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公開番号2025142291
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-09-30
出願番号2025126349,2021032058
出願日2025-07-29,2021-03-01
発明の名称セラミック電子部品
出願人太陽誘電株式会社
代理人弁理士法人片山特許事務所
主分類H01G 4/30 20060101AFI20250919BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】クラックの発生を抑制しつつ内部電極層の連続率を維持することができるセラミック電子部品を提供する。
【解決手段】セラミック電子部品は、セラミックを主成分とする複数の誘電体層と、複数の内部電極層と、が積層された積層チップを備え、前記内部電極層は、Niと、Sと、Snと、を含み、前記内部電極層は、厚さ方向の中心部にNiを主成分とするNi層を備え、前記内部電極層において、前記Ni層よりも前記誘電体層側に前記Ni層よりもSn濃度の高い高Sn濃度部が備わり、前記高Sn濃度部よりも前記誘電体層側に前記Ni層よりもS濃度の高い高S濃度部が備わり、前記高Sn濃度部のSn濃度は前記高S濃度部よりも高いことを特徴とする。
【選択図】図4

特許請求の範囲【請求項１】
セラミックを主成分とする複数の誘電体層と、複数の内部電極層と、が積層された積層チップを備え、
前記内部電極層は、Ｎｉと、Ｓと、Ｓｎと、を含み、
前記内部電極層は、厚さ方向の中心部にＮｉを主成分とするＮｉ層を備え、
前記内部電極層において、前記Ｎｉ層よりも前記誘電体層側に前記Ｎｉ層よりもＳｎ濃度の高い高Ｓｎ濃度部が備わり、前記高Ｓｎ濃度部よりも前記誘電体層側に前記Ｎｉ層よりもＳ濃度の高い高Ｓ濃度部が備わり、前記高Ｓｎ濃度部のＳｎ濃度は前記高Ｓ濃度部よりも高いことを特徴とするセラミック電子部品。
続きを表示（約 160 文字）【請求項２】
前記内部電極層において、厚さ方向の中心部よりも、前記誘電体層との界面近傍において、Ｓｎ濃度およびＳ濃度が高いことを特徴とする請求項１に記載のセラミック電子部品。
【請求項３】
前記内部電極層は、０．４μｍ以下の厚みを有することを特徴とする請求項１または請求項２に記載のセラミック電子部品。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、セラミック電子部品に関する。
続きを表示（約 1,300 文字）【背景技術】
【０００２】
積層セラミックコンデンサなどのセラミック電子部品は、チタン酸バリウムなどの誘電体材料を主原料とした誘電体グリーンシートの上に、ニッケル（Ｎｉ）などの金属材料からなる金属ペーストを印刷し、積層、圧着、カット、脱バインダ、焼成、外部電極塗布等を経て作製される。市場要求であるセラミック電子部品の小型大容量化のため、誘電体層の薄層化と同様、内部電極層の薄層化および高積層化が要求されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
特開２００３－１２９１１６号公報
特開２０１４－５４９１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
内部電極の薄層化のためには、焼成前の金属粉末の粒子の物理的サイズを極力小さくすることが求められる（例えば、特許文献１参照）。しかしながら、Ｎｉなどの卑金属微粒子を用いた場合、小径化に伴い、表面酸化量が増加する。表面酸化量が増加すると、表面酸素による脱バインダ進行が無視できなくなり、脱バインダクラックが頻出し、問題となり得る。
【０００５】
表面酸素の還元抑制のために、硫黄（Ｓ）を添加することが知られている（例えば、特許文献２参照）。しかしながら、Ｓの添加量が多くなると、Ｓが脱離する際に急激な収縮が生じるため、クラックが発生する。また、Ｓの燃焼反応により、雰囲気中の還元度が上がり、共材や誘電体の粒成長が加速され、内部電極の連続性が悪化する。
【０００６】
本発明は、上記課題に鑑みなされたものであり、クラックの発生を抑制しつつ内部電極層の連続率を維持することができるセラミック電子部品を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明に係るセラミック電子部品は、セラミックを主成分とする複数の誘電体層と、複数の内部電極層と、が積層された積層チップを備え、前記内部電極層は、Ｎｉと、Ｓと、Ｓｎと、を含むことを特徴とする。
【０００８】
上記セラミック電子部品の前記内部電極層において、厚さ方向の中心部よりも、前記誘電体層との界面近傍において、Ｓｎ濃度およびＳ濃度が高くてもよい。
【０００９】
上記セラミック電子部品において、前記内部電極層は、厚さ方向の中心部にＮｉを主成分とするＮｉ層を備え、前記内部電極層において、前記Ｎｉ層よりも前記誘電体層側に前記Ｎｉ層よりもＳ濃度およびＳｎ濃度の高い高濃度部が備わっていてもよい。
【００１０】
上記セラミック電子部品において、前記内部電極層は、厚さ方向の中心部にＮｉを主成分とするＮｉ層を備え、前記内部電極層において、前記Ｎｉ層よりも前記誘電体層側に前記Ｎｉ層よりもＳ濃度の高い高Ｓ濃度部が備わり、前記高Ｓ濃度部よりも前記誘電体層側に前記高Ｓ濃度部よりもＳｎ濃度の高い高Ｓｎ濃度部が備わっていてもよい。
（【００１１】以降は省略されています）

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