特許ウォッチ

公開番号2025102951
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-07-08
出願番号2025061898,2023143401
出願日2025-04-03,2019-04-11
発明の名称半導体装置
出願人ローム株式会社
代理人個人,個人
主分類H10D 30/66 20250101AFI20250701BHJP()
要約【課題】アクティブクランプ耐量を向上させること。
【解決手段】半導体装置1は、トランジスタが形成された四角形以外の形状のトランジスタ形成領域29を含む基板と、トランジスタ形成領域29上の電極パッド21とを有する半導体素子20と、電極パッド21に接続されている第1ボンディングワイヤ41と、を有する。電極パッド21は、その平面視においてトランジスタ形成領域29の重心を覆うように設けられる。平面視において、第1ボンディングワイヤ41は、電極パッド21との接続点においてトランジスタ形成領域29の重心と重なる。
【選択図】図31A
特許請求の範囲【請求項１】
トランジスタが形成された四角形以外の形状のトランジスタ形成領域を含む基板と、前記トランジスタ形成領域上の電極パッドとを有する半導体素子と、
前記電極パッドに接続されている第１ボンディングワイヤと、
を有し、
前記電極パッドは、その平面視において前記トランジスタ形成領域の重心を覆うように設けられ、
前記平面視において、前記第１ボンディングワイヤは、前記電極パッドとの接続点において前記トランジスタ形成領域の重心と重なる、
半導体装置。
続きを表示（約 1,100 文字）【請求項２】
前記半導体素子は、前記トランジスタ形成領域を区画するＤＴＩ構造を含み、
前記トランジスタは、前記平面視において、前記ＤＴＩ構造によって囲まれている、
請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記ＤＴＩ構造は、前記平面視において、前記電極パッドと重なる部分を含む、
請求項２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記ＤＴＩ構造は、前記ＤＴＩ構造の内部に設けられた絶縁体を含み、
前記トランジスタ形成領域には、前記絶縁体と前記電極パッドとを接続する配線層が配置される、
請求項３に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記配線層は、前記トランジスタ形成領域の前記電極パッド寄りに配置される部分を含む、
請求項４に記載の半導体装置。
【請求項６】
前記半導体装置は、前記半導体素子を載置する第１リードフレームと、前記第１ボンディングワイヤが接続される第３リードフレームとを含み、
出力端子を構成する前記第１リードフレームの第１端子部と、接地端子を構成する前記第３リードフレームの第３端子部とは、前記平面視において、前記半導体装置の同一の側に配置されている、
請求項１に記載の半導体装置。
【請求項７】
前記半導体素子は、前記トランジスタを制御するための信号が入力されるゲートパッドを含み、
前記ゲートパッドは、前記平面視において、前記半導体素子のコーナ寄りに配置されている、
請求項１に記載の半導体装置。
【請求項８】
前記基板は、前記半導体素子の厚さ方向と直交する方向を向く複数の側面及び前記トランジスタを制御する回路が設けられた制御回路領域を含み、
前記複数の側面は、前記平面視において、前記制御回路領域寄りに配置された第１側面と、前記第１側面とは反対側に配置された第２側面とを含み、
前記半導体素子は、前記制御回路領域に配置された温度センサを含み、
前記温度センサは、前記平面視において、前記基板の前記第１側面寄りに配置される、
請求項１に記載の半導体装置。
【請求項９】
前記温度センサは、前記電極パッドと離隔して配置される、
請求項８に記載の半導体装置。
【請求項１０】
前記半導体素子は、前記電極パッドの表面上に表面保護膜を含み、
前記電極パッドの少なくとも一部は、前記表面保護膜によって覆われている、
請求項１に記載の半導体装置。
（【請求項１１】以降は省略されています）
発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本開示は、半導体装置に関する。
続きを表示（約 2,300 文字）【背景技術】
【０００２】
半導体装置の一例として、リードフレームに実装される側の面にドレイン電極が形成され、ドレイン電極が形成される面とは反対側の面にソース電極パッド及びゲート電極パッドが形成される縦型のＭＯＳＦＥＴが知られている（例えば特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
特開２０１５－２３２１１号公報
【０００４】
［概要］
ところで、半導体装置は、誘導性負荷に接続され、ターンオフ時にこの誘導性負荷から放出されるエネルギーを吸収する機能が要求される場合がある。誘導性負荷から半導体装置に与えられるエネルギーが所定値を超えると、半導体装置は、温度上昇に起因して故障するおそれがある。誘導性負荷に蓄積されたエネルギーをどれだけ吸収できるかの指標がアクティブクランプ耐量で示される。アクティブクランプ耐量の値が大きくなるにつれて誘導性負荷に蓄積されたエネルギーをより多く吸収することができる。このため、アクティブクランプ耐量の値が大きいことが好ましい。
【０００５】
本開示の一態様の半導体装置は、トランジスタが形成された四角形以外の形状のトランジスタ形成領域を含む基板と、前記トランジスタ形成領域上の電極パッドとを有する半導体素子と、前記電極パッドに１箇所で接続されている第１接続部材と、を有し、前記電極パッドは、その平面視において前記トランジスタ形成領域の重心を覆うように設けられ、前記平面視において、前記第１接続部材が前記電極パッドに接続された接続領域は、前記トランジスタ形成領域の重心位置を含む。
【０００６】
本願発明者は、半導体装置のアクティブクランプ耐量の向上に対して半導体素子に接続される第１接続部材の半導体素子のトランジスタ形成領域に対する電極パッドの接続位置に着目した。そして本願発明者は、トランジスタ形成領域の重心位置に対応する電極パッドの位置に第１接続部材が接続されると、アクティブクランプ耐量が向上する知見を得た。この点に鑑みて、本半導体装置は、第１接続部材が電極パッドに接続された接続領域がトランジスタ形成領域の重心位置を含むように構成されている。したがって、アクティブクランプ耐量を向上させることができる。
【０００７】
本開示の一態様の半導体装置は、トランジスタが形成された四角形以外の形状のトランジスタ形成領域を含む基板と、前記トランジスタ形成領域上の電極パッドとを有する半導体素子と、前記電極パッドに複数箇所で接続されている第１接続部材と、を有し、前記トランジスタ形成領域は、前記第１接続部材の接続箇所の数に応じて互いに等しい面積の複数の分割領域に分割され、前記電極パッドは、その平面視において前記複数の分割領域それぞれの重心を覆うように設けられ、前記平面視において、前記第１接続部材が前記電極パッドに接続された接続領域は、前記複数の分割領域それぞれの重心位置を含む。
【０００８】
本願発明者は、半導体装置のアクティブクランプ耐量の向上に対して半導体素子に接続される第１接続部材の半導体素子のトランジスタ形成領域に対する電極パッドの接続位置に着目した。そして本願発明者は、第１接続部材が電極パッドの２箇所で接続される場合、トランジスタ形成領域を互いに等しい面積に分割された２つの分割領域それぞれの重心位置に対応する電極パッドの位置に第１接続部材が接続されると、アクティブクランプ耐量が向上する知見を得た。この点に鑑みて、本半導体装置は、第１接続部材が電極パッドに接続された接続領域がトランジスタ形成領域を互いに等しい面積に分割された複数の分割領域それぞれの重心位置を含むように構成されている。したがって、アクティブクランプ耐量を向上させることができる。
【０００９】
本開示の一態様の半導体装置は、トランジスタが形成された四角形以外の形状のトランジスタ形成領域を含む基板と、前記トランジスタ形成領域上の電極パッドとを有する半導体素子と、前記電極パッドに接続されている複数の第１接続部材と、を有し、前記トランジスタ形成領域は、前記第１接続部材の数に応じて互いに等しい面積の複数の分割領域に分割され、前記電極パッドは、その平面視において前記複数の分割領域それぞれの重心を覆うように設けられ、前記平面視において前記複数の第１接続部材が前記電極パッドにそれぞれ接続された接続領域は、前記複数の分割領域それぞれの重心位置を含む。
【００１０】
本願発明者は、半導体装置のアクティブクランプ耐量の向上に対して半導体素子に接続される第１接続部材の半導体素子のトランジスタ形成領域に対する電極パッドの接続位置に着目した。そして本願発明者は、複数の第１接続部材が電極パッドに接続される場合、トランジスタ形成領域を第１接続部材の数に応じて互いに等しい面積に分割した複数の分割領域それぞれの重心位置に対応する電極パッドの位置に第１接続部材が接続されると、アクティブクランプ耐量が向上する知見を得た。この点に鑑みて、本半導体装置は、複数の第１接続部材が電極パッドに接続された接続領域が第１接続部材の数に応じて互いに等しい面積に分割された複数の分割領域それぞれの重心位置を含むように構成されている。したがって、アクティブクランプ耐量を向上させることができる。
（【００１１】以降は省略されています）

関連特許