願番号2024040669
出願日2024-03-15
発明の名称導電性基材の製造方法、電子デバイスの製造方法、および電磁波シールドフィルムの製造方法、面状発熱体の製造方法
出願人株式会社サトー
代理人個人
主分類H05K 3/12 20060101AFI20250919BHJP(他に分類されない電気技術)
要約【課題】導電体の導電性を向上できる導電性基材の製造方法を提供する。
【解決手段】導電性基材10の製造方法は、基材1上に、導電性粒子および樹脂を含む導電性組成物を用いて導電性粒子含有層4を形成する工程と、導電性粒子含有層4を焼成する工程と、焼成された導電性粒子含有層4を加圧することにより導電体5を形成する工程と、をこの順に含む。
【選択図】図1
特許請求の範囲【請求項１】
第１の基材上に、導電性粒子および樹脂を含む導電性組成物を用いて導電性粒子含有層を形成する工程と、
前記導電性粒子含有層を焼成する工程と、
焼成された前記導電性粒子含有層を加圧することにより導電体を形成する工程と、
を含む、導電性基材の製造方法。
続きを表示（約 990 文字）【請求項２】
請求項１に記載の導電性基材の製造方法であって、
前記導電性粒子含有層を焼成する前記工程において、前記導電性粒子含有層を光焼成および／または熱焼成する、導電性基材の製造方法。
【請求項３】
請求項２に記載の導電性基材の製造方法であって、
前記導電性粒子含有層を焼成する前記工程において、キセノンフラッシュランプを用いて光焼成する、導電性基材の製造方法。
【請求項４】
請求項１または２に記載の導電性基材の製造方法であって、
前記導電性粒子の、レーザー回折散乱法により粒子径測定したときに得られる体積基準累積粒子径分布曲線において、累積頻度が５０％となる粒子径Ｄ
５０
が、０．５～１００μｍである、導電性基材の製造方法。
【請求項５】
請求項１または２に記載の導電性基材の製造方法であって、
前記第１の基材は可撓性を有する、導電性基材の製造方法。
【請求項６】
請求項１または２に記載の導電性基材の製造方法であって、
前記第１の基材は、ポリエステル、ポリオレフィン、ポリカーボネート、ポリイミドおよび紙からなる群より選択される１種または２種以上である、導電性基材の製造方法。
【請求項７】
請求項１または２に記載の導電性基材の製造方法であって、
前記導電体を形成する前記工程の後、
前記導電体を第２の基材に貼り付ける工程と、前記導電体と第１の基材を剥離する工程とを順不同に含む、導電性基材の製造方法。
【請求項８】
請求項７に記載の導電性基材の製造方法であって、
前記第１の基材は、前記第２の基材よりも耐熱性が高い、導電性基材の製造方法。
【請求項９】
請求項７に記載の導電性基材の製造方法であって、
前記第１の基材は、金属、セラミックスおよび強化ガラスからなる群より選択される１種または２種以上である、導電性基材の製造方法。
【請求項１０】
請求項７に記載の導電性基材の製造方法であって、
前記第１の基材は、前記導電性粒子含有層が形成される面に撥液領域および非撥液領域を有する、導電性基材の製造方法。
（【請求項１１】以降は省略されています）
発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、導電性基材の製造方法、電子デバイスの製造方法、および電磁波シールドフィルムの製造方法、面状発熱体の製造方法に関する。
続きを表示（約 3,500 文字）【背景技術】
【０００２】
基材上に、導電性粒子を含有する導電性組成物によるパターンを設け、そのパターンを加熱するなどして導電パターンを得る技術が知られている。このような技術は、近年盛んに開発が行われているプリンテッドエレクトロニクスに適用可能と考えられる。プリンテッドエレクトロニクスとは、印刷技術を用いて、フィルムなどの基材の上に電子回路、センサー、素子などを形成する技術のことである。
【０００３】
特許文献１（特開２０１４－０１７３９７号公報）には、密着性に優れ、なおかつ低体積抵抗率を有し、低コストの金属薄膜並びに該金属薄膜を備える導電性パターン等を得るために、金属微粒子とバインダー樹脂とを含有する金属薄膜において、当該金属薄膜の垂直方向断面におけるバインダー樹脂の割合を異ならせることが開示されている。また、導電性を発現させるために、基材上の金属薄膜用分散体に対し、未固着領域を残すようにしてエネルギー線を照射することが開示されている。
【０００４】
特許文献２（特開２０２１－７７６４８号公報）には、インクとして分散安定性が高く、貯蔵安定性に優れ、基板上で抵抗の低い導電膜を得るために、還元剤と分散時と、酸化銅の質量割合を制御することが開示されている。また、キセノン光を照射させ、導電性パターンを得ることが開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
特開２０１４－０１７３９７号公報
特開２０２１－７７６４８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、特許文献１、２に開示される従来技術においては、焼成により導電体を得るものであったが、導電体の良好な導電性を得る点でなお改善の余地があった。
【０００７】
本発明者らは、導電体の導電性を向上する点から鋭意検討を行ったところ、焼成により導電体を得たのち、さらに加圧することによって、導電体の導電性を向上できることを知見した。すなわち、導電性組成物に含まれるバインダー樹脂の焼失により生じた隙間に、その後の加圧によって導電性粒子が入り込み、導電性粒子同士が密接するようになることで導電性を高められることを見出し、本発明を完成させた。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明によれば、以下の技術が提供される。
【０００９】
［１］第１の基材上に、導電性粒子および樹脂を含む導電性組成物を用いて導電性粒子含有層を形成する工程と、
前記導電性粒子含有層を焼成する工程と、
焼成された前記導電性粒子含有層を加圧することにより導電体を形成する工程と、
を含む、導電性基材の製造方法。
［２］［１］に記載の導電性基材の製造方法であって、
前記導電性粒子含有層を焼成する前記工程において、前記導電性粒子含有層を光焼成および／または熱焼成する、導電性基材の製造方法。
［３］［１］または［２］に記載の導電性基材の製造方法であって、
前記導電性粒子含有層を焼成する前記工程において、キセノンフラッシュランプを用いて光焼成する、導電性基材の製造方法。
［４］［１］乃至［３］いずれか一つに記載の導電性基材の製造方法であって、
前記導電性粒子の、レーザー回折散乱法により粒子径測定したときに得られる体積基準累積粒子径分布曲線において、累積頻度が５０％となる粒子径Ｄ
５０
が、０．５～１００μｍである、導電性基材の製造方法。
［５］［１］乃至［４］いずれか一つに記載の導電性基材の製造方法であって、
前記第１の基材は可撓性を有する、導電性基材の製造方法。
［６］［１］乃至［５］いずれか一つに記載の導電性基材の製造方法であって、
前記第１の基材は、ポリエステル、ポリオレフィン、ポリカーボネート、ポリイミドおよび紙からなる群より選択される１種または２種以上である、導電性基材の製造方法。
［７］［１］乃至［４］いずれか一つに記載の導電性基材の製造方法であって、
前記導電体を形成する前記工程の後、
前記導電体を第２の基材に貼り付ける工程と、前記導電体と第１の基材を剥離する工程とを順不同に含む、導電性基材の製造方法。
［８］［７］に記載の導電性基材の製造方法であって、
前記第１の基材は、前記第２の基材よりも耐熱性が高い、導電性基材の製造方法。
［９］［７］または［８］に記載の導電性基材の製造方法であって、
前記第１の基材は、金属、セラミックスおよび強化ガラスからなる群より選択される１種または２種以上である、導電性基材の製造方法。
［１０］［７］乃至［９］いずれか一つに記載の導電性基材の製造方法であって、
前記第１の基材は、前記導電性粒子含有層が形成される面に撥液領域および非撥液領域を有する、導電性基材の製造方法。
［１１］［７］乃至［１０］いずれか一つに記載の導電性基材の製造方法であって、
前記第２の基材は、ポリエステル、ポリオレフィン、ポリカーボネート、ポリイミドおよび紙からなる群より選択される１種または２種以上である、導電性基材の製造方法。
［１２］［１］乃至［１１］いずれか一つに記載の導電性基材の製造方法であって、
前記導電性粒子含有層を形成する前記工程において、前記導電性粒子含有層の一部を除去して前記導電性粒子含有層を所望の形状とする工程をさらに含む、導電性基材の製造方法。
［１３］［１］乃至［１２］いずれか一つに記載の導電性基材の製造方法であって、
前記導電性粒子含有層を形成する前記工程において、前記導電性粒子含有層に含まれる溶剤を乾燥させる工程をさらに含む、導電性基材の製造方法。
［１４］［１］乃至［１３］いずれか一つに記載の導電性基材の製造方法であって、
前記導電性粒子含有層を焼成する前記工程の後であって、前記導電体を形成する前記工程の前に、
前記導電性粒子含有層に、前記導電性粒子の表面の酸化膜を除去するための成分Ｘを浸透させる工程をさらに含む、導電性基材の製造方法。
［１５］［１４］に記載の導電性基材の製造方法であって、
前記成分Ｘが、有機酸、リンのオキソ酸、および、ヒドラジンまたはその誘導体、からなる群より選ばれる少なくともいずれかを含む、導電性基材の製造方法。
［１６］［１］乃至［１５］いずれか一つに記載の導電性基材の製造方法であって、
前記導電体を形成する前記工程において、前記導電性粒子含有層を加熱しながら加圧する、導電性基材の製造方法。
［１７］［１］乃至［１６］いずれか一つに記載の導電性基材の製造方法であって、
前記導電体を形成する前記工程において、前記導電性粒子含有層の上面を部材で覆ったうえで加圧する、導電性基材の製造方法。
［１８］［１］乃至［１７］いずれか一つに記載の導電性基材の製造方法であって、
前記導電体はパターン構造を有する、導電性基材の製造方法。
［１９］［１］乃至［１８］いずれか一つに記載の導電性基材の製造方法により得られた導電性基材を用いて電子デバイスを製造する、電子デバイスの製造方法。
［２０］［１９］に記載の電子デバイスの製造方法であって、
前記電子デバイスが、ＲＦタグである、電子デバイスの製造方法。
［２１］［１］乃至［１８］いずれか一つに記載の導電性基材の製造方法により得られた導電性基材を用いて電磁波シールドフィルムを製造する、電磁波シールドフィルムの製造方法。
［２２］［１］乃至［１８］いずれか一つに記載の導電性基材の製造方法により得られた導電性基材を用いて面状発熱体を製造する、面状発熱体の製造方法。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、導電体の導電性を向上できる導電体基材の製造方法が提供できる。
【図面の簡単な説明】
（【００１１】以降は省略されています）

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