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公開番号2025142666
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-10-01
出願番号2024042154
出願日2024-03-18
発明の名称磁気記憶装置
出願人キオクシア株式会社
代理人弁理士法人スズエ国際特許事務所
主分類H10B 61/00 20230101AFI20250924BHJP()
要約【課題】隣接する磁気抵抗効果素子間を電気的に的確に分離することが可能な磁気記憶装置を提供する。
【解決手段】実施形態に係る磁気記憶装置は、下部構造30と、下部構造上に設けられた第1の積層構造10と、下部構造上に設けられた第2の積層構造10と、第1の積層構造の側面に設けられ、ボロン(B)を含有する第1のボロン含有層20と、第2の積層構造の側面に設けられ、ボロン(B)を含有する第2のボロン含有層20と、を備える。第1及び第2の積層構造のそれぞれは、可変の磁化方向を有する第1の磁性層11aと、固定された磁化方向を有する第2の磁性層11bと、第1の磁性層と第2の磁性層との間に設けられた非磁性層11cとを含む基本部分11と、基本部分の下層側に設けられ、導電性を有する下部分12と、基本部分の上層側に設けられ、導電性を有する上部分13と、を含む。
【選択図】図1
特許請求の範囲【請求項１】
下部構造と、
前記下部構造上に設けられた第１の積層構造と、
前記下部構造上に設けられ、前記第１の積層構造に隣接する第２の積層構造と、
前記第１の積層構造の側面に設けられ、ボロン（Ｂ）を含有する第１のボロン含有層と、
前記第２の積層構造の側面に設けられ、ボロン（Ｂ）を含有する第２のボロン含有層と、
を備える磁気記憶装置であって、
前記第１及び第２の積層構造のそれぞれは、
可変の磁化方向を有する第１の磁性層と、固定された磁化方向を有する第２の磁性層と、前記第１の磁性層と前記第２の磁性層との間に設けられた非磁性層とを含む基本部分と、
前記基本部分の下層側に設けられ、導電性を有する下部分と、
前記基本部分の上層側に設けられ、導電性を有する上部分と、
を含む
ことを特徴とする磁気記憶装置。
続きを表示（約 1,000 文字）【請求項２】
前記第１及び第２のボロン含有層は、窒素（Ｎ）をさらに含有する
ことを特徴とする請求項１に記載の磁気記憶装置。
【請求項３】
前記第１の磁性層は、鉄（Ｆｅ）及びコバルト（Ｃｏ）から選択された少なくとも１つの元素を含有する
ことを特徴とする請求項１に記載の磁気記憶装置。
【請求項４】
前記第２の磁性層は、鉄（Ｆｅ）及びコバルト（Ｃｏ）から選択された少なくとも１つの元素を含有する
ことを特徴とする請求項１に記載の磁気記憶装置。
【請求項５】
前記第２の磁性層は、プラチナ（Ｐｔ）をさらに含有する
ことを特徴とする請求項４に記載の磁気記憶装置。
【請求項６】
前記非磁性層は、マグネシウム（Ｍｇ）及び酸素（Ｏ）を含有する
ことを特徴とする請求項１に記載の磁気記憶装置。
【請求項７】
前記下部分は、ハフニウム（Ｈｆ）、タングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）及びアルミニウム（Ａｌ）から選択された少なくとも１つの元素を含有する
ことを特徴とする請求項１に記載の磁気記憶装置。
【請求項８】
前記上部分は、ハフニウム（Ｈｆ）、タングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）、アルミニウム（Ａｌ）及びルテニウム（Ｒｕ）から選択された少なくとも１つの元素を含有する
ことを特徴とする請求項１に記載の磁気記憶装置。
【請求項９】
前記下部構造は、下部絶縁層を含み、
前記下部絶縁層は、
前記第１の積層構造の下の領域に設けられた第１の絶縁部分と、
前記第２の積層構造の下の領域に設けられた第２の絶縁部分と、
前記第１の絶縁部分及び前記第２の絶縁部分の外側の領域に設けられ、前記第１の絶縁部分の上面及び前記第２の絶縁部分の上面よりも低い上面を有する第３の絶縁部分と、
を含む
ことを特徴とする請求項１に記載の磁気記憶装置。
【請求項１０】
前記下部構造は、
前記第１の積層構造の下面に接続され、前記第１の絶縁部分に囲まれた側面を有する第１の電極と、
前記第２の積層構造の下面に接続され、前記第２の絶縁部分に囲まれた側面を有する第２の電極と、
をさらに含む
ことを特徴とする請求項９に記載の磁気記憶装置。
（【請求項１１】以降は省略されています）
発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、磁気記憶装置に関する。
続きを表示（約 1,300 文字）【背景技術】
【０００２】
半導体基板上に複数の磁気抵抗効果素子が集積化された磁気記憶装置が提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
米国特許出願公開第２０１３／０１２６９９５号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
隣接する磁気抵抗効果素子間を電気的に的確に分離することが可能な磁気記憶装置を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
実施形態に係る磁気記憶装置は、下部構造と、前記下部構造上に設けられた第１の積層構造と、前記下部構造上に設けられ、前記第１の積層構造に隣接する第２の積層構造と、前記第１の積層構造の側面に設けられ、ボロン（Ｂ）を含有する第１のボロン含有層と、前記第２の積層構造の側面に設けられ、ボロン（Ｂ）を含有する第２のボロン含有層と、を備える磁気記憶装置であって、前記第１及び第２の積層構造のそれぞれは、可変の磁化方向を有する第１の磁性層と、固定された磁化方向を有する第２の磁性層と、前記第１の磁性層と前記第２の磁性層との間に設けられた非磁性層とを含む基本部分と、前記基本部分の下層側に設けられ、導電性を有する下部分と、前記基本部分の上層側に設けられ、導電性を有する上部分と、を含む。
【図面の簡単な説明】
【０００６】
実施形態に係る磁気記憶装置の構成を模式的に示した断面図である。
実施形態に係る磁気記憶装置において、積層構造及びボロン含有層のＺ方向に垂直な断面を模式的に示した図である。
実施形態に係る磁気記憶装置において、電極、下部絶縁層の絶縁部分（積層構造の下の領域に設けられた絶縁部分）、金属含有層及びボロン含有層の延伸部分のＺ方向に垂直な断面を模式的に示した図である。
実施形態に係る磁気記憶装置の製造方法の一部を模式的に示した断面図である。
実施形態に係る磁気記憶装置の製造方法の一部を模式的に示した断面図である。
実施形態に係る磁気記憶装置の製造方法の一部を模式的に示した断面図である。
実施形態に係る磁気記憶装置の製造方法の一部を模式的に示した断面図である。
実施形態に係る磁気記憶装置の適用例の構成を模式的に示した斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【０００７】
以下、図面を参照して実施形態を説明する。
【０００８】
図１は、実施形態に係る磁気記憶装置の構成を模式的に示した断面図である。
【０００９】
本実施形態に係る磁気記憶装置は、半導体基板（図示せず）上に設けられており、複数の積層構造１０と、複数のボロン含有層２０と、下部構造３０と、上部絶縁層４０とを含んでいる。
【００１０】
複数の積層構造１０は、下部構造３０上に設けられており、Ｘ方向及びＹ方向にアレイ状に配置されている。各積層構造１０は、複数の層がＺ方向に積層された構造を有している。なお、Ｘ方向、Ｙ方向及びＺ方向は、互いに交差する方向である。具体的には、Ｘ方向、Ｙ方向及びＺ方向は、互いに直交している。
（【００１１】以降は省略されています）

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