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公開番号2025111899
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-07-31
出願番号2024005819
出願日2024-01-18
発明の名称弾性波装置、分波器及び通信装置
出願人京セラ株式会社
代理人
主分類H03H 9/25 20060101AFI20250724BHJP(基本電子回路)
要約【課題】板波またはバルク波を利用した弾性波装置において、高温下又は低温下で周波数特性の安定したものが求められている。
【解決手段】回転YカットX伝搬LT単結晶を含むLT層と、前記LT層に隣接し、複数の電極指を有し、弾性波を励振するように構成されたIDT電極と、を備え、前記回転YカットX伝搬LT単結晶のカット角θが、10°≦θ≦90°を満たし、前記弾性波は、板波またはバルク波である、弾性波装置。
【選択図】図6
特許請求の範囲【請求項１】
回転ＹカットＸ伝搬ＬＴ単結晶を含むＬＴ層と、
前記ＬＴ層に隣接し、複数の電極指を有し、弾性波を励振するように構成されたＩＤＴ電極と、
を備え、
前記回転ＹカットＸ伝搬ＬＴ単結晶のカット角θが、
１０°≦θ≦９０°
を満たし、
前記弾性波は、板波またはバルク波である
弾性波装置。
続きを表示（約 1,000 文字）【請求項２】
回転ＹカットＸ伝搬ＬＴ単結晶を含むＬＴ層と、
前記ＬＴ層に隣接し、複数の電極指を有し、弾性波を励振するように構成されたＩＤＴ電極と、
を備え、
前記回転ＹカットＸ伝搬ＬＴ単結晶のカット角θが、
１０°≦θ≦９０°
を満たし、
前記弾性波の共振周波数ｆｒ[ＧＨｚ]および前記ＩＤＴ電極のピッチｐ[μｍ]が、
ｆｒ・ｐ＞３[ＧＨｚ・μｍ]
を満たす
弾性波装置。
【請求項３】
前記ＬＴ層の下方に位置する多層膜を備え、
前記多層膜は、
少なくとも１層の、上方に接触する層と比較して音響インピーダンスが低い部分を含む低音響インピーダンス層と、
少なくとも１層の、上方に接触する層と比較して音響インピーダンスが高い部分を含む高音響インピーダンス層と、
を有し、
前記θが、１０°≦θ≦７５°を満たす
請求項１または２のいずれか１項に記載の弾性波装置。
【請求項４】
前記θが、６０°≦θ≦７０°を満たす
請求項３に記載の弾性波装置。
【請求項５】
前記ＬＴ層の下方に位置する多層膜を備え、
前記多層膜は、
少なくとも１層の、上方に接触する層と比較して音響インピーダンスが低い部分を含む低音響インピーダンス層と、
少なくとも１層の、上方に接触する層と比較して音響インピーダンスが高い部分を含む高音響インピーダンス層と、
を有し、
前記θが、６０°≦θ≦９０°を満たす
請求項１または２のいずれか１項に記載の弾性波装置。
【請求項６】
前記多層膜が含む温度補償層は、温度上昇に伴いヤング率が大きくなる材料を含む
請求項３に記載の弾性波装置。
【請求項７】
前記温度補償層が、前記多層膜のうち、積層方向上方から数えて３層以下の範囲に位置する
請求項６に記載の弾性波装置。
【請求項８】
前記温度補償層が、二酸化ケイ素を含む
請求項６に記載の弾性波装置。
【請求項９】
前記ＬＴ層の下方に位置する空洞部を備え、
前記θは、１０°≦θ≦７０°を満たす
請求項１または２のいずれか１項に記載の弾性波装置。
【請求項１０】
前記θは、２５°≦θ≦６０°を満たす
請求項９に記載の弾性波装置。
（【請求項１１】以降は省略されています）
発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本開示は弾性波を利用する電子部品である弾性波装置、当該弾性波装置を含む分波器及び通信装置に関する。
続きを表示（約 1,600 文字）【背景技術】
【０００２】
弾性波を利用する弾性波装置が知られている。弾性波装置は、例えば、ＳＡＷ（ＳｕｒｆａｃｅＡｃｏｕｓｔｉｃＷａｖｅ）デバイスである。弾性波装置は、例えば、圧電性を有する基板と、当該基板の上面または下面に電圧を印加して弾性波を励振する励振電極とを有している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
国際公開第２０２３／０３３０３２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
板波またはバルク波を利用した弾性波装置において、高温下又は低温下で周波数特性の安定したものが求められている。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
回転ＹカットＸ伝搬ＬＴ単結晶を含むＬＴ層と、前記ＬＴ層に隣接し、複数の電極指を有し、弾性波を励振するように構成されたＩＤＴ電極と、を備え、前記回転ＹカットＸ伝搬ＬＴ単結晶のカット角θが、１０°≦θ≦９０°を満たし、前記弾性波は、板波またはバルク波である弾性波装置。
【０００６】
回転ＹカットＸ伝搬ＬＴ単結晶を含むＬＴ層と、前記ＬＴ層に隣接し、複数の電極指を有し、弾性波を励振するように構成されたＩＤＴ電極と、を備え、前記回転ＹカットＸ伝搬ＬＴ単結晶のカット角θが、１０°≦θ≦９０°を満たし、前記弾性波の共振周波数ｆｒ[ＧＨｚ]および前記ＩＤＴ電極のピッチｐ[μｍ]がｆｒ・ｐ＞３[ＧＨｚ・μｍ]を満たす弾性波装置。
【発明の効果】
【０００７】
本開示の一態様によれば弾性波装置の温度安定性を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
本開示の実施形態に係る弾性波装置の模式的な断面図である。
本開示の実施形態に係る弾性波装置の模式的な断面図である。
本開示の実施形態に係る弾性波装置の模式的な断面図である。
本開示の実施形態に係る弾性波装置の周波数温度特性ＴＣＦ及び比帯域ｄｆのカット角θに対する依存性を示す図である。
本開示の実施形態に係る弾性波装置の周波数温度特性ＴＣＦ及び比帯域ｄｆのカット角θに対する依存性を示す図である。
本開示の実施形態に係る弾性波装置のインピーダンス周波数特性を示す図である。
本開示の実施形態に係る弾性波装置のインピーダンス周波数特性を示す図である。
本開示の比較例に係る弾性波装置の周波数温度特性ＴＣＦ及び比帯域ｄｆのカット角θ依存性を示す図である。
本開示の比較例に係る弾性波装置のインピーダンス周波数特性を示す図である。
本開示の実施形態に係る分波器の模式的な回路図である。
本開示の実施形態に係る通信装置の模式的な回路図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下、本開示に係る実施形態及び比較例について図面を参照して説明する。なお、以下の説明で用いられる図は模式的なものであり図面上の寸法比率等は現実のものとは必ずしも一致していない。また、図面同士でも寸法比率は一致していない。
【００１０】
本開示に係る弾性波装置は、いずれかの方向が上方または下方とされてもよいものであるが、以下では、便宜的にＤ１軸、Ｄ２軸及びＤ３軸によって示される直交座標系を図面に付すとともに、Ｄ３軸の正側を上方として上面または下面等の用語を用いることがある。また、平面視または平面透視という場合、特に断りがない限りはＤ３方向に見ることをいう。なお、Ｄ１軸は後述する電極指の配列方向に平行になるように定義されている。Ｄ２軸は後述する電極指の延在方向に平行になるように定義されている。
（【００１１】以降は省略されています）

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