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公開番号2025101374
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-07-07
出願番号2023218185
出願日2023-12-25
発明の名称基板処理方法、半導体装置の製造方法、プログラム、および基板処理装置
出願人株式会社KOKUSAI ELECTRIC
代理人個人,個人
主分類H01L 21/318 20060101AFI20250630BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】基板上に形成される膜のステップカバレッジを向上させることが可能な技術を提供する。
【解決手段】(a)基板に対して、第1処理ガスを供給する工程と、(b)前記基板に対して、第2処理ガスを供給する工程と、を行う第1サイクルを所定回数行うことにより前記基板上に膜を形成する工程を有し、(a)では、(a-1)前記第1処理ガスが充填された第1貯留部を開放し、前記第1貯留部から放出された前記第1処理ガスを、第1供給口を介して前記基板に供給する工程と、(a-2)前記基板への前記第1処理ガスの供給を停止した状態で、前記基板の処理空間を排気する工程と、(a-3)前記第1処理ガスが充填された第2貯留部を開放し、前記第2貯留部から放出された前記第1処理ガスを、前記1供給口とは異なる第2供給口を介して前記基板に供給する工程と、を順に行う。
【選択図】図4
特許請求の範囲【請求項１】
（ａ）基板に対して、第１処理ガスを供給する工程と、
（ｂ）前記基板に対して、第２処理ガスを供給する工程と、
を行う第１サイクルを所定回数行うことにより前記基板上に膜を形成する工程を有し、
（ａ）では、
（ａ－１）前記第１処理ガスが充填された第１貯留部を開放し、前記第１貯留部から放出された前記第１処理ガスを、第１供給口を介して前記基板に供給する工程と、
（ａ－２）前記基板への前記第１処理ガスの供給を停止した状態で、前記基板の処理空間を排気する工程と、
（ａ－３）前記第１処理ガスが充填された第２貯留部を開放し、前記第２貯留部から放出された前記第１処理ガスを、前記第１供給口とは異なる第２供給口を介して前記基板に供給する工程と、
を順に行う、基板処理方法。
続きを表示（約 950 文字）【請求項２】
（ａ－１）および（ａ－３）では、前記処理空間の排気が行われた状態で、前記基板に対して前記第１処理ガスが供給される、
請求項１に記載の基板処理方法。
【請求項３】
（ａ－１）および（ａ－３）では、前記処理空間の排気が行われる状態における前記処理空間の排気路に設けられた排気弁の開度を、（ｂ）において前記処理空間の排気が行われる状態における前記開度よりも大きくする、
請求項２に記載の基板処理方法。
【請求項４】
（ａ）では、
（ａ－１´）（ａ－３）の後、前記第１処理ガスが充填された前記第１貯留部を開放し、前記第１貯留部から放出された前記第１処理ガスを、前記第１供給口を介して前記基板に供給する工程、
を更に行う、
請求項１に記載の基板処理方法。
【請求項５】
（ａ）では、
（ａ－４）（ａ－３）の後、（ａ－１´）を行う前に、前記基板への前記第１処理ガスの供給を停止した状態で、前記処理空間を排気する工程、
を更に行う、
請求項４に記載の基板処理方法。
【請求項６】
（ａ）では、（ａ－１）、（ａ－２）及び（ａ－３）を順に行う第２サイクルを２以上の所定回数実行する、
請求項１に記載の基板処理方法。
【請求項７】
前記第２サイクルのｋ＋１回目における（ａ－１）での前記第１処理ガスの供給量が、ｋ回目における（ａ－１）での前記第１処理ガスの供給量とは異なる、
請求項６に記載の基板処理方法。
【請求項８】
（ａ－２）では、前記処理空間に不活性ガスを供給しながら、前記処理空間を排気する、
請求項１に記載の基板処理方法。
【請求項９】
前記第１サイクルを２以上の所定回数実行することにより前記膜を形成する、
請求項１に記載の基板処理方法。
【請求項１０】
（ａ－１）では、前記第１貯留部内に前記第１処理ガスを残留させた状態で、前記第１貯留部からの前記第１処理ガスの放出を停止する、
請求項１に記載の基板処理方法。
（【請求項１１】以降は省略されています）
発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本開示は、基板処理方法、半導体装置の製造方法、プログラム、および基板処理装置に関する。
続きを表示（約 2,000 文字）【背景技術】
【０００２】
基板処理工程（半導体装置の製造工程）の一工程として、基板上に膜を形成する処理が行われることがある（例えば特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
特開２０２２－０５２６２２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本開示は、基板上に形成される膜の段差被覆性（ステップカバレッジ）を向上させることが可能な技術を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本開示の一態様によれば、
（ａ）基板に対して、第１処理ガスを供給する工程と、
（ｂ）前記基板に対して、第２処理ガスを供給する工程と、
を行う第１サイクルを所定回数行うことにより前記基板上に膜を形成する工程を有し、
（ａ）では、
（ａ－１）前記第１処理ガスが充填された第１貯留部を開放し、前記第１貯留部から放出された前記第１処理ガスを、第１供給口を介して前記基板に供給する工程と、
（ａ－２）前記基板への前記第１処理ガスの供給を停止した状態で、前記基板の処理空間を排気する工程と、
（ａ－３）前記第１処理ガスが充填された第２貯留部を開放し、前記第２貯留部から放出された前記第１処理ガスを、前記１供給口とは異なる第２供給口を介して前記基板に供給する工程と、
を順に行う技術が提供される。
【発明の効果】
【０００６】
本開示によれば、基板上に形成される膜のステップカバレッジを向上させることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
図１は、本開示の一態様で好適に用いられる基板処理装置の縦型処理炉の概略構成図であり、処理炉２０２部分を縦断面図で示す図である。
図２は、本開示の一態様で好適に用いられる基板処理装置の縦型処理炉の概略構成図であり、処理炉２０２部分を図１のＡ－Ａ線断面図で示す図である。
図３は、本開示の一態様で好適に用いられる基板処理装置のコントローラ１２１の概略構成図であり、コントローラ１２１の制御系をブロック図で示す図である。
図４は、本開示の一態様における処理シーケンスを示す図であり、第１処理ガス、第２処理ガス、および不活性ガスの供給タイミングとＡＰＣバルブ２４４の開閉状態の推移を示す図である。
図５は、本開示の変形例１における処理シーケンスのうちのステップＡとステップＢにおける処理シーケンスを抜粋した図である。
図６は、本開示の変形例２における処理シーケンスを示す図である。
図７は、本開示の変形例３における処理シーケンスのうちのステップＡとステップＢにおける処理シーケンスを抜粋した図である。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
＜本開示の一態様＞
以下、本開示の一態様について、主に、図１～図４を参照しながら説明する。なお、以下の説明において用いられる図面は、いずれも模式的なものであり、図面上の各要素の寸法の関係、各要素の比率等は、現実のものとは必ずしも一致していない。また、複数の図面の相互間においても、各要素の寸法の関係、各要素の比率等は必ずしも一致していない。
【０００９】
（１）基板処理装置の構成
図１に示すように、処理炉２０２は温度調整器（加熱部）としてのヒータ２０７を有する。ヒータ２０７は円筒形状であり、保持板に支持されることにより垂直に据え付けられている。ヒータ２０７は、ガスを熱で活性化（励起）させる活性化機構（励起部）としても機能する。
【００１０】
ヒータ２０７の内側には、ヒータ２０７と同心円状に反応管２０３が配設されている。反応管２０３は、例えば石英（ＳｉＯ
２
）または炭化シリコン（ＳｉＣ）等の耐熱性材料により構成され、上端が閉塞し下端が開口した円筒形状に形成されている。反応管２０３の下方には、反応管２０３と同心円状にマニホールド２０９が配設されている。マニホールド２０９の上端部は、反応管２０３の下端部に係合しており、反応管２０３を支持するように構成されている。マニホールド２０９と反応管２０３との間には、シール部材としてのＯリング２２０ａが設けられている。反応管２０３はヒータ２０７と同様に垂直に据え付けられている。主に、反応管２０３とマニホールド２０９とにより処理容器（反応容器）が構成される。処理容器の筒中空部には処理室２０１が形成される。処理室２０１は、基板としてのウエハ２００を収容可能に構成されている。この処理室２０１内でウエハ２００に対する処理が行われる。
（【００１１】以降は省略されています）

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