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公開番号
2025145772
公報種別
公開特許公報(A)
公開日
2025-10-03
出願番号
2024046151
出願日
2024-03-22
発明の名称
有機分子メモリ
出願人
キオクシア株式会社
代理人
個人
,
個人
,
個人
主分類
H10B
99/00 20230101AFI20250926BHJP()
要約
【課題】大容量化の実現が可能な有機分子メモリを提供する。
【解決手段】実施形態の有機分子メモリは、第1の電極と、第2の電極と、第1の電極と第2の電極との間に設けられ、第1の電極から第2の電極に向かう第1の方向に延び、第1の分子と、第1の分子と第2の電極との間に設けられた第2の分子と、を含む有機分子層と、第2の分子と対向する第3の電極と、を備える。第1の分子及び第2の分子は、金属錯体又はフラーレン誘導体を含む。
【選択図】図3
特許請求の範囲
【請求項1】
第1の電極と、
第2の電極と、
前記第1の電極と前記第2の電極との間に設けられ、前記第1の電極から前記第2の電極に向かう第1の方向に延び、第1の分子と、前記第1の分子と前記第2の電極との間に設けられた第2の分子と、を含む有機分子層と、
前記第2の分子と対向する第3の電極と、
を備え、
前記第1の分子及び前記第2の分子は、金属錯体又はフラーレン誘導体を含む、有機分子メモリ。
続きを表示(約 1,000 文字)
【請求項2】
第4の電極を更に備え、
前記第1の電極は第1の部分を更に含み、
前記第2の電極は第2の部分を更に含み、
前記第1の方向と交差する方向において、前記第1の部分と前記第4の電極との間に前記第1の分子が設けられ、
前記第1の方向と交差する方向において、前記第2の部分と前記第3の電極との間に前記第2の分子が設けられる、請求項1記載の有機分子メモリ。
【請求項3】
前記第1の分子及び前記第2の分子は、縮退したエネルギー準位を含む、請求項1記載の有機分子メモリ。
【請求項4】
前記第1の分子及び前記第2の分子は、液晶分子である、請求項1記載の有機分子メモリ。
【請求項5】
前記第1の分子及び前記第2の分子は金属錯体であり、
前記第1の分子は構成原子が第1の面を形成する第1の環状構造を有し、
前記第2の分子は構成原子が第2の面を形成する第2の環状構造を有し、
前記第1の面と前記第2の面は、前記第1の方向において対向する、請求項1記載の有機分子メモリ。
【請求項6】
前記金属錯体は、側鎖を含むダブルデッカー型錯体である、請求項1記載の有機分子メモリ。
【請求項7】
前記ダブルデッカー型錯体は、2つのフタロシアニン骨格が積層され、ランタン(La)、セリウム(Ce)、プラセオジム(Pr)、ネオジム(Nd)、サマリウム(Sm)、ユウロピウム(Eu)、ガドリニウム(Gd)、テルビウム(Tb)、ジスプロシウム(Dy)、ホルミウム(Ho)、エルビウム(Er)、ツリウム(Tm)、イッテルビウム(Yb)、及び、ルテチウム(Lu)からなる群から選ばれる一つの希土類元素を含む、請求項6記載の有機分子メモリ。
【請求項8】
前記側鎖は、炭素数が3以上のアルキル鎖を含む、請求項6記載の有機分子メモリ。
【請求項9】
前記金属錯体は、側鎖を含むメタロセン誘導体、側鎖を含むメタロポルフィリン誘導体、又は側鎖を含むメタロフタロシアニン誘導体であり、鉄(Fe)、銅(Cu)、コバルト(Co)、チタン(Ti)、ニッケル(Ni)、亜鉛(Zn)、及びクロム(Cr)からなる群から選ばれる一つの金属元素を含む、請求項1記載の有機分子メモリ。
【請求項10】
前記側鎖は、炭素数が3以上のアルキル鎖を含む、請求項9記載の有機分子メモリ。
(【請求項11】以降は省略されています)
発明の詳細な説明
【技術分野】
【0001】
本発明の実施形態は、有機分子メモリに関する。
続きを表示(約 2,300 文字)
【背景技術】
【0002】
不揮発性メモリの大容量化を実現するために、例えば、メモリセルの微細化や、メモリセルアレイの3次元構造化が進められている。不揮発性メモリの更なる大容量化の実現が望まれる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
特開2023-81627号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
本発明の一実施形態では、大容量化の実現が可能な有機分子メモリを提供する。
【課題を解決するための手段】
【0005】
実施形態の有機分子メモリは、第1の電極と、第2の電極と、前記第1の電極と前記第2の電極との間に設けられ、前記第1の電極から前記第2の電極に向かう第1の方向に延び、第1の分子と、前記第1の分子と前記第2の電極との間に設けられた第2の分子と、を含む有機分子層と、前記第2の分子と対向する第3の電極と、を備え、前記第1の分子及び前記第2の分子は、金属錯体又はフラーレン誘導体を含む。
【図面の簡単な説明】
【0006】
第1の実施形態の有機分子メモリのブロック図。
第1の実施形態の有機分子メモリのメモリセルアレイの等価回路図。
第1の実施形態の有機分子メモリの模式断面図。
第1の実施形態の有機分子の一例を示す図。
第1の実施形態の有機分子の一例を示す図。
第1の実施形態の有機分子の一例を示す図。
第1の実施形態の有機分子の一例を示す図。
第1の実施形態の有機分子の一例を示す図。
第1の実施形態の有機分子の一例を示す図。
第1の実施形態の有機分子の一例を示す図。
第1の実施形態の有機分子の説明図。
第1の実施形態の有機分子の一例を示す図。
第1の実施形態の有機分子の一例を示す図。
第1の実施形態の有機分子の一例を示す図。
第1の実施形態の有機分子の一例を示す図。
第1の実施形態の有機分子の一例を示す図。
第1の実施形態の有機分子の説明図。
第1の実施形態の有機分子メモリの動作の説明図。
第1の実施形態の有機分子メモリの動作の説明図。
第1の実施形態の有機分子メモリの動作の説明図。
第1の実施形態の有機分子メモリの動作の説明図。
第1の実施形態の有機分子メモリの動作の説明図。
第1の実施形態の有機分子メモリの動作の説明図。
第1の実施形態の有機分子メモリの動作の説明図。
第1の実施形態の有機分子メモリの動作の説明図。
第1の実施形態の有機分子メモリの動作の説明図。
第1の実施形態の有機分子メモリの動作の説明図。
第1の実施形態の有機分子メモリの動作の説明図。
第1の実施形態の有機分子メモリの動作の説明図。
第1の実施形態の有機分子メモリの動作の説明図。
第1の実施形態の変形例の有機分子メモリの模式断面図。
第2の実施形態の有機分子メモリのメモリセルアレイの等価回路図。
第2の実施形態の有機分子メモリの模式断面図。
第2の実施形態の有機分子メモリの動作の説明図。
第2の実施形態の有機分子メモリの動作の説明図。
第2の実施形態の有機分子メモリの動作の説明図。
第2の実施形態の有機分子メモリの動作の説明図。
第2の実施形態の有機分子メモリの動作の説明図。
第2の実施形態の有機分子メモリの動作の説明図。
第2の実施形態の有機分子メモリの動作の説明図。
第2の実施形態の有機分子メモリの動作の説明図。
【発明を実施するための形態】
【0007】
以下、図面を参照しつつ実施形態を説明する。なお、以下の説明では、同一又は類似の部材などには同一の符号を付し、一度説明した部材などについては適宜その説明を省略する。
【0008】
実施形態の有機分子メモリを構成する部材の同定には、例えば、二次イオン質量分析法(Secondary Ion Mass Spectroscopy:SIMS)、エネルギー分散型X線分光法(Energy Dispersive X-ray Spectroscopy:EDX)、X線回折分析(X-ray Diffraction: XRD)、電子線回折分析(Electron Beam Diffraction: EBD)、X線光電分光分析(X-ray Photoelectron Spectroscopy:XPS)、放射光X線散乱解析(Synchrotron Radiation X-ray Absorption Fine Structure:XAFS)、液体クロマトグラフィー法、ガスクロマトグラフィ法、又は、イオンクロマトグラフィ法を用いることが可能である。
【0009】
また、実施形態の有機分子メモリを構成する部材の厚さ、部材間の距離等の測定には、例えば、透過型電子顕微鏡(Transmission Electron Microscope:TEM)を用いることが可能である。
【0010】
また、有機分子の分子構造は、例えば、原子間力顕微鏡(AFM)、又は、走査型トンネル顕微鏡(STM)を用いて同定することが可能である。
(【0011】以降は省略されています)
この特許をJ-PlatPat(特許庁公式サイト)で参照する
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