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公開番号2024149374
公報種別公開特許公報(A)
公開日2024-10-18
出願番号2024001388
出願日2024-01-09
発明の名称発光ダイオードのパッケージ構造及びその製造方法
出願人晶呈科技股分有限公司
代理人個人,個人,個人
主分類H01L 33/54 20100101AFI20241010BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】発光ダイオードのパッケージ構造の製造方法を提供する。
【解決手段】基板を提供する工程と、発光ダイオードとダミープラグを基板に設ける配置工程と、パターン化可能な材料を基板にコーティングし、且つ発光ダイオードとダミープラグを被覆するコーティング工程と、パターン化可能な材料をパターン化するパターン化工程と、導電層をパターン化可能な材料の一面に形成し、且つ発光ダイオードとダミープラグに接触させて電気的に接続する堆積工程と、保護層を導電層の一面に形成する保護層形成工程と、発光ダイオードのパッケージ構造を形成する剥離工程と、を含み、導電層の材質は、酸化インジウムスズ材料又は透明導電性材料を含む発光ダイオードのパッケージ構造の製造方法。これにより、プロセス効率と歩留まりを向上させ、且つコストを削減することができる。
【選択図】図1
特許請求の範囲【請求項１】
基板を提供する工程と、
少なくとも１つの発光ダイオードと少なくとも１つのダミープラグを前記基板の表面に設ける配置工程と、
パターン化可能な材料を前記基板の前記表面にコーティングし、且つ前記パターン化可能な材料で前記少なくとも１つの発光ダイオードと前記少なくとも１つのダミープラグを被覆するコーティング工程と、
前記パターン化可能な材料をパターン化することで、前記少なくとも１つの発光ダイオードの一部と前記少なくとも１つのダミープラグの一部を前記パターン化可能な材料から露出させるパターン化工程と、
導電層を前記パターン化可能な材料の前記基板から離れた側の一面に形成し、且つ前記導電層を前記少なくとも１つの発光ダイオードの露出した部分と前記少なくとも１つのダミープラグの露出した部分に接触させて電気的に接続する堆積工程と、
保護層を前記導電層の前記基板から離れた側の一面に形成する保護層形成工程と、
発光ダイオードのパッケージ構造を形成するように、前記基板を、前記パターン化可能な材料、前記少なくとも１つの発光ダイオード、及び前記少なくとも１つのダミープラグから分離させる剥離工程と、
を含み、
前記導電層の材質は、酸化インジウムスズ材料又は透明導電性材料を含む発光ダイオードのパッケージ構造の製造方法。
続きを表示（約 1,500 文字）【請求項２】
前記堆積工程において、室温でスパッタリングによって前記導電層を前記パターン化可能な材料に形成する請求項１に記載の発光ダイオードのパッケージ構造の製造方法。
【請求項３】
前記酸化インジウムスズ材料は、酸化インジウムスズ成分と遷移金属成分を含む請求項１に記載の発光ダイオードのパッケージ構造の製造方法。
【請求項４】
前記導電層は、それぞれ前記酸化インジウムスズ成分又は前記遷移金属成分で製造される少なくとも３つの膜層を有し、且つ前記酸化インジウムスズ成分で製造された前記膜層と前記遷移金属成分で製造された前記膜層は、交互に積層される請求項３に記載の発光ダイオードのパッケージ構造の製造方法。
【請求項５】
前記導電層の前記基板に最も近い前記膜層と前記基板に最も遠い前記膜層は、何れも前記酸化インジウムスズ成分で製造された膜層である請求項４に記載の発光ダイオードのパッケージ構造の製造方法。
【請求項６】
前記酸化インジウムスズ成分で製造された各前記膜層の厚さは、２０ｎｍ～１００ｎｍであり、且つ前記遷移金属成分で製造された各前記膜層の厚さは、１ｎｍ～１０ｎｍである請求項４に記載の発光ダイオードのパッケージ構造の製造方法。
【請求項７】
前記導電層の厚さは、５０ｎｍ～２００ｎｍである請求項１に記載の発光ダイオードのパッケージ構造の製造方法。
【請求項８】
前記基板の前記表面は、前記基板と、前記少なくとも１つの発光ダイオード、前記少なくとも１つのダミープラグ、及び前記パターン化可能な材料との間に位置する剥離可能な層を有し、且つ前記剥離工程において、前記基板に対し、光照射、加熱、又は冷却を行うことで、前記剥離可能な層を、前記少なくとも１つの発光ダイオード、前記少なくとも１つのダミープラグ、及び前記パターン化可能な材料から分離させる請求項１に記載の発光ダイオードのパッケージ構造の製造方法。
【請求項９】
請求項１～８の何れか一項に記載の発光ダイオードのパッケージ構造の製造方法により製造された発光ダイオードのパッケージ構造。
【請求項１０】
上面及び下面を含むパターン化可能な材料層と、
前記パターン化可能な材料層に埋設され、第１の表面が前記パターン化可能な材料層の前記下面から露出する少なくとも１つの発光ダイオードと、
前記パターン化可能な材料層に埋設され、且つ第３の表面が前記パターン化可能な材料層の前記下面から露出する少なくとも１つのダミープラグと、
前記パターン化可能な材料層の前記上面を覆い、且つ前記少なくとも１つの発光ダイオード及び前記少なくとも１つのダミープラグに接触して電気的に接続される導電層と、
前記導電層を覆う保護層と、
を含み、
前記パターン化可能な材料層は、少なくとも２つの貫通孔を含み、前記少なくとも１つの発光ダイオードは、前記第１の表面に対向する第２の表面を有し、前記少なくとも１つのダミープラグは、前記第３の表面に対向する第４の表面を有し、前記貫通孔は、前記パターン化可能な材料層の前記上面から前記少なくとも１つの発光ダイオードの前記第２の表面及び前記少なくとも１つのダミープラグの前記第４の表面まで延伸し、且つ前記導電層は、前記貫通孔を介して前記少なくとも１つの発光ダイオードの前記第２の表面及び前記少なくとも１つのダミープラグの前記第４の表面に接触し、
前記導電層の材質は、酸化インジウムスズ材料又は透明導電性材料を含む発光ダイオードのパッケージ構造。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、発光ダイオードのパッケージ構造に関し、特に、プロセス効率と歩留まりを向上させ、且つコストを削減することができる発光ダイオードのパッケージ構造及びその製造方法に関する。
続きを表示（約 1,400 文字）【背景技術】
【０００２】
従来の発光ダイオードのパッケージ構造の製造方法は、発光ダイオードとダミープラグ（ｄｕｍｍｙｐｌｕｇ）を基板に固定した後に、ワイヤボンディングを行うことで、発光ダイオードとダミープラグを電気的接続して、コロイドパッケージを行うことである。しかしながら、上記製造方法の工程は、煩雑であり、プロセス効率及び歩留まりに影響を与え、且つ前述の基板を繰り返して使用することができず、製造コストが大幅に増加する。
【０００３】
これに鑑みて、如何に発光ダイオードのパッケージ効率と歩留まりを向上させ、且つコストを削減するかは、依然として関連業者が努力する目標である。
【発明の概要】
【０００４】
本発明の一態様は、基板を提供する工程と、少なくとも１つの発光ダイオードと少なくとも１つのダミープラグを基板の表面に設ける配置工程と、パターン化可能な材料を基板の表面にコーティングし、且つパターン化可能な材料で少なくとも１つの発光ダイオードと少なくとも１つのダミープラグを被覆するコーティング工程と、パターン化可能な材料をパターン化することで、少なくとも１つの発光ダイオードの一部と少なくとも１つのダミープラグの一部をパターン化可能な材料から露出させるパターン化工程と、導電層をパターン化可能な材料の基板から離れた側の一面に形成し、且つ導電層を少なくとも１つの発光ダイオードの露出した部分と少なくとも１つのダミープラグの露出した部分に接触させて電気的に接続する堆積工程と、保護層を導電層の基板から離れた側の一面に形成する保護層形成工程と、発光ダイオードのパッケージ構造を形成するように、基板を、パターン化可能な材料、少なくとも１つの発光ダイオード、及び少なくとも１つのダミープラグから分離させる剥離工程と、を含み、導電層の材質は、酸化インジウムスズ材料又は透明導電性材料を含む発光ダイオードのパッケージ構造の製造方法を提供する。
【０００５】
前述の発光ダイオードのパッケージ構造の製造方法によれば、堆積工程において、室温でスパッタリングによって導電層をパターン化可能な材料に形成してよい。
【０００６】
前述の発光ダイオードのパッケージ構造の製造方法によれば、酸化インジウムスズ材料は、酸化インジウムスズ成分と遷移金属成分を含んでよい。
【０００７】
前述の発光ダイオードのパッケージ構造の製造方法によれば、導電層は、それぞれ酸化インジウムスズ成分又は遷移金属成分で製造される少なくとも３つの膜層を有してよく、且つ酸化インジウムスズ成分で製造された膜層と遷移金属成分で製造された膜層は、交互に積層されてよい。
【０００８】
前述の発光ダイオードのパッケージ構造の製造方法によれば、導電層の基板に最も近い膜層と基板に最も遠い膜層は、何れも酸化インジウムスズ成分で製造された膜層であってよい。
【０００９】
前述の発光ダイオードのパッケージ構造の製造方法によれば、酸化インジウムスズ成分で製造された各膜層の厚さは、２０ｎｍ～１００ｎｍであってよく、且つ遷移金属成分で製造された各膜層の厚さは、１ｎｍ～１０ｎｍであってよい。
【００１０】
前述の発光ダイオードのパッケージ構造の製造方法によれば、導電層の厚さは、５０ｎｍ～２００ｎｍであってよい。
（【００１１】以降は省略されています）

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