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公開番号2025143994
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-10-02
出願番号2024043542
出願日2024-03-19
発明の名称半導体装置
出願人キオクシア株式会社
代理人個人,個人,個人,個人
主分類H01L 23/12 20060101AFI20250925BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】クラックによる不具合を抑制する半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置は、1つ以上の配線層と、前記1つ以上の配線層のうちの最上位層である第1配線層の上面に設けられた第1絶縁膜と、前記1つ以上の配線層のうちの最下位層である第2配線層11の下面に設けられた第2絶縁膜21と、を含む基板及び前記基板上に設けられた半導体チップを備える。第2配線層は、第2絶縁膜内に設けられた開口部1bから延び、線状部分D1～D4を有する第1配線及び第2配線11aと、前記第1配線と第2配線との間にて前記開口部と対向する位置に設けられ、部分R1～R4を有する第3配線11aとを含む。
【選択図】図7
特許請求の範囲【請求項１】
１つ以上の配線層と、前記１つ以上の配線層のうちの最上位層である第１配線層の上面に設けられた第１絶縁膜と、前記１つ以上の配線層のうちの最下位層である第２配線層の下面に設けられた第２絶縁膜と、を含む基板と、
前記基板上に設けられた半導体チップとを備え、
前記第１または第２配線層は、前記第１または第２絶縁膜内に設けられた開口部から延びる第１配線および第２配線と、前記第１配線と前記第２配線との間にて前記開口部と対向する位置に設けられた第３配線とを含む、半導体装置。
続きを表示（約 640 文字）【請求項２】
前記第１および第２絶縁膜の少なくともいずれかは、ソルダーレジスト層である、請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記第３配線は、平面視で前記開口部と対向する側面を有し、前記側面は、前記開口部から離れる方向に窪んだ形状を有する、請求項１に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記側面は、平面視で曲線状の形状を有する、請求項３に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記側面は、平面視で鋭角または直角をなす形状を有する、請求項３に記載の半導体装置。
【請求項６】
前記第３配線は、前記第１および第２配線と電気的に絶縁されている、請求項１に記載の半導体装置。
【請求項７】
前記第３配線は、前記半導体装置の制御に用いられないダミー配線である、請求項１に記載の半導体装置。
【請求項８】
前記第３配線は、前記開口部から前記第１または第２絶縁膜内に生じたクラックの進展方向を変更するガイドとして機能する、請求項１に記載の半導体装置。
【請求項９】
前記開口部は、平面視で前記第１または第２絶縁膜に対し突出した１つ以上の突出部分を有する、請求項１に記載の半導体装置。
【請求項１０】
前記１つ以上の突出部分は、平面視で前記第１配線と前記第２配線との間に設けられた第１突出部分を含む、請求項９に記載の半導体装置。
（【請求項１１】以降は省略されています）
発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、半導体装置に関する。
続きを表示（約 1,700 文字）【背景技術】
【０００２】
半導体パッケージでは、クラックの発生が問題となる場合がある。例えば、ＳＲ（ソルダーレジスト）層に設けられたＥＢ（エッチバック）開口部から、ＳＲ層の内部へとクラックが進展し、半導体パッケージに不具合が生じるおそれがある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
米国特許出願公開ＵＳ２０２２／０３５２０２３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
クラックによる不具合を抑制することが可能な半導体装置を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
一の実施形態によれば、半導体装置は、１つ以上の配線層と、前記１つ以上の配線層のうちの最上位層である第１配線層の上面に設けられた第１絶縁膜と、前記１つ以上の配線層のうちの最下位層である第２配線層の下面に設けられた第２絶縁膜と、を含む基板を備える。前記装置はさらに、前記基板上に設けられた半導体チップを備える。前記第１または第２配線層は、前記第１または第２絶縁膜内に設けられた開口部から延びる第１配線および第２配線と、前記第１配線と前記第２配線との間にて前記開口部と対向する位置に設けられた第３配線とを含む。
【図面の簡単な説明】
【０００６】
第１実施形態の半導体装置の構造を示す断面図である。
第１実施形態の半導体装置のクラックについて説明するための断面図である。
第１実施形態の比較例の半導体装置の構造を示す平面図である。
第１実施形態の比較例の半導体装置のＥＢ開口部について説明するための平面図である。
第１実施形態の比較例の半導体装置のクラックについて説明するための平面図である。
第１実施形態の比較例の半導体装置のクラックについて説明するための別の平面図である。
第１実施形態の半導体装置の構造を示す平面図である。
第１実施形態の半導体装置のダミー配線の種々の例を示す平面図である。
第１実施形態の第１および第２変形例のＥＢ開口部を示す平面図である。
第１実施形態の第３および第４変形例のＥＢ開口部を示す平面図である。
第２実施形態の半導体装置の構造を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００７】
以下、本発明の実施形態を、図面を参照して説明する。図１～図１１において、同一の構成には同一の符号を付し、重複する説明は省略する。
【０００８】
（第１実施形態）
図１は、第１実施形態の半導体装置の構造を示す断面図である。図１では、本実施形態の半導体装置が、半導体パッケージの形態を有する。本実施形態の半導体装置は、基板１と、半導体チップ３と、樹脂層４と、樹脂層５と、複数のボンディングワイヤ６と、複数のソルダーボール７とを備える。図１の断面には、上記複数のボンディングワイヤ６のうちの１つと、上記複数のソルダーボール７のうちの１つとが示され、その他のボンディングワイヤ６やソルダーボール７は、別の断面に含まれている。
【０００９】
基板１は、配線層１１と、複数のビアプラグ１２と、配線層１３と、複数のビアプラグ１４と、配線層１５と、樹脂層２１～２７とを含む。図１の断面には、上記複数のビアプラグ１２のうちの２つと、上記複数のビアプラグ１４のうちの２つとが示され、その他のビアプラグ１２、１４は、別の断面に含まれている。配線層１１、１３、１５は、１つ以上の配線層の例である。配線層１５は第１配線層の例であり、配線層１１は第２配線層の例である。樹脂層２７は第１絶縁膜の例であり、樹脂層２１は第２絶縁膜の例である。
【００１０】
基板１は例えば、プリント基板などの配線基板である。図１は、基板１の上面Ｆａと、基板１の下面Ｆｂとを示す。図１はさらに、基板１の上面Ｆａや下面Ｆｂに平行で互いに垂直なＸ方向およびＹ方向と、基板１の上面Ｆａや下面Ｆｂに垂直なＺ方向とを示す。Ｘ方向、Ｙ方向、およびＺ方向は、互いに交差している。
（【００１１】以降は省略されています）

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