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公開番号2025113812
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-08-04
出願番号2024008159
出願日2024-01-23
発明の名称積層セラミック電子部品および誘電体磁器組成物
出願人太陽誘電株式会社
代理人個人
主分類C04B 35/468 20060101AFI20250728BHJP(セメント;コンクリート;人造石;セラミックス;耐火物)
要約【課題】焼成温度による静電容量の変化を抑制することができる積層セラミック電子部品および誘電体磁器組成物を提供する。
【解決手段】積層セラミック電子部品は、互いに対向する複数の内部電極層と、前記複数の内部電極層に挟まれて設けられ、コア部411と、コア部411を覆い、希土類元素を含むシェル部412と、シェル部412の内部に偏析してシェル部412より前記希土類元素の濃度が高い酸化物42と、を有し一般式ABO₃で表されるペロブスカイト構造である誘電体粒子41を含む誘電体層と、前記複数の内部電極層に電気的に接続される外部電極と、を有する。
【選択図】図1

特許請求の範囲【請求項１】
互いに対向する複数の内部電極層と、
前記複数の内部電極層に挟まれて設けられ、コア部と、前記コア部を覆い、希土類元素を含むシェル部と、前記シェル部の内部に偏析して前記シェル部より前記希土類元素の濃度が高い酸化物と、を有し一般式ＡＢＯ
３
で表されるペロブスカイト構造である誘電体粒子を含む誘電体層と、
前記複数の内部電極層に電気的に接続される外部電極と、を有する積層セラミック電子部品。
続きを表示（約 730 文字）【請求項２】
前記酸化物は、パイロクロア相を含む、請求項１に記載の積層セラミック電子部品。
【請求項３】
前記ペロブスカイト構造のＡサイトにバリウムを含み、
前記ペロブスカイト構造のＢサイトに含まれる元素がチタン、ジルコニウムの少なくとも１つである、請求項１に記載の積層セラミック電子部品。
【請求項４】
前記希土類元素は、ランタン、セリウム、プラセオジム、ネオジム、プロメチウム、サマリウム、ユーロピウム、ガドリニウム、テルビウム、ジスプロシウム、ホルミウム、エルビウムから選択される少なくとも一種以上からなる、請求項１に記載の積層セラミック電子部品。
【請求項５】
前記シェル部は、チタンに対する希土類の元素比率が０．０２以上０．２０未満である、請求項１に記載の積層セラミック電子部品。
【請求項６】
前記酸化物は、チタンに対する希土類の元素比率が０．２０以上である、請求項１に記載の積層セラミック電子部品。
【請求項７】
前記酸化物は、前記シェル部の内部に内包されている、請求項１に記載の積層セラミック電子部品。
【請求項８】
前記酸化物は、前記コア部の一部に接している、請求項１に記載の積層セラミック電子部品。
【請求項９】
前記酸化物は、前記誘電体粒子の粒界の一部に接している、請求項１に記載の積層セラミック電子部品。
【請求項１０】
前記酸化物は、前記コア部の一部から、前記誘電体粒子の粒界の一部まで延在している、請求項１に記載の積層セラミック電子部品。
（【請求項１１】以降は省略されています）
発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、積層セラミック電子部品および誘電体磁器組成物に関する。
続きを表示（約 1,300 文字）【背景技術】
【０００２】
携帯電話を代表とする高周波通信用システムなどにおいて、積層セラミックコンデンサ（ＭＬＣＣ：Ｍｕｌｔｉ－Ｌａｙｅｒｃｅｒａｍｉｃｃａｐａｃｉｔｏｒ）などの積層セラミック電子部品が用いられている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
特開２０１６－１２４７７９号公報
特開２０１１－２１０７８３号公報
【非特許文献】
【０００４】
島根大学教育学部紀要（自然科学）第３６巻ｐ６５－６９
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
近年、車載電子制御装置などの、人の生命に関わる電子回路においても、積層セラミック電子部品の使用用途が拡大しており、高い信頼性が求められると同時に供給量の観点からより高い量産性を求められている。
【０００６】
積層セラミック電子部品の誘電体層に用いられる誘電体磁器組成物には、チタン酸バリウムをコア部とし、各種添加物が固溶したシェル部がコア部を囲むコア－シェル構造の焼結体が利用されている。この構造を取ることで、１２５℃付近に存在するチタン酸バリウムの強誘電体相から常誘電体相へ変化するキュリー温度近傍における大きな静電容量の発現を、シェル部では各種添加物の効果により低温に遷移させることが可能である。したがって、室温付近の実用となる温度領域において、静電容量をより高める設計が可能となっている。
【０００７】
コア－シェル構造は、チタン酸バリウムに対して各種添加物を固溶させることで生成されると考えられている。コア－シェル構造は、例えば、１０００℃から１４００℃における焼成温度域で、主成分のチタン酸バリウム粒子に各種添加物として加えた成分が反応していくことで生成されると考えられている。一般的に、焼成温度が高くなるにしたがって、各種添加物が固溶し、シェル部が厚くなっていく。したがって、積層セラミック電子部品の静電容量を、求められた範囲に収めるためには、各種添加物の固溶を精密に制御する必要がある。
【０００８】
例えば、特許文献１、２には、チタン酸バリウム系主成分および副成分を含み、焼結後のＸＲＤ分析において、希土類元素を含むパイロクロア相の相対強度が制御された誘電体磁器組成物、誘電体材料、およびそれを含む積層セラミックキャパシタが開示されている。
【０００９】
近年、誘電体磁器組成物および積層セラミック電子部品の使用用途が拡大していることから、より高い量産性が求められている。そのために、焼成温度による静電容量の変化を抑制し、温度による静電容量の振れを低減する必要がある。
【００１０】
本発明は、上記課題に鑑みなされたものであり、焼成温度による静電容量の変化を抑制することができる積層セラミック電子部品および誘電体磁器組成物を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
（【００１１】以降は省略されています）

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