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公開番号2025113466
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-08-01
出願番号2025089669,2023538017
出願日2025-05-29,2023-02-14
発明の名称ダイシングダイボンディングフィルム、及び、半導体装置を製造する方法
出願人株式会社レゾナック
代理人個人,個人,個人,個人
主分類H01L 21/301 20060101AFI20250725BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】本開示の一側面は、10μm以下の厚みを有するダイボンディングフィルムを有するダイシングダイボンディングフィルムに関して、ダイシングダイボンディングフィルムを伸張させることを含む方法により半導体ウェハを分割する工程におけるダイボンディングフィルムの分断性を改善することに関する。
【解決手段】ダイボンディングフィルムと、ダイボンディングフィルムに貼り合せられた粘着剤層を有するダイシングフィルムとを備えるダイシングダイボンディングフィルムが開示される。接着剤層の厚みが10μm以下である。粘着剤層の厚みが10μm未満である。ダイシングフィルムが基材フィルムを更に有していてもよく、基材フィルム上に粘着剤層が設けられていてもよい。
【選択図】図1
特許請求の範囲【請求項１】
ダイボンディングフィルムと、
前記ダイボンディングフィルムに貼り合せられた粘着剤層を有するダイシングフィルムと、
を備え、
前記ダイボンディングフィルムの厚みが１０μｍ以下であり、
前記粘着剤層の厚みが１０μｍ未満である、
ダイシングダイボンディングフィルム。
続きを表示（約 490 文字）【請求項２】
前記ダイボンディングフィルムに対する前記粘着剤層の３０°ピール強度が６．０Ｎ／２５ｍｍ以上である、請求項１に記載のダイシングダイボンディングフィルム。
【請求項３】
前記ダイシングフィルムが基材フィルムを更に有し、前記基材フィルム上に前記粘着剤層が設けられている、請求項１又は２に記載のダイシングダイボンディングフィルム。
【請求項４】
請求項１又は２に記載のダイシングダイボンディングフィルムの前記ダイボンディングフィルムを半導体ウェハに貼り付けることと、
前記ダイシングダイボンディングフィルムを伸張させることを含む方法により前記半導体ウェハ及び前記ダイボンディングフィルムを分割し、それにより、チップ及び個片化された前記ダイボンディングフィルムを有するダイボンディングフィルム付きチップを前記粘着剤層上に形成することと、
を含む、半導体装置を製造する方法。
【請求項５】
前記半導体ウェハ及び前記ダイボンディングフィルムを分割する方法がステルスダイシング法である、請求項４に記載の方法。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本開示は、ダイシングダイボンディングフィルム、及び、これを用いて半導体装置を製造する方法に関する。
続きを表示（約 2,200 文字）【背景技術】
【０００２】
半導体ウェハをダイシングにより分割する工程の間、半導体ウェハを固定するために利用されるダイシングフィルムと、チップとチップとの間又はチップと基板との間を接着するダイボンディングフィルムとが一体化されたダイシングダイボンディングフィルム（半導体加工用テープ）が、半導体装置の製造のために用いられることがある（例えば、特許文献１、２）。ダイシングダイボンディングフィルムを構成するダイボンディングフィルムは、一般に数十μｍ程度の厚みを有することが多い。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
特許第６５３５１１７号公報
特許第６９２８８５２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
半導体パッケージにおけるチップの積層数の増加、及びチップの薄化に伴って、１０μｍ以下の厚みを有する、極めて薄いダイボンディングフィルムの適用が望まれている。ところが、ダイボンディングフィルムが１０μｍ以下の厚みまで薄くなると、ダイシングダイボンディングフィルムを伸張させることを含む方法により半導体ウェハを分割する工程において、ダイボンディングフィルムが分断され難いことがあることが明らかとなった。ダイボンディングフィルムが容易に分断されないと、個片化されたダイボンディングフィルムが付着したチップをピックアップすることが困難となり、半導体製造の歩留まりの低下に繋がり得る。
【０００５】
本開示の一側面は、１０μｍ以下の厚みを有するダイボンディングフィルムを有するダイシングダイボンディングフィルムに関して、ダイシングダイボンディングフィルムを伸張させることを含む方法により半導体ウェハを分割する工程におけるダイボンディングフィルムの分断性を改善することに関する。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本開示の一側面は、ダイボンディングフィルムと、前記ダイボンディングフィルムに貼り合せられた粘着剤層を有するダイシングフィルムとを備えるダイシングダイボンディングフィルムに関する。前記ダイボンディングフィルムの厚みが１０μｍ以下であり、前記粘着剤層の厚みが１０μｍ未満である。
【０００７】
本開示の別の一側面は、前記ダイシングダイボンディングフィルムの前記ダイボンディングフィルムを半導体ウェハに貼り付けることと、前記ダイシングダイボンディングフィルムを伸張させることを含む方法により前記半導体ウェハ及び前記ダイボンディングフィルムを分割し、それにより、チップ及び個片化された前記ダイボンディングフィルムを有するダイボンディングフィルム付きチップを前記粘着剤層上に形成することと、を含む、半導体装置を製造する方法に関する。
【０００８】
本開示は以下を含む。
［１］
ダイボンディングフィルムと、
前記ダイボンディングフィルムに貼り合せられた粘着剤層を有するダイシングフィルムと、
を備え、
前記ダイボンディングフィルムの厚みが１０μｍ以下であり、
前記粘着剤層の厚みが１０μｍ未満である、
ダイシングダイボンディングフィルム。
［２］
前記ダイボンディングフィルムに対する前記粘着剤層の３０°ピール強度が６．０Ｎ／２５ｍｍ以上である、［１］に記載のダイシングダイボンディングフィルム。
［３］
前記ダイシングフィルムが基材フィルムを更に有し、前記基材フィルム上に前記粘着剤層が設けられている、［１］又は［２］に記載のダイシングダイボンディングフィルム。
［４］
［１］～［３］のいずれか一項に記載のダイシングダイボンディングフィルムの前記ダイボンディングフィルムを半導体ウェハに貼り付けることと、
前記ダイシングダイボンディングフィルムを伸張させることを含む方法により前記半導体ウェハ及び前記ダイボンディングフィルムを分割し、それにより、チップ及び個片化された前記ダイボンディングフィルムを有するダイボンディングフィルム付きチップを前記粘着剤層上に形成することと、
を含む、半導体装置を製造する方法。
［５］
前記半導体ウェハ及び前記ダイボンディングフィルムを分割する方法がステルスダイシング法である、［４］に記載の方法。
【発明の効果】
【０００９】
１０μｍ以下の厚みを有するダイボンディングフィルムを有するダイシングダイボンディングフィルムに関して、ダイシングダイボンディングフィルムを伸張させることを含む方法により半導体ウェハを分割する工程におけるダイボンディングフィルムの分断性を改善することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
ダイシングダイボンディングフィルムの一例を示す平面図及び断面図である。
半導体装置を製造する方法の一例を示す工程図である。
半導体装置を製造する方法の一例を示す工程図である。
【発明を実施するための形態】
（【００１１】以降は省略されています）

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