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公開番号2025135988
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-09-19
出願番号2024034114
出願日2024-03-06
発明の名称弾性波デバイス、フィルタ、及び弾性波デバイスの製造方法
出願人太陽誘電株式会社
代理人個人
主分類H03H 9/25 20060101AFI20250911BHJP(基本電子回路)
要約【課題】バルク波が外部に漏れることを抑制することが可能な弾性波デバイスを提供する。
【解決手段】弾性波デバイス100は、凹部17を有する支持基板10と、凹部17に充填された絶縁膜15と、絶縁膜15上から支持基板10上にかけて設けられた圧電層16と、絶縁膜15に支持基板10の上方から見て重なって圧電層16上に設けられ、複数の電極指18を備える一対の櫛型電極20とを備える。弾性波デバイス100の製造方法は、支持基板10に凹部17を形成する工程と、凹部17に絶縁膜15を充填する工程と、絶縁膜15および支持基板10に圧電層16を直接接合する工程と、絶縁膜15に支持基板10の上方から見て重なるように圧電層16上に複数の電極指18を備える一対の櫛型電極20を形成する工程とを備える。
【選択図】図1
特許請求の範囲【請求項１】
凹部を有する基板と、
前記凹部に充填された絶縁膜と、
前記絶縁膜上から前記基板上にかけて設けられた圧電層と、
前記絶縁膜に前記基板の上方から見て重なって前記圧電層上に設けられ、複数の電極指を備える一対の櫛型電極と、を備える弾性波デバイス。
続きを表示（約 970 文字）【請求項２】
前記凹部の側壁の少なくとも一部は断面視において傾斜している、請求項１に記載の弾性波デバイス。
【請求項３】
前記圧電層の厚さは前記複数の電極指の平均ピッチの２倍以下である、請求項１または２に記載の弾性波デバイス。
【請求項４】
前記絶縁膜は、酸化シリコン膜またはフッ素、リン、もしくはボロンが添加された酸化シリコン膜であり、前記凹部の内面から離れかつ前記基板の上方から見て前記一対の櫛型電極に重なる第１膜と、前記凹部の内面と前記第１膜との間に設けられ、前記第１膜の周りを囲み、酸化アルミニウム膜、シリコン膜、窒化アルミニウム膜、窒化シリコン膜、または炭化シリコン膜である第２膜と、を含む、請求項１または２に記載の弾性波デバイス。
【請求項５】
前記凹部の内面は凹凸を有する、請求項１または２に記載の弾性波デバイス。
【請求項６】
前記基板は、前記凹部に隣接する他の凹部を有し、
前記他の凹部に充填された他の絶縁膜と、
前記他の絶縁膜に前記基板の上方から見て重なって前記圧電層上に設けられ、他の複数の電極指を備える他の一対の櫛型電極と、を備え、
前記複数の電極指および前記他の複数の電極指は、前記凹部と前記他の凹部が隣り合う方向に配列されている、請求項１または２に記載の弾性波デバイス。
【請求項７】
前記圧電層は、前記凹部と前記他の凹部との間で分断されている、請求項６に記載の弾性波デバイス。
【請求項８】
前記一対の櫛型電極上に空隙を介し設けられ、前記基板と同じ材料からなり、前記一対の櫛型電極を前記空隙中に封止するリッドをさらに備える、請求項１または２に記載の弾性波デバイス。
【請求項９】
請求項１または２に記載の弾性波デバイスを含むフィルタ。
【請求項１０】
基板に凹部を形成する工程と、
前記凹部に絶縁膜を充填する工程と、
前記絶縁膜および前記基板に圧電層を直接接合する工程と、
前記絶縁膜に前記基板の上方から見て重なるように前記圧電層上に複数の電極指を備える一対の櫛型電極を形成する工程と、を備える弾性波デバイスの製造方法。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、弾性波デバイス、フィルタ、及び弾性波デバイスの製造方法に関する。
続きを表示（約 1,200 文字）【背景技術】
【０００２】
スマートフォン等の通信機器に用いられる弾性波デバイスとして弾性表面波共振器が知られている。弾性表面波共振器を形成する圧電基板を支持基板に接合することが知られている。圧電基板と支持基板との間に圧電基板より音速の低い低音速層を設けることが知られている（例えば特許文献１）。弾性表面波共振器を空隙内に封止する封止部を圧電基板上又は支持基板上に設けることが知られている（例えば特許文献２、３）。圧電基板を伝搬するバルク波が外部に漏れることを抑制するために、圧電基板に溝部を設けることが知られている（例えば特許文献４）。弾性表面波共振器の下方において支持基板に凹部を設ける構成や、凹部内に音響反射膜を設ける構成が知られている（例えば特許文献５、６）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
特開２０１９－２０１３４５号公報
特開２００６－２４６１１２号公報
特開２０１４－２３６３８７号公報
特開２００４－３３６５０３号公報
国際公開第２０１６／０５２１２９号
特開２０１３－２２３０２５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
基板上に温度補償膜等の絶縁膜を介して圧電層が設けられる場合、圧電層上の電極指が励振するバルク波が絶縁膜を伝搬して外部に漏れることがある。
【０００５】
本発明は、上記課題に鑑みなされたものであり、バルク波が外部に漏れることを抑制することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、凹部を有する基板と、前記凹部に充填された絶縁膜と、前記絶縁膜上から前記基板上にかけて設けられた圧電層と、前記絶縁膜に前記基板の上方から見て重なって前記圧電層上に設けられ、複数の電極指を備える一対の櫛型電極と、を備える弾性波デバイスである。
【０００７】
上記構成において、前記凹部の側壁の少なくとも一部は断面視において傾斜している構成とすることができる。
【０００８】
上記構成において、前記圧電層の厚さは前記複数の電極指の平均ピッチの２倍以下である構成とすることができる。
【０００９】
上記構成において、前記絶縁膜は、酸化シリコン膜またはフッ素、リン、もしくはボロンが添加された酸化シリコン膜であり、前記凹部の内面から離れかつ前記基板の上方から見て前記一対の櫛型電極に重なる第１膜と、前記凹部の内面と前記第１膜との間に設けられ、前記第１膜の周りを囲み、酸化アルミニウム膜、シリコン膜、窒化アルミニウム膜、窒化シリコン膜、または炭化シリコン膜である第２膜と、を含む構成とすることができる。
【００１０】
上記構成において、前記凹部の内面は凹凸を有する構成とすることができる。
（【００１１】以降は省略されています）

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