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公開番号2025124432
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-08-26
出願番号2024020493
出願日2024-02-14
発明の名称基板搬送方法、基板処理方法、基板搬送装置及びプログラム
出願人東京エレクトロン株式会社
代理人弁理士法人弥生特許事務所
主分類H01L 21/68 20060101AFI20250819BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】異なる形状の切り欠きが周縁部に形成された円形の各基板を搬送するにあたっての不具合の発生を抑える。
【解決手段】本開示の基板処理方法は、基板搬送装置の保持部が移動体に対する第1位置に位置した状態で、センサによって基板の互いに異なる端の位置を各々検出する第1検出工程と、第2位置に位置した状態で、センサによって、基板の互いに異なる端の位置を各々検出する第2検出工程と、第1検出工程、第2検出工程により各々取得される基板の予想の中心位置に関して、保持部の進退方向に対して交差する横方向の変化量を算出する第1算出工程と、第1検出工程、第2検出工程により各々取得される基板の半径に対応する大きさの変化量を算出する第2算出工程と、第1算出工程及び第2算出工程における算出結果に基づいて、保持部における基板の位置を決定する位置決定工程と、を含む。
【選択図】図20
特許請求の範囲【請求項１】
基板の搬送領域を移動する移動体と、周縁部に切り欠きが形成された円形の前記基板を保持すると共に前記移動体に進退自在に設けられる保持部と、を備える基板搬送装置により当該基板を搬送する基板搬送方法において、
前記保持部が前記移動体に対する第１位置に位置した状態で、前記移動体に設けられたセンサによって、前記基板の互いに異なる端の位置を各々光学的に検出する第１検出工程と、
前記保持部が前記移動体に対する第２位置に位置した状態で、前記センサによって、前記基板の互いに異なる端の位置を各々検出する第２検出工程と、
前記第１検出工程、前記第２検出工程により各々取得される前記基板の予想の中心位置に関しての前記保持部の進退方向に対して交差する横方向における変化量を算出する第１算出工程と、
前記第１検出工程、前記第２検出工程により各々取得される前記基板の半径に対応する大きさの変化量を算出する第２算出工程と、
前記第１算出工程及び前記第２算出工程における算出結果に基づいて、前記基板の搬送に用いるための前記保持部における当該基板の位置を決定する位置決定工程と、
を含む基板搬送方法。
続きを表示（約 2,100 文字）【請求項２】
前記センサは少なくとも４つ設けられ、
前記基板の予想の中心位置及び前記基板の半径に対応する大きさは、そのうちの３つのセンサからなるグループによる検出結果から算出される請求項１記載の基板搬送方法。
【請求項３】
前記第１検出工程において４つの前記センサの各々によって前記基板の端の位置が検出されると、互いに含まれる前記センサの組み合わせが異なる第１～第４の前記グループによる検出結果に基づいて、前記センサのうち検出位置が切り欠きをなす基板の端である不適なセンサが有るか否かを判定する工程を含み、
前記位置決定工程は、前記第１～第４グループのうち前記不適なセンサを含まない前記グループの検出結果に基づいて前記基板の位置を決定する工程である請求項２記載の基板搬送方法。
【請求項４】
前記第１～第４グループのうち、前記不適なセンサの２つの候補のうちの１つのみを各々含み、且つ含まれる当該候補が互いに異なる２つを検証用グループとすると、
前記第１算出工程及び前記第２算出工程は、当該検証用グループの各々について前記基板の予想の中心位置の変化量及び前記基板の半径に対応する大きさの変化量を算出する工程であり、
前記位置決定工程は、前記２つの検証用グループのうちのいずれが前記不適なセンサを含まないかを特定するために、当該各検証用グループの前記基板の予想の中心位置の変化量及び前記基板の半径に対応する大きさの変化量を予め設定された閾値と比較する第１比較工程を含む請求項３記載の基板搬送方法。
【請求項５】
前記位置決定工程は、
前記第１比較工程の結果に応じて行われる、前記保持部が前記移動体に対する第３位置に位置した状態で前記基板の互いに異なる端の位置を４つの前記センサによって各々検出する第３検出工程と、
前記第１検出工程及び前記第３検出工程により取得される前記基板の予想の中心位置に関する前記横方向の変化量を前記検証用グループ毎に算出する第３算出工程と、
前記２つの検証用グループのうちのいずれが前記不適なセンサを含まないかを特定するために、前記第３算出工程で得られた前記基板の予想の中心位置の変化量を予め設定された閾値と比較する第２比較工程を含む請求項４記載の基板搬送方法。
【請求項６】
前記第２検出工程において、前記第１検出工程で前記基板の端の位置を検出可能であった前記センサのうちの１つが当該端の位置を検出できない検出不可のセンサとなると、
前記第１算出工程及び前記第２算出工程は、当該検出不可のセンサを含まない前記グループによる検出結果を用いて行われる請求項３記載の基板搬送方法
【請求項７】
前記位置決定工程は、
前記第１算出工程及び前記第２算出工程における算出結果と、予め設定された閾値と、を比較する第３比較工程と、
前記第３比較工程の結果に応じて、前記検出不可のセンサを含まない前記グループによる検出結果に基づいて前記保持部における前記基板の位置を決定する工程と、を含む請求項６記載の基板搬送方法。
【請求項８】
前記第１検出工程において１つの前記グループのみによって前記基板の端の位置が検出されると、前記第１算出工程及び前記第２算出工程は当該グループによる検出結果について行われ、
前記位置決定工程は、
前記第１算出工程及び前記第２算出工程における算出結果と、予め設定された閾値と、を比較する第４比較工程と、
前記第４比較工程の結果に応じて、前記グループの検出結果に基づいて前記保持部における前記基板の位置を決定する工程と、を含む請求項２記載の基板搬送方法。
【請求項９】
前記位置決定工程は、
前記第１比較工程の結果に応じて行われる、前記保持部が前記移動体に対する第３位置に位置した状態で前記基板の互いに異なる端の位置を前記複数のセンサによって各々検出する第３検出工程と、
前記第１検出工程及び前記第３検出工程により取得される前記基板の予想の中心位置に関する前記横方向の変化量を算出する第３算出工程と、
前記基板の端の位置を検出した前記グループが、前記不適なセンサを含まないかを特定するために、前記第３算出工程で得られた前記基板の予想の中心位置の変化量を予め設定された閾値と比較する第５比較工程を含む請求項８記載の基板搬送方法。
【請求項１０】
前記切り欠きは、縁が前記基板の中心側から周縁へ向かうＶ字をなす第１切り欠きか、あるいは縁が前記基板の直径に平行な第２切り欠きであり、
前記第１検出工程、前記第２検出工程、前記第１算出工程、前記第２算出工程及び前記位置決定工程を繰り返し行い、前記基板に形成される切り欠きが、前記第１切り欠き及び第２切り欠きのうちのいずれかを判定する工程を含む請求項１記載の基板搬送方法。
（【請求項１１】以降は省略されています）
発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本開示は、基板搬送方法、基板処理方法、基板搬送装置及びプログラムに関する。
続きを表示（約 2,500 文字）【背景技術】
【０００２】
半導体デバイスを製造するにあたり、基板である半導体ウエハ（以下、ウエハと記載する）が、基板搬送装置によって基板の処理を行うシステム内を搬送されて処理される。この基板搬送装置には保持したウエハの位置を検出するためのセンサが設けられる場合が有り、特許文献１にはそのようにセンサを備えた基板搬送装置が示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
特開２０１２－６４９１８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本開示は、異なる形状の切り欠きが周縁部に形成された円形の各基板を搬送するにあたっての不具合の発生を抑える。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本開示の基板搬送方法は基板の搬送領域を移動する移動体と、周縁部に切り欠きが形成された円形の前記基板を保持すると共に前記移動体に進退自在に設けられる保持部と、を備える基板搬送装置により当該基板を搬送する基板搬送方法において、
前記保持部が前記移動体に対する第１位置に位置した状態で、前記移動体に設けられたセンサによって、前記基板の互いに異なる端の位置を各々光学的に検出する第１検出工程と、
前記保持部が前記移動体に対する第２位置に位置した状態で、前記センサによって、前記基板の互いに異なる端の位置を各々検出する第２検出工程と、
前記第１検出工程、前記第２検出工程により各々取得される前記基板の予想の中心位置に関しての前記保持部の進退方向に対して交差する横方向における変化量を算出する第１算出工程と、
前記第１検出工程、前記第２検出工程により各々取得される前記基板の半径に対応する大きさの変化量を算出する第２算出工程と、
前記第１算出工程及び前記第２算出工程における算出結果に基づいて、前記基板の搬送に用いるための前記保持部における当該基板の位置を決定する位置決定工程と、
を含む。
【発明の効果】
【０００６】
本開示は、異なる形状の切り欠きが周縁部に形成された円形の各基板を搬送するにあたっての不具合の発生を抑えることができる。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
本開示の基板搬送装置を含むウエハ処理システムの平面図である。
前記ウエハ処理システムの正面図である。
前記システムに設けられるウエハ搬送機構の斜視図である。
前記ウエハ搬送機構の側面図である。
前記ウエハ搬送機構及びノッチが形成されたウエハの平面図である。
前記ウエハ搬送機構及びオリフラが形成されたウエハの平面図である。
前記ウエハ搬送機構に設けられるセンサに含まれる受光素子の平面図である。
４つの前記センサのグループと、検出されるウエハ中心位置及び半径との関係を示す説明図である。
検出時における前記ウエハ搬送機構に設けられた保持部の位置を示す平面図である。
各回の検出時におけるセンサの位置変化を示す説明図である。
各回の検出でのウエハの中心位置の変化を示す説明図である。
ウエハの中心位置及び半径の変化量を説明するためのグラフ図である。
前記グラフ図の横軸を説明するための平面図である。
各回の検出でのウエハの半径の変化を示す説明図である。
ウエハの半径の変化量を説明するためのグラフ図である。
各回の検出時におけるセンサの位置変化を示す説明図である。
１回目の検出時におけるセンサとウエハＷとの位置関係を示す説明図である。
２回目の検出時におけるセンサとウエハＷとの位置関係を示す説明図である。
１回目の検出時におけるセンサとウエハＷとの位置関係を示す説明図である。
ウエハの搬送のためのフローを示すチャート図である。
ウエハの搬送のためのフローを示すチャート図である。
ウエハの搬送のためのフローを示すチャート図である。
ウエハの搬送のための変形例のフローを示すチャート図である。
ウエハの搬送のための変形例のフローを示すチャート図である。
前記システムに設けられる周縁露光装置の平面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
以下、本実施形態にかかる基板処理装置としてのウエハ処理システムについて、図面を参照しながら説明する。なお、本明細書において、実質的に同一の機能構成を有する要素においては、同一の符号を付することにより重複説明を省略する。
【０００９】
＜ウエハ処理システム＞
先ず、本実施形態にかかるウエハ処理システムの構成について説明する。図１、２は、それぞれウエハ処理システム１の構成の概略を模式的に示す平面図、正面図である。本実施形態においては、ウエハ処理システム１がウエハＷに対してレジスト膜の形成処理および現像処理を行うフォトリソグラフィー処理システムである場合を一例として説明する。
【００１０】
ウエハ処理システム１は、図１に示すように複数枚のウエハＷを収容したカセットＣが搬入出されるカセットステーション２と、ウエハＷに所定の処理を施す複数の各種処理装置を備えた処理ステーション３と、を有する。そしてウエハ処理システム１は、カセットステーション２と、処理ステーション３と処理ステーション３とは反対側に隣接する露光装置（図示せず）との間でウエハＷの受け渡しを行うインターフェイスステーション４とを一体に接続した構成を有している。なお、処理ステーション３は図１に示すようにカセットステーション２とインターフェイスステーション４の間に２基設置されているが、１基でもよく３基以上設置されてもよい。
（【００１１】以降は省略されています）

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