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公開番号2025114386
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-08-05
出願番号2024009052
出願日2024-01-24
発明の名称発光部品及び発光装置、測定装置
出願人富士フイルムビジネスイノベーション株式会社
代理人個人,個人
主分類H01S 5/026 20060101AFI20250729BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】アノード層と、ゲート層と、カソード層とが積層されたサイリスタのアノード層とゲート層とに印加される電圧が同じである場合に比して、誤点灯を抑制する。
【解決手段】発光装置は、基板と、基板上に設けられる複数の発光素子と、オン状態になることで複数の発光素子をそれぞれ発光させ、または複数の発光素子の発光量をそれぞれ増加させる複数のサイリスタであって、サイリスタはアノード層と、ゲート層と、カソード層とが積層され、ゲート層に供給される第1の電位がアノード層に供給される第2の電位よりも高くなるような電位の供給をうけるサイリスタと、を備える。
【選択図】図3
特許請求の範囲【請求項１】
基板と、
前記基板上に設けられる複数の発光素子と、
オン状態になることで複数の前記発光素子をそれぞれ発光させ、または複数の当該発光素子の発光量をそれぞれ増加させる複数のサイリスタであって、当該サイリスタはアノード層と、ゲート層と、カソード層とが積層され、当該ゲート層に供給される第１の電位が当該アノード層に供給される第２の電位よりも高くなるような電位の供給をうけるサイリスタと、
を備えた発光部品。
続きを表示（約 840 文字）【請求項２】
前記サイリスタがオフ状態となったときに、前記ゲート層に供給される第１の電位が前記アノード層に供給される第２の電位よりも高くなるような電位の供給をうけることで当該サイリスタの当該アノード層と当該ゲート層との間が逆バイアス状態となる、請求項１に記載の発光部品。
【請求項３】
基板と、
前記基板上に設けられる複数の発光素子と、
オン状態になることで複数の前記発光素子をそれぞれ発光させ、または複数の当該発光素子の発光量をそれぞれ増加させる複数のサイリスタであって、当該サイリスタはアノード層と、ゲート層と、カソード層とが積層され、当該ゲート層に供給される第１の電位が当該アノード層に供給される第２の電位よりも高くなるような電位の供給をうけるサイリスタと、
前記基板上に設けられ、前記サイリスタを個別に駆動してオン状態に移行させる駆動部であって、前記サイリスタのゲート層に供給される前記第２の電位が供給される駆動部と、
を備えた発光装置。
【請求項４】
基板と、
前記基板上に設けられる複数の発光素子と、
オン状態になることで複数の前記発光素子をそれぞれ発光させ、または複数の当該発光素子の発光量をそれぞれ増加させる複数のサイリスタであって、当該サイリスタはアノード層と、ゲート層と、カソード層とが積層され、当該ゲート層に供給される第１の電位が当該アノード層に供給される第２の電位よりも高くなるような電位の供給をうけるサイリスタと、
前記基板上に設けられ、前記サイリスタを個別に駆動してそれぞれの前記発光素子を予め定められたタイミングで発光させる駆動部であって、前記サイリスタのゲート層に供給される前記第２の電位が供給される駆動部と、
それぞれの発光領域からの光が対象物で反射した反射光に基づいて、当該対象物に関する情報を取得する取得部と、
を備えた測定装置。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、発光部品及び発光装置、測定装置に関する。
続きを表示（約 2,800 文字）【背景技術】
【０００２】
特許文献１には、半導体基板と、半導体基板上に形成され、光を照射する複数の発光素子を有する発光素子部と、半導体基板上に形成され、発光素子へ信号を伝達する信号線と、信号線に沿って、信号線と半導体基板との間に形成された酸化膜と、を有する発光装置が記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
特開２０２３－４２１２３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
一または複数の発光素子をそれぞれ有する複数のブロックと、オン状態になることでそれぞれの発光素子を発光させ、または発光素子の発光量を増加させる一または複数のサイリスタを有する発光部品がある。このような部品において、第１のブロックを点灯させた後に消灯し、第２のブロックを点灯させる場合、第１のブロックのサイリスタ内に電荷が残っているために第１のブロックが誤点灯することが起こり得る。
本発明の目的は、アノード層と、ゲート層と、カソード層とが積層されたサイリスタのアノード層とゲート層とに印加される電圧が同じである場合に比して、誤点灯を抑制することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
請求項１に記載の発明は、基板と、前記基板上に設けられる複数の発光素子と、オン状態になることで複数の前記発光素子をそれぞれ発光させ、または複数の当該発光素子の発光量をそれぞれ増加させる複数のサイリスタであって、当該サイリスタはアノード層と、ゲート層と、カソード層とが積層され、当該ゲート層に供給される第１の電位が当該アノード層に供給される第２の電位よりも高くなるような電位の供給をうけるサイリスタと、を備える発光部品である。
請求項２に記載の発明は、前記サイリスタがオフ状態となったときに、前記ゲート層に供給される第１の電位が前記アノード層に供給される第２の電位よりも高くなるような電位の供給をうけることで当該サイリスタの当該アノード層と当該ゲート層との間が逆バイアス状態となる、請求項１に記載の発光部品である。
請求項３に記載の発明は、基板と、前記基板上に設けられる複数の発光素子と、オン状態になることで複数の前記発光素子をそれぞれ発光させ、または複数の当該発光素子の発光量をそれぞれ増加させる複数のサイリスタであって、当該サイリスタはアノード層と、ゲート層と、カソード層とが積層され、当該ゲート層に供給される第１の電位が当該アノード層に供給される第２の電位よりも高くなるような電位の供給をうけるサイリスタと、前記基板上に設けられ、前記サイリスタを個別に駆動してオン状態に移行させる駆動部であって、前記サイリスタのゲート層に供給される前記第２の電位が供給される駆動部と、を備えた発光装置である。
請求項４に記載の発明は、基板と、前記基板上に設けられる複数の発光素子と、オン状態になることで複数の前記発光素子をそれぞれ発光させ、または複数の当該発光素子の発光量をそれぞれ増加させる複数のサイリスタであって、当該サイリスタはアノード層と、ゲート層と、カソード層とが積層され、当該ゲート層に供給される第１の電位が当該アノード層に供給される第２の電位よりも高くなるような電位の供給をうけるサイリスタと、前記基板上に設けられ、前記サイリスタを個別に駆動してそれぞれの前記発光素子を予め定められたタイミングで発光させる駆動部であって、前記サイリスタのゲート層に供給される前記第２の電位が供給される駆動部と、それぞれの発光領域からの光が対象物で反射した反射光に基づいて、当該対象物に関する情報を取得する取得部と、を備えた測定装置である。
【発明の効果】
【０００６】
請求項１，３，４の発明によれば、アノード層と、ゲート層と、カソード層とが積層されたサイリスタのアノード層とゲート層とに印加される電圧が同じである場合に比して、誤点灯を抑制することができる。
請求項２の発明によれば、サイリスタの内部に残った電荷を素早く抜くことができる。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
本実施形態が適用される計測装置の一例を示す図である。
本実施形態が適用される光源装置を説明する図である。
（ａ）～（ｂ）は、本実施形態が適用される発光チップの平面レイアウト図および断面図の一例である。
ＶＣＳＥＬと設定サイリスタとが積層されたアイランドの拡大断面図の一例である。
設定サイリスタの内部に残った電荷が設定サイリスタの外部へと抜ける経路を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
以下、添付図面を参照して、本発明の実施形態について詳細に説明する。
ここでは、発光チップ１０を含む光源装置１を、一例として被計測物の三次元形状（以下では、３Ｄ形状と表記する。）を計測する計測装置に適用する場合を説明する。発光チップ１０は発光部品の一例であり、光源装置１は発光装置の一例である。
【０００９】
［実施形態１］
（計測装置１００）
図１は、本実施形態が適用される計測装置１００の一例を示す図である。
本実施形態の計測装置１００は、被計測物の三次元形状を計測する。計測装置１００は、光の飛行時間による、いわゆるＴｏＦ（Time of Flight）法に基づいて、３Ｄ形状を計測する装置である。計測装置１００は、発光チップ１０と制御部１１０とを備える発光装置の一例としての光源装置１と、三次元センサ（以下では、３Ｄセンサと表記する。）５とを備える。ＴｏＦ法では、光源装置１から光が出射されたタイミングから被計測物で反射して３Ｄセンサ５が受光するタイミングまでの時間を計測する。そして、３Ｄセンサ５から取得される時間から、被計測物までの距離が算出され、被計測物の３Ｄ形状が特定される。また、３Ｄ形状を計測することを、三次元計測、３Ｄ計測又は３Ｄセンシングと表記することがある。
【００１０】
光源装置１は、被計測物に向けて光を出射する。３Ｄセンサ５は、被計測物で反射されて戻ってきた光（反射光）を取得する。３Ｄセンサ５は、ＴｏＦ法により計測した、出射されてから反射光を受光するまでの時間に基づいた被計測物までの距離に関する情報（距離情報）を出力する。なお、計測装置１００には、計測制御部２００を含んでもよい。計測制御部２００は、ＣＰＵ、ＲＯＭ、ＲＡＭなどを含むコンピュータとして構成され、３Ｄセンサ５から取得した距離情報に基づいて、被計測物の３Ｄ形状を特定する。
（【００１１】以降は省略されています）

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