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公開番号2025101807
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-07-08
出願番号2023218839
出願日2023-12-26
発明の名称発光装置の製造方法
出願人日亜化学工業株式会社
代理人弁理士法人iX
主分類H10H 20/85 20250101AFI20250701BHJP()
要約【課題】歩留まりを向上できる発光装置の製造方法を提供する。
【解決手段】発光装置の製造方法は、第1面11と、第1面とは反対側に位置する第2面12と、を有し、第2面は、第1領域12aと、第1領域の外側に位置する第2領域12bと、を有する基板10と、第1領域に配置される半導体層20と、第2領域に配置され、第2領域を被覆し、平面視において半導体層の外周を囲む被覆部材30と、を有する積層体を準備する工程と、基板の第1面側から積層体にレーザ光を照射して半導体層及び被覆部材から基板を剥離する工程と、を備える。剥離する工程は、第1領域に第1照射強度のレーザ光を照射して、半導体層から基板を剥離する第1工程と、第1工程の後に行われ、少なくとも第2領域に、第1照射強度よりも低い第2照射強度のレーザ光を照射して、被覆部材から基板を剥離する第2工程と、を有する。
【選択図】図3
特許請求の範囲【請求項１】
第１面と、前記第１面とは反対側に位置する第２面と、を有し、前記第２面は、第１領域と、前記第１領域の外側に位置する第２領域と、を有する基板と、前記第１領域に配置される半導体層と、前記第２領域に配置され、前記第２領域を被覆し、平面視において前記半導体層の外周を囲む被覆部材と、を有する積層体を準備する工程と、
前記基板の前記第１面側から前記積層体にレーザ光を照射して前記半導体層及び前記被覆部材から前記基板を剥離する工程と、
を備え、
前記剥離する工程は、
前記第１領域に第１照射強度の前記レーザ光を照射して、前記半導体層から前記基板を剥離する第１工程と、
前記第１工程の後に行われ、少なくとも前記第２領域に、前記第１照射強度よりも低い第２照射強度の前記レーザ光を照射して、前記被覆部材から前記基板を剥離する第２工程と、
を有する、発光装置の製造方法。
続きを表示（約 600 文字）【請求項２】
前記第２工程において、前記第１領域及び前記第２領域に前記レーザ光を照射する、請求項１に記載の発光装置の製造方法。
【請求項３】
前記第１工程では、前記第１領域に対応する第１透光部と、前記第１透光部の外側に位置する第１遮光部と、を有する第１マスクを準備し、前記第１マスクを通して前記積層体に前記レーザ光を照射し、
前記第２工程では、平面視における外形が前記第１透光部よりも大きい第２透光部と、前記第２透光部の外側に位置する第２遮光部と、を有する第２マスクを準備し、前記第２マスクを通して前記積層体に前記レーザ光を照射する、請求項２に記載の発光装置の製造方法。
【請求項４】
前記被覆部材は、樹脂と、光反射材と、を含む、請求項１に記載の発光装置の製造方法。
【請求項５】
前記剥離する工程では、前記第２照射強度は、前記第１照射強度の１／８以上１／４以下である、請求項１に記載の発光装置の製造方法。
【請求項６】
前記積層体は、複数の前記半導体層を有し、
複数の前記半導体層は、複数の列に配置され、
両端以外の列に配置された前記半導体層に対して前記剥離する工程を行った後、前記両端の列に配置された前記半導体層に対して前記剥離する工程を行う、請求項１から５のいずれか１つに記載の発光装置の製造方法。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
実施形態は、発光装置の製造方法に関する。
続きを表示（約 3,500 文字）【背景技術】
【０００２】
発光装置を製造する際に、基板に半導体層が形成された積層体に対して、レーザ光を照射することで、半導体層から基板を剥離する技術（レーザリフトオフ）を用いることが知られている（例えば、特許文献１）。レーザリフトオフでは、基板と半導体層との界面にレーザ光を照射することで、界面において半導体層を分解し、半導体層から基板を剥離することができる。レーザリフトオフを用いた発光装置の製造方法において、剥離時の半導体層の割れなどを低減し、歩留まりを向上することが求められる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
特開２０１１－１５１１９１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
実施形態は、歩留まりを向上できる発光装置の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の一実施形態に係る発光装置の製造方法は、第１面と、前記第１面とは反対側に位置する第２面と、を有し、前記第２面は、第１領域と、前記第１領域の外側に位置する第２領域と、を有する基板と、前記第１領域に配置される半導体層と、前記第２領域に配置され、前記第２領域を被覆し、平面視において前記半導体層の外周を囲む被覆部材と、を有する積層体を準備する工程と、前記基板の前記第１面側から前記積層体にレーザ光を照射して前記半導体層及び前記被覆部材から前記基板を剥離する工程と、を備える。前記剥離する工程は、前記第１領域に第１照射強度の前記レーザ光を照射して、前記半導体層から前記基板を剥離する第１工程と、前記第１工程の後に行われ、少なくとも前記第２領域に、前記第１照射強度よりも低い第２照射強度の前記レーザ光を照射して、前記被覆部材から前記基板を剥離する第２工程と、を有する。
【発明の効果】
【０００６】
本発明の一実施形態によれば、歩留まりを向上できる発光装置の製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
第１実施形態に係る発光装置の製造方法の積層体を示す模式平面図である。
第１実施形態に係る発光装置の製造方法の準備する工程を示す模式断面図である。
第１実施形態に係る発光装置の製造方法の剥離する工程を示す模式平面図である。
第１実施形態に係る発光装置の製造方法の剥離する工程を示す模式断面図である。
第１実施形態に係る発光装置の製造方法の剥離する工程を示す模式平面図である。
第１実施形態に係る発光装置の製造方法の剥離する工程を示す模式断面図である。
第１実施形態に係る発光装置の製造方法の剥離する工程を示す模式平面図である。
第１実施形態に係る発光装置の製造方法の剥離する工程を示す模式断面図である。
第１実施形態に係る発光装置の製造方法の剥離する工程を示す模式平面図である。
第１実施形態に係る発光装置の製造方法の剥離する工程を示す模式断面図である。
第１実施形態に係る発光装置の製造方法の剥離する工程を示す模式平面図である。
第１実施形態に係る発光装置の製造方法の被覆部材を切断する工程を示す模式断面図である。
第１実施形態に係る発光装置の製造方法の透光層を配置する工程を示す模式断面図である。
第１実施形態に係る発光装置の製造方法の半導体層を実装する工程を示す模式断面図である。
第１実施形態に係る発光装置の製造方法の光反射性部材を配置する工程を示す模式断面図である。
第２実施形態に係る発光装置の製造方法の積層体を示す模式平面図である。
第２実施形態に係る発光装置の製造方法の準備する工程を示す模式断面図である。
第２実施形態に係る発光装置の製造方法の剥離する工程を示す模式断面図である。
第２実施形態に係る発光装置の製造方法の剥離する工程を示す模式断面図である。
第２実施形態に係る発光装置の製造方法の透光層を配置する工程を示す模式断面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
以下に、本発明の各実施形態について図面を参照しつつ説明する。
図面は模式的または概念的なものであり、各部分の厚みと幅との関係、部分間の大きさの比率などは、必ずしも現実のものと同一とは限らない。同じ部分を表す場合であっても、図面により互いの寸法や比率が異なって表される場合もある。
本願明細書と各図において、既に説明したものと同様の要素には同一の符号を付して詳細な説明は適宜省略する。
【０００９】
また、以下では、説明をわかりやすくするために、ＸＹＺ直交座標系を用いて、各部分の配置および構成を説明する。Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸は、相互に直交している。またＸ軸が延びる方向を「Ｘ方向」とし、Ｙ軸が延びる方向を「Ｙ方向」とし、Ｚ軸が延びる方向を「Ｚ方向」とする。また、説明をわかりやすくするために、Ｚ方向のうち矢印の方向を上方、その逆方向を下方とするが、これらの方向は、重力方向とは無関係である。また、Ｚ方向に沿う向きで見ることを「平面視」とする。また、断面図として、切断面のみを示す端面図を用いる場合がある。本明細書において、「対応」とは、互いに関係付けられている領域と領域、面と面、部材と部材、領域と部材、面と部材、及び領域と面等の関係を意味する。
【００１０】
＜第１実施形態＞
図１は、第１実施形態に係る発光装置の製造方法の積層体を示す模式平面図である。
図２は、第１実施形態に係る発光装置の製造方法の準備する工程を示す模式断面図である。
図３、図５、図７、図９、及び図１１は、第１実施形態に係る発光装置の製造方法の剥離する工程を示す模式平面図である。
図４、図６、図８、及び図１０は、第１実施形態に係る発光装置の製造方法の剥離する工程を示す模式断面図である。
図１２は、第１実施形態に係る発光装置の製造方法の被覆部材を切断する工程を示す模式断面図である。
図１３は、第１実施形態に係る発光装置の製造方法の透光層を配置する工程を示す模式断面図である。
図１４は、第１実施形態に係る発光装置の製造方法の半導体層を実装する工程を示す模式断面図である。
図１５は、第１実施形態に係る発光装置の製造方法の光反射性部材を配置する工程を示す模式断面図である。
図２は、図１に示すII-II線による模式断面図である。図４は、図３に示すIV-IV線による模式断面図である。図６は、図５に示すVI-VI線による模式断面図である。図８は、図７に示すVIII-VIII線による模式断面図である。図１０は、図９に示すX-X線による模式断面図である。
図１～図１１に示すように、第１実施形態に係る発光装置の製造方法は、準備する工程と、剥離する工程と、を備える。具体的には、第１実施形態に係る発光装置の製造方法は、第１面と、前記第１面とは反対側に位置する第２面と、を有し、前記第２面は、第１領域と、前記第１領域の外側に位置する第２領域と、を有する基板と、前記第１領域に配置される半導体層と、前記第２領域に配置され、前記第２領域を被覆し、平面視において前記半導体層の外周を囲む被覆部材と、を有する積層体を準備する工程と、前記基板の前記第１面側から前記積層体にレーザ光を照射して前記半導体層及び前記被覆部材から前記基板を剥離する工程と、を備える。前記剥離する工程は、前記第１領域に第１照射強度の前記レーザ光を照射して、前記半導体層から前記基板を剥離する第１工程と、前記第１工程の後に行われ、少なくとも前記第２領域に、前記第１照射強度よりも低い第２照射強度の前記レーザ光を照射して、前記被覆部材から前記基板を剥離する第２工程と、を有する。上述のように、剥離する工程は、準備する工程の後に行われる。これにより、基板を半導体層から剥離する際に、基板は被覆部材から剥離されていないため、半導体層にかかる応力を低減することができる。この結果、剥離工程において、半導体層が割れる可能性を低減することができる。従って、歩留まりを向上できる発光装置の製造方法を提供することができる。
（【００１１】以降は省略されています）

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