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公開番号2025119592
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-08-14
出願番号2025010320
出願日2025-01-24
発明の名称ポリオレフィン系フィルム、半導体製造工程フィルム、半導体チップの製造方法、製造装置
出願人東レ株式会社
代理人
主分類H01L 21/301 20060101AFI20250806BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】エキスパンド装置のステージ上面部分のフィルムの延伸性に優れ、すなわちエキスパンド装置のステージ上面部分のチップ間隔の拡張性が十分に高く、さらにカット性に優れるポリオレフィン系フィルムを提供すること。
【解決手段】(i)、(ii)を満たすA層を少なくとも片面に有し、引張破断伸度が250%以上であるポリオレフィン系フィルム。
(i)ナノインデンテーションによる負荷除荷試験において、表面の押し込み硬さが40MPa以上150MPa以下
(ii)突出山部高さSpkと突出谷部深さSvkの和であるSpk+Svkが0.5μm以上3.0μm以下
【選択図】なし
特許請求の範囲【請求項１】
（ｉ）、（ｉｉ）を満たすＡ層を少なくとも片面に有し、引張破断伸度が２５０％以上であるポリオレフィン系フィルム。
（ｉ）ナノインデンテーションによる負荷除荷試験において、表面の押し込み硬さが４０ＭＰａ以上１５０ＭＰａ以下。
（ｉｉ）突出山部高さＳｐｋと突出谷部深さＳｖｋの和であるＳｐｋ＋Ｓｖｋが０．５μｍ以上３．０μｍ以下。
続きを表示（約 840 文字）【請求項２】
－２０℃での貯蔵弾性率Ｅ’（－２０）が１．８ＧＰａ以上、かつ５０℃での貯蔵弾性率Ｅ’（５０）が０．３ＧＰａ以下である、請求項１に記載のポリオレフィン系フィルム。
【請求項３】
伸度１０％における引張応力をＰ１（ＭＰａ）、伸度２００％における引張応力をＰ２（ＭＰａ）とした際に、Ｐ２／Ｐ１が１．０以上３．０以下である、請求項１または２に記載のポリオレフィン系フィルム。
【請求項４】
ヘイズが７％以上５５％以下である、請求項１または２に記載のポリオレフィン系フィルム。
【請求項５】
表面ヘイズが５％以上３８％以下である、請求項１または２に記載のポリオレフィン系フィルム。
【請求項６】
Ａ層全体を１００質量％とした際に、Ａ層がポリプロピレン系樹脂を主成分とし、かつ融点１２５℃以上のポリエチレン系樹脂を１０質量％以上４０質量％以下含有し、かつ前記ポリエチレン系樹脂の溶融粘度が前記ポリプロピレン系樹脂の溶融粘度より３００Ｐａ・ｓ以上８５０Ｐａ・ｓ以下高いことを特徴とする、請求項１または２に記載のポリオレフィン系フィルム。なお、溶融粘度は２３０℃、１２２ｓ
－１
の条件でキャピラリーフローテスターで測定した値とする。
【請求項７】
Ａ層の表面同士の静止摩擦係数が０．１以上０．６以下である、請求項１または２に記載のポリオレフィン系フィルム。
【請求項８】
ウエハダイシング用途またはウエハエキスパンド用途に用いられる、請求項１または２に記載のポリオレフィン系フィルム。
【請求項９】
請求項１または２に記載のポリオレフィン系フィルムを含む、半導体製造工程フィルム。
【請求項１０】
請求項９に記載の半導体製造工程フィルムを用いて製造される半導体チップの製造方法。
（【請求項１１】以降は省略されています）
発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明はポリオレフィン系フィルムに関する。
続きを表示（約 2,800 文字）【背景技術】
【０００２】
半導体チップの製造工程において、シリコンウエハ、サファイアウエハ、ＳｉＣウエハなどの半導体用ウエハをチップ状にダイシング（切断）し、その後エキスパンド（延伸）してチップ間を一定間隔に広げた後、個々のチップをピックアップする方法が知られている。前記ダイシング工程およびエキスパンド工程で半導体用ウエハ（以降、単にウエハと記載する場合がある）を固定するために用いられるのがダイシングフィルムである。
【０００３】
ダイシングフィルムはウエハを貼り付けるための粘着層とそれを支える基材フィルムからなる。ダイシング工程およびエキスパンド工程では、ダイシングフィルムの粘着面に貼り付けられたウエハをチップ状にダイシングした後、ダイシングフィルムのチップ貼り付け面とは反対側の面（以降、背面と記載する場合がある）から、円形状のステージでダイシングフィルムを突き上げることでステージ上面部分のフィルムを全方位に延伸し、チップ間隔を広げる方法が一般に用いられている。
【０００４】
これまで本用途では延伸性に優れる塩化ビニル樹脂（塩ビ）が基材フィルムとして用いられてきたが、塩ビはフタル酸ジオクチル等の規制物質を可塑剤として含有することや、難燃性であり廃棄処理時のＣＯ
２
排出が多い等の環境負荷の問題があり、代替素材としてオレフィン系樹脂を基材フィルムとするダイシングフィルムが提案されている（特許文献１～３）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
特開２００２－９０１８号公報
特開２００７－１０９８０８号公報
特開２０２１－１０６１８７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
特許文献１には、ポリオレフィン系樹脂に、ビニル芳香族化合物と共役ジエンとの共重合体またはその水素添加誘導体樹脂等の成分を添加したダイシングフィルム用基材フィルムが提案されている。しかしながら、材質が柔軟であるためダイシング工程で使用する際のフィルムのカット性が不十分であったり、エキスパンドの際にエキスパンド用のステージの上面や角部分とフィルムの背面が密着して滑り性が不足することで、ステージ上面中央部分のフィルムの延伸性が不十分となり、半導体チップをピックアップする際に不具合が生じる懸念がある。また、特許文献２では易滑層を有するダイシングテープが提案されているが、基材フィルムが柔軟であり、フィルムのカット性に劣ることが懸念される。また、近年では半導体チップの小型化が進んでいたり、ピックアップ速度の向上が求められており、このような場合にも高精度で半導体チップをピックアップするためには、特にステージの上面中央部においてチップ間隔が十分に拡張している必要があるが、特許文献２ではフィルムの延伸性が不十分でピックアップ性が不十分な懸念がある。特許文献３では、易滑粒子の適用の提案がされているが、円周方向でのエキスパンド性の均一性に優れるものの、ステージ上面部分のフィルムの延伸性が不十分となり、半導体チップのピックアップに不具合が生じる懸念がある。
【０００７】
本発明は、ダイシングフィルムとして用いた際、エキスパンド装置のステージ上面部分のフィルムの延伸性に優れ、すなわちエキスパンド装置のステージ上面部分のチップ間隔の拡張性が十分に高く、さらにカット性に優れるポリオレフィン系フィルムを提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の好ましい態様は以下の通りである。
（１）（ｉ）、（ｉｉ）を満たすＡ層を少なくとも片面に有し、引張破断伸度が２５０％以上であるポリオレフィン系フィルム。
（ｉ）ナノインデンテーションによる負荷除荷試験において、表面の押し込み硬さが４０ＭＰａ以上１５０ＭＰａ以下。
（ｉｉ）突出山部高さＳｐｋと突出谷部深さＳｖｋの和であるＳｐｋ＋Ｓｖｋが０．５μｍ以上３．０μｍ以下。
（２）－２０℃での貯蔵弾性率Ｅ’（－２０）が１．８ＧＰａ以上、かつ５０℃での貯蔵弾性率Ｅ’（５０）が０．３ＧＰａ以下である、（１）に記載のポリオレフィン系フィルム。
（３）伸度１０％における引張応力をＰ１（ＭＰａ）、伸度２００％における引張応力をＰ２（ＭＰａ）とした際に、Ｐ２／Ｐ１が１．０以上３．０以下である、（１）または（２）に記載のポリオレフィン系フィルム。
（４）ヘイズが７％以上５５％以下である、（１）～（３）のいずれかに記載のポリオレフィン系フィルム。
（５）表面ヘイズが５％以上３８％以下である、（１）～（４）のいずれかに記載のポリオレフィン系フィルム。
（６）Ａ層全体を１００質量％とした際に、Ａ層がポリプロピレン系樹脂を主成分とし、かつ融点１２５℃以上のポリエチレン系樹脂を１０質量％以上４０質量％以下含有し、かつ前記ポリエチレン系樹脂の溶融粘度が前記ポリプロピレン系樹脂の溶融粘度より３００Ｐａ・ｓ以上８５０Ｐａ・ｓ以下高いことを特徴とする、（１）～（５）のいずれかに記載のポリオレフィン系フィルム。なお、溶融粘度は２３０℃、１２２ｓ
－１
の条件でキャピラリーフローテスターで測定した値とする。
（７）Ａ層の表面同士の静止摩擦係数が０．１以上０．６以下である、（１）～（６）のいずれかに記載のポリオレフィン系フィルム。
（８）ウエハダイシング用途またはウエハエキスパンド用途に用いられる、（１）～（７）のいずれかに記載のポリオレフィン系フィルム。
（９）（１）～（８）のいずれかに記載のポリオレフィン系フィルムを含む、半導体製造工程フィルム。
（１０）（９）に記載の半導体製造工程フィルムを用いて製造される半導体チップの製造方法。
（１１）（９）に記載の半導体製造工程フィルムを用いて半導体チップを製造する製造装置。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、ダイシングフィルムとして用いた際、エキスパンド装置のステージ上面部分のフィルムの延伸性に優れ、すなわちエキスパンド装置のステージ上面部分のチップ間隔の拡張性が十分に高く、さらにカット性に優れるポリオレフィン系フィルムを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
エキスパンド試験の測定方法を示す模式図。
チップ間距離の評価方法を示す模式図。
【発明を実施するための形態】
（【００１１】以降は省略されています）

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