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公開番号2025139097
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-09-26
出願番号2024037854
出願日2024-03-12
発明の名称情報処理装置、基板処理装置及び情報処理方法
出願人東京エレクトロン株式会社
代理人個人,個人
主分類G05B 13/02 20060101AFI20250918BHJP(制御;調整)
要約【課題】被処理体の状態を精度よく制御可能な装置を提供する。
【解決手段】被処理体を処理する処理容器内の状態を示す第1物理量及び被処理体の状態を示す第2物理量を測定した測定データを取得する取得部と、測定データに基づいて、第1物理量と第2物理量との関係を示すモデルのパラメータを決定する決定部と、決定部により決定されたパラメータを設定されたモデルに基づいて、第2物理量が目標値を満たすまでの時間が最小化するように、第1物理量の設定値を最適化する最適化部と、を備える情報処理装置が提供される。
【選択図】図5
特許請求の範囲【請求項１】
被処理体を処理する処理容器内の状態を示す第１物理量及び前記被処理体の状態を示す第２物理量を測定した測定データを取得するように構成されている取得部と、
前記測定データに基づいて、前記第１物理量と前記第２物理量との関係を示すモデルのパラメータを決定するように構成されている決定部と、
前記決定部により決定されたパラメータを設定された前記モデルに基づいて、前記第２物理量が目標値を満たすまでの時間が最小化するように、前記第１物理量の設定値を最適化するように構成されている最適化部と、
を備える情報処理装置。
続きを表示（約 1,400 文字）【請求項２】
請求項１に記載の情報処理装置であって、
前記測定データは、前記第１物理量の時系列データ及び前記第２物理量の時系列データを含み、
前記最適化部は、前記設定値の時系列データを最適化するように構成されている、
情報処理装置。
【請求項３】
請求項１に記載の情報処理装置であって、
前記最適化部は、所定の制約条件を満たす前記第１物理量の設定値を探索するように構成されている、
情報処理装置。
【請求項４】
請求項３に記載の情報処理装置であって、
前記制約条件は、前記設定値が所定の範囲に入ることを含む、
情報処理装置。
【請求項５】
請求項３に記載の情報処理装置であって、
前記制約条件は、前記第２物理量の最大値が所定の閾値以下となることを含む、
情報処理装置。
【請求項６】
請求項３に記載の情報処理装置であって、
前記第２物理量は、前記処理容器内の第１の領域に対応する第１の第２物理量、及び前記第１の領域と異なる第２の領域に対応する第２の第２物理量を含み、
前記制約条件は、前記第１の第２物理量と前記第２の第２物理量との差が所定の閾値以下となることを含む、
情報処理装置。
【請求項７】
請求項３に記載の情報処理装置であって、
前記最適化部は、前記第２物理量から前記目標値を減算した値の総和がさらに最小化するように、前記第１物理量の設定値を最適化するように構成されている、
情報処理装置。
【請求項８】
請求項１から７のいずれかに記載の情報処理装置であって、
前記第１物理量は、前記処理容器内の温度を含み、
前記第２物理量は、前記被処理体の近傍の温度を含む、
情報処理装置。
【請求項９】
被処理体を処理する処理容器を備える基板処理装置であって、
前記処理容器内の状態を示す第１物理量及び前記被処理体の状態を示す第２物理量を測定した測定データを取得するように構成されている取得部と、
前記測定データに基づいて、前記第１物理量と前記第２物理量との関係を示すモデルのパラメータを決定するように構成されている決定部と、
前記決定部により決定されたパラメータを設定された前記モデルに基づいて、前記第２物理量が目標値を満たすまでの時間が最小化するように、前記第１物理量の設定値を最適化するように構成されている最適化部と、
前記最適化部により最適化された前記設定値に基づいて、前記処理容器内の状態を制御する制御部と、
を備える基板処理装置。
【請求項１０】
情報処理装置が、
被処理体を処理する処理容器内の状態を示す第１物理量及び前記被処理体の状態を示す第２物理量を測定した測定データを取得する手順と、
前記測定データに基づいて、前記第１物理量と前記第２物理量との関係を示すモデルのパラメータを決定する手順と、
前記決定する手順により決定されたパラメータを設定された前記モデルに基づいて、前記第２物理量が目標値を満たすまでの時間が最小化するように、前記第１物理量の設定値を最適化する手順と、
を実行する情報処理方法。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本開示は、情報処理装置、基板処理装置及び情報処理方法に関する。
続きを表示（約 1,400 文字）【背景技術】
【０００２】
処理中の被処理体の温度を測定可能な基板処理装置が知られている。例えば、特許文献１には、基板が載置された状態で処理室に挿入される基板保持具と、基板保持具を回転させる回転機構と、基板保持具が回転する際に基板と同様に回転すると共に基板の温度を測定する基板温度センサと、を備えた基板処理装置が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
国際公開２０２０／０５９７２２号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本開示は、被処理体の状態を精度よく制御可能な装置を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本開示の一の態様によれば、被処理体を処理する処理容器内の状態を示す第１物理量及び被処理体の状態を示す第２物理量を測定した測定データを取得するように構成されている取得部と、測定データに基づいて、第１物理量と第２物理量との関係を示すモデルのパラメータを決定するように構成されている決定部と、決定部により決定されたパラメータを設定されたモデルに基づいて、第２物理量が目標値を満たすまでの時間が最小化するように、第１物理量の設定値を最適化するように構成されている最適化部と、を備える情報処理装置が提供される。
【発明の効果】
【０００６】
一つの側面では、被処理体の状態を精度よく制御できる。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
炉内温度とウェハ表面温度との応答差の一例を示す図である。
基板処理システムの全体構成の一例を示すブロック図である。
基板処理装置の一例を示す概略断面図である。
コンピュータのハードウェア構成の一例を示すブロック図である。
最適化装置の機能構成の一例を示すブロック図である。
温度センサの一例を示す図である。
最適化計算の一例を示す図である。
モデル予測制御の一例を示す図である。
最適化方法の一例を示すフローチャートである。
最適化結果の一例を示す図である。
昇温時の評価結果の一例を示す図である。
降温時の評価結果の一例を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
以下、図面を参照して本開示を実施するための形態について説明する。各図面において、同一構成部分には同一符号を付し、重複した説明を省略する場合がある。
【０００９】
［実施形態］
本開示の一実施形態は、被処理体の一例である基板を処理する基板処理装置を含む基板処理システムである。本実施形態では、基板処理装置は、基板の一例である半導体ウェハを処理容器内で熱処理する。また、基板処理システムは、物理量の一例である処理容器内の温度（以下、「炉内温度」とも呼ぶ）を最適化する最適化装置を含む。
【００１０】
半導体ウェハを熱処理する基板処理装置では、半導体ウェハの表面温度（以下、「ウェハ表面温度」とも呼ぶ）がプロセス結果の精度に影響を及ぼす。しかしながら、基板処理装置では、処理中の半導体ウェハからウェハ表面温度を直接測定することは困難である。そのため、炉内温度を制御することで、ウェハ表面温度を間接的に制御することが行われている。
（【００１１】以降は省略されています）

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