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公開番号2025142547
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-10-01
出願番号2024041973
出願日2024-03-18
発明の名称半導体装置
出願人キオクシア株式会社
代理人弁理士法人酒井国際特許事務所
主分類H01L 23/12 20060101AFI20250924BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】ボンドフィンガ間のショートを抑制すること。
【解決手段】実施形態の半導体装置は、半導体チップと、第1面に半導体チップ、及び開口部を有する絶縁層を配置し、開口部の長手方向である第1方向に沿って複数配列されるとともに開口部において半導体チップと電気的に接続し得る複数のボンドフィンガ、及び第1面と第1面に対して反対側にある第2面との間に半導体チップに電源電圧を供給する電源層及び半導体チップにグランド電位を供給するグランド層を有する配線基板と、を備え、複数のボンドフィンガは、グランド層と接続するボンドフィンガである第1のボンドフィンガと、電源層と接続するボンドフィンガである第2のボンドフィンガとが等しい距離で交互に並んで配置された構成を有し、複数のボンドフィンガのうちの開口部の第1方向の両端に配置される2つのボンドフィンガである2つの第3のボンドフィンガのそれぞれは第1のボンドフィンガであり、2つの第3のボンドフィンガのうちの1つは半導体チップと接続しないダミー端子である。
【選択図】図2
特許請求の範囲【請求項１】
半導体チップと、
第１面に前記半導体チップ、及び開口部を有する絶縁層を配置し、前記開口部の長手方向である第１方向に沿って複数配列されるとともに前記開口部において前記半導体チップと電気的に接続し得る複数のボンドフィンガ、及び前記第１面と前記第１面に対して反対側にある第２面との間に前記半導体チップに電源電圧を供給する電源層及び前記半導体チップにグランド電位を供給するグランド層を有する配線基板と、を備え、
前記複数のボンドフィンガは、前記グランド層と接続するボンドフィンガである第１のボンドフィンガと、前記電源層と接続するボンドフィンガである第２のボンドフィンガとが等しい距離で交互に並んで配置された構成を有し、前記複数のボンドフィンガのうちの前記開口部の前記第１方向の両端に配置される２つのボンドフィンガである２つの第３のボンドフィンガのそれぞれは前記第１のボンドフィンガであり、前記２つの第３のボンドフィンガのうちの１つは前記半導体チップと接続しないダミー端子である、
半導体装置。
続きを表示（約 400 文字）【請求項２】
前記ダミー端子の少なくとも一部は、前記絶縁層により覆われている、
請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記ダミー端子は、前記絶縁層により覆われている、
請求項１に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記複数のボンドフィンガの、前記第１方向と交差しかつ前記第１面に沿う第２方向の一端部は、前記開口部に露出する、
請求項１に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記複数のボンドフィンガの、前記開口部に露出する一端部には、めっきリードが接続されている、
請求項４に記載の半導体装置。
【請求項６】
前記第２のボンドフィンガの両側に配置される２つの前記第１のボンドフィンガは、前記第１方向と交差しかつ前記第１面に沿う第２方向の両端部において接している、
請求項１に記載の半導体装置。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、半導体装置に関する。
続きを表示（約 1,700 文字）【背景技術】
【０００２】
半導体チップが配線基板上に実装された半導体装置がある。配線基板の実装面には、半導体チップと電気的に接続する複数のボンドフィンガが並んで配置されている。ボンドフィンガには、半導体チップにグランド電位を供給する第１のボンドフィンガと、電源電圧を供給する第２のボンドフィンガと、が含まれている。
【０００３】
このとき、第２のボンドフィンガから金属成分が溶出することがある。このような金属成分の溶出は、例えばＨＡＳＴ（ＨｉｇｈＡｃｃｅｌｅｒａｔｅｄｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅａｎｄｈｕｍｉｄｉｔｙＳｔｒｅｓｓＴｅｓｔ）等において顕著に発現する。溶出した金属成分がリークパスとなり、隣接するボンドフィンガ間でショートが発生することがある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
米国特許出願公開第２０１２－０１５３５０６号明細書
米国特許出願公開第２００３－００４２５９７号明細書
米国特許出願公開第２００３－００５２４２０号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
一つの実施形態は、ボンドフィンガ間のショートを抑制可能な半導体装置を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
実施形態の半導体装置は、半導体チップと、第１面に前記半導体チップ、及び開口部を有する絶縁層を配置し、前記開口部の長手方向である第１方向に沿って複数配列されるとともに前記開口部において前記半導体チップと電気的に接続し得る複数のボンドフィンガ、及び前記第１面と前記第１面に対して反対側にある第２面との間に前記半導体チップに電源電圧を供給する電源層及び前記半導体チップにグランド電位を供給するグランド層を有する配線基板と、を備え、前記複数のボンドフィンガは、前記グランド層と接続するボンドフィンガである第１のボンドフィンガと、前記電源層と接続するボンドフィンガである第２のボンドフィンガとが等しい距離で交互に並んで配置された構成を有し、前記複数のボンドフィンガのうちの前記開口部の前記第１方向の両端に配置される２つのボンドフィンガである２つの第３のボンドフィンガのそれぞれは前記第１のボンドフィンガであり、前記２つの第３のボンドフィンガのうちの１つは前記半導体チップと接続しないダミー端子である。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
実施形態にかかる半導体装置の構成の一例を示す模式的な断面図。
実施形態にかかる半導体装置の構成の一例を示す模式的な上面図。
図２のＡ－Ａ線における断面図。
実施形態にかかる半導体装置についてＨＡＳＴを行った際の金属成分の溶出状態を模式的に示す上面図。
変形例１にかかる半導体装置の開口部周辺の構成を示す一部上面図。
変形例２にかかる半導体装置の開口部周辺の構成を示す一部上面図。
変形例３にかかる半導体装置の開口部周辺の構成を示す一部上面図。
変形例４にかかる半導体装置の開口部周辺の構成を示す一部上面図。
比較例にかかる半導体装置についてＨＡＳＴを行った際の金属成分の溶出状態を模式的に示す上面図。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
以下に、実施形態につき図面を参照しつつ詳細に説明する。なお、下記の実施形態により、本発明が限定されるものではない。また、下記実施形態における構成要素には、当業者が容易に想定できるものあるいは実質的に同一のものが含まれる。
【０００９】
（実施形態）
以下、図１～図４を参照して実施形態について詳細に説明する。
【００１０】
図１は、実施形態にかかる半導体装置１の構成の一例を示す模式的な断面図である。図１は、図２のＢ－Ｂ線における断面図でもある。
（【００１１】以降は省略されています）

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