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公開番号2025115694
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-08-07
出願番号2024010276
出願日2024-01-26
発明の名称基板処理装置、基板処理方法および記憶媒体
出願人東京エレクトロン株式会社
代理人弁理士法人酒井国際特許事務所
主分類H01L 21/304 20060101AFI20250731BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】オゾン水で基板を効率よく処理すること。
【解決手段】基板処理装置は、処理容器と、オゾン水供給部と、オゾン水排出部と、加圧部とを備える。処理容器は、基板を収容可能でかつ基板の処理時に密閉される処理空間を提供する。オゾン水供給部は、処理空間にオゾン水を供給する。オゾン水排出部は、処理空間からオゾン水を排出する。加圧部は、オゾン水供給部よりも上流側でオゾン水を加圧する。
【選択図】図7
特許請求の範囲【請求項１】
基板を収容可能でかつ前記基板の処理時に密閉される処理空間を提供する処理容器と、
前記処理空間にオゾン水を供給するオゾン水供給部と、
前記処理空間から前記オゾン水を排出するオゾン水排出部と、
前記オゾン水供給部よりも上流側で前記オゾン水を加圧する加圧部と
を備える、基板処理装置。
続きを表示（約 1,900 文字）【請求項２】
前記処理容器は、
前記処理空間に収容される前記基板を載置する載置部
を備え、
前記オゾン水供給部は、
前記載置部に載置された前記基板を覆うカバー部材と、
前記カバー部材に設けられ、前記基板に向けてオゾン水を供給する供給管と
を備える
請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項３】
前記供給管は、
前記カバー部材の前記基板の中央部に対応する位置に設けられた供給口から前記基板の中央部に向けて前記オゾン水を供給する
請求項２に記載の基板処理装置。
【請求項４】
前記オゾン水供給部は、
前記カバー部材の前記供給管よりも外周側に設けられ、前記基板の外周部に向けてオゾン水を供給する複数の別の供給口をさらに備える
請求項３に記載の基板処理装置。
【請求項５】
制御部を備え、
前記制御部は、
前記基板が前記処理空間に収容されかつ前記処理空間が密閉された状態で、前記オゾン水供給部から前記処理空間に前記オゾン水を供給して前記処理空間を前記オゾン水で満たし、
前記処理空間が前記オゾン水で満たされた状態で、前記オゾン水供給部よりも上流側で前記加圧部により前記オゾン水を加圧して前記処理空間への前記オゾン水の供給圧力を増加させる
請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項６】
前記オゾン水排出部は、
前記処理空間から排出される前記オゾン水が流れる第１排出路と、前記第１排出路を流れる前記オゾン水の流量よりも小さい流量で前記オゾン水が流れる第２排出路とに接続され、
前記制御部は、
前記処理空間が前記オゾン水供給部から供給される前記オゾン水で満たされるまで、前記第１排出路及び前記第２排出路に前記オゾン水を流し、
前記処理空間が前記オゾン水で満たされた状態で前記処理空間への前記オゾン水の供給圧力を増加させる際に、前記第２排出路のみに前記オゾン水を流す
請求項５に記載の基板処理装置。
【請求項７】
前記オゾン水排出部は、
流量調整弁が設けられ、前記処理空間から排出される前記オゾン水が流れる排出路に接続され、
前記制御部は、
前記処理空間が前記オゾン水供給部から供給される前記オゾン水で満たされるまで、前記流量調整弁を制御して前記排出路への前記オゾン水の排出流量を増加させ、
前記処理空間が前記オゾン水で満たされた状態で前記処理空間への前記オゾン水の供給圧力を増加させる際に、前記流量調整弁を制御して前記排出路への前記オゾン水の排出流量を減少させる
請求項５に記載の基板処理装置。
【請求項８】
前記処理空間にリンス液を供給するリンス液供給部と、
前記基板を搬送する搬送機構と
を備え、
前記制御部は、
前記処理空間において前記オゾン水による前記基板の処理が終了した後に、前記処理空間を満たす前記オゾン水を前記リンス液で置換し、
その後、前記リンス液を前記基板に液盛りし、
その後、前記搬送機構を制御して、前記リンス液が液盛りされた前記基板を前記処理容器から搬出する
請求項５に記載の基板処理装置。
【請求項９】
前記処理容器に設けられ、前記処理空間に収容された前記基板を加熱するヒータを備え、
前記制御部は、
少なくとも前記処理空間への前記オゾン水の供給圧力を増加させる際に、前記ヒータにより前記基板を加熱する
請求項５に記載の基板処理装置。
【請求項１０】
基板を収容可能でかつ前記基板の処理時に密閉される処理空間を提供する処理容器と、前記処理空間にオゾン水を供給するオゾン水供給部と、前記処理空間から前記オゾン水を排出するオゾン水排出部と、前記オゾン水供給部よりも上流側で前記オゾン水を加圧する加圧部とを備える基板処理装置を用い、前記基板が前記処理空間に収容された状態で、前記オゾン水供給部から前記処理空間に前記オゾン水を供給して前記処理空間を前記オゾン水で満たす工程と、
前記処理空間が前記オゾン水で満たされた状態で、前記オゾン水供給部よりも上流側で前記加圧部により前記オゾン水を加圧して前記処理空間への前記オゾン水の供給圧力を増加させる工程と
を含む、基板処理方法。
（【請求項１１】以降は省略されています）
発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本開示は、基板処理装置、基板処理方法および記憶媒体に関する。
続きを表示（約 1,300 文字）【背景技術】
【０００２】
従来、半導体ウェハ（以下、ウェハとも呼称する。）などの基板をオゾン水で処理する技術が知られている（特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
特開２０２１－１９０４４５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本開示は、オゾン水で基板を効率よく処理することができる技術を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本開示の一態様による基板処理装置は、処理容器と、オゾン水供給部と、オゾン水排出部と、加圧部とを備える。処理容器は、基板を収容可能でかつ基板の処理時に密閉される処理空間を提供する。オゾン水供給部は、処理空間にオゾン水を供給する。オゾン水排出部は、処理空間からオゾン水を排出する。加圧部は、オゾン水供給部よりも上流側でオゾン水を加圧する。
【発明の効果】
【０００６】
本開示によれば、オゾン水で基板を効率よく処理することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
図１は、実施形態に係る基板処理システムの概略構成を示す図である。
図２は、実施形態に係る基板処理システムの配管構成を示す模式図である。
図３は、実施形態に係る第１処理ユニットの構成例を示す模式図である。
図４は、実施形態に係る第１処理ユニットの処理容器が分離された状態を示す図である。
図５は、実施形態に係る第２処理ユニットの構成例を示す模式図である。
図６は、実施形態に係る基板処理システムが実行する基板処理の手順を示すフローチャートである。
図７は、実施形態に係る基板処理システムが実行するオゾン水処理の手順を示すフローチャートである。
図８は、実施形態に係る基板処理システムが実行するリンス処理の手順を示すフローチャートである。
図９は、実施形態の変形例に係る基板処理システムの配管構成を示す模式図である。
図１０は、実施形態の変形例に係る第１処理ユニットの構成例を示す模式図である。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
以下に、本開示による基板処理装置、基板処理方法および記憶媒体を実施するための形態（以下、「実施形態」と記載する）について図面を参照しつつ詳細に説明する。なお、この実施形態により本開示が限定されるものではない。また、図面は模式的なものであり、各要素の寸法の関係、各要素の比率などは、現実と異なる場合があることに留意する必要がある。さらに、図面の相互間においても、互いの寸法の関係や比率が異なる部分が含まれている場合がある。
【０００９】
半導体ウェハ（以下、ウェハとも呼称する。）などの基板をオゾン水で処理する技術が知られている。しかしながら、上述した従来技術では、オゾン水で基板を効率よく処理するうえで更なる改善の余地があった。
【００１０】
そこで、上述の問題点を克服し、オゾン水で基板を効率よく処理することができる技術が期待されている。
（【００１１】以降は省略されています）

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