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公開番号2025126300
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-08-28
出願番号2025108479,2021107705
出願日2025-06-26,2021-06-29
発明の名称半導体装置
出願人ローム株式会社
代理人個人,個人
主分類H01L 23/28 20060101AFI20250821BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】リードと封止樹脂との密着性の向上を図ることが可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置A10は、厚さ方向を向く主面101Aを有するリード10と、主面101Aの上に搭載された半導体素子と、主面101Aに接しており、かつ前記半導体素子を覆う封止樹脂とを備える。リード10には、主面101Aから凹み、かつ互いに離れた複数の溝20が形成されている。複数の溝20は、主面101Aの周縁から離れている。複数の溝20は、前記厚さ方向に対して直交する第1方向xに沿って配列された複数の第1溝21、および複数の第2溝22を含む。複数の第1溝21の各々と、複数の第2溝22の各々とは、前記厚さ方向に対して直交する方向に延びる直線状である。第1方向xにおいて、複数の第1溝21のうち少なくとも2つと、複数の第2溝22のうち少なくとも2つとが交互に配置されている。
【選択図】図11
特許請求の範囲【請求項１】
厚さ方向の一方側を向く主面を有するリードと、
前記主面の上に搭載された半導体素子と、
前記主面に接しており、かつ前記半導体素子を覆う封止樹脂と、を備え、
前記リードには、前記主面から凹み、かつ互いに離れた複数の溝が形成されており、
前記複数の溝は、前記主面の周縁から離れており、
前記複数の溝は、前記厚さ方向に対して直交する第１方向に沿って配列された複数の第１溝、および複数の第２溝を含み、
前記複数の第１溝の各々と、前記複数の第２溝の各々と、は、前記厚さ方向に対して直交する方向に延びる直線状であり、
前記第１方向において、前記複数の第１溝のうち少なくとも２つと、前記複数の第２溝のうち少なくとも２つと、が交互に配置されている、半導体装置。
続きを表示（約 1,200 文字）【請求項２】
厚さ方向の一方側を向く主面を有するリードと、
前記主面の上に搭載された半導体素子と、
前記主面に接しており、かつ前記半導体素子を覆う封止樹脂と、を備え、
前記リードには、前記主面から凹み、かつ互いに離れた複数の溝が形成されており、
前記複数の溝は、前記主面の周縁から離れており、
前記複数の溝は、前記厚さ方向に対して直交する第１方向に沿って配列された複数の第１溝、および複数の第２溝を含み、
前記複数の第１溝の各々と、前記複数の第２溝の各々と、は、前記厚さ方向に対して直交する方向に延びる直線状であり、
前記厚さ方向および前記第１方向の各々に対して直交する第２方向において、前記複数の第１溝のうち少なくとも２つと、前記複数の第２溝のうち少なくとも２つと、が交互に配置されている、半導体装置。
【請求項３】
前記複数の第１溝の各々と、前記複数の第２溝の各々と、は、前記第１方向に延びており、
前記第１方向において、前記複数の第２溝のいずれかの少なくとも一部は、前記複数の第１溝のうち隣り合う２つの第１溝の間に位置する、請求項１または２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記第２方向に視て、前記複数の第２溝のいずれかの前記第１方向の両側は、前記複数の第１溝のうち隣り合う２つの第１溝に重なっている、請求項２に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記複数の第２溝の各々の長さは、前記複数の第１溝の各々の長さより長い、請求項３または４に記載の半導体装置。
【請求項６】
前記複数の第１溝の各々は、前記第１方向に延びており、
前記複数の第２溝の各々は、前記第２方向に延びている、請求項２に記載の半導体装置。
【請求項７】
前記第１方向において、前記複数の第２溝のいずれかは、前記複数の第１溝のうち隣り合う２つの第１溝の間に位置する、請求項６に記載の半導体装置。
【請求項８】
前記複数の第２溝の各々の長さは、前記複数の第１溝の各々の長さより短い、請求項６または７に記載の半導体装置。
【請求項９】
前記複数の第１溝の各々は、前記第１方向に延びており、
前記複数の第２溝の各々は、前記厚さ方向および前記第１方向の各々に対して直交する第２方向に延びており、
前記複数の第２溝のいずれかは、前記複数の第１溝のうち隣り合う２つの第１溝の間に位置する、請求項１に記載の半導体装置。
【請求項１０】
前記複数の溝は、前記第１方向に沿って配列され、かつ前記第２方向において前記複数の第１溝の隣に位置する複数の第３溝を含み、
前記複数の第３溝の各々は、前記第１方向に延びており、
前記複数の第２溝のいずれかは、前記複数の第３溝のうち隣り合う２つの第３溝の間に位置する、請求項９に記載の半導体装置。
（【請求項１１】以降は省略されています）
発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本開示は、リードおよび封止樹脂を備える半導体装置に関する。
続きを表示（約 1,900 文字）【背景技術】
【０００２】
特許文献１には、パッド主面を有する第１パッドを含む第１リードと、パッド主面の上に搭載された半導体素子と、パッド主面に接し、かつ半導体素子を覆う封止樹脂とを備える半導体装置の一例が開示されている。半導体素子は、接合層を介して第１パッドに導通接合されている。当該半導体装置は、第２パッドを含む第２リードと、半導体素子および第２パッドに導通接合されたワイヤ（第１ボンディングワイヤ）とをさらに備える。第２パッドおよびワイヤは、封止樹脂に覆われている。これにより、当該半導体装置においては、半導体素子と、半導体素子の導電経路にかかる部材とが封止樹脂により外的因子から保護された構成となっている。
【０００３】
特許文献１に開示されている半導体装置の使用の際、半導体素子から熱を発する。これにより、第１パッドに熱ひずみが生じるため、パッド主面と封止樹脂との界面にはせん断応力が発生する。せん断応力の集中が過度になると、パッド主面から封止樹脂が剥離するとともに、パッド主面と半導体素子との間に介在する接合層に亀裂が発生するおそれがある。さらに、半導体素子からワイヤに伝導した熱の影響に伴い、第２パッドとワイヤとの接合界面にもせん断応力が発生する。これにより、ワイヤに孔食が発生するおそれがある。したがって、第１パッドおよび第２パッドと封止樹脂との密着性を向上させることにより、封止樹脂の剥離防止と、接合層およびワイヤの不具合の発生防止とを図ることが求められる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
特開２０１７－１７４９５１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本開示は上記事情に鑑み、リードと封止樹脂との密着性の向上を図ることが可能な半導体装置を提供することをその課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本開示によって提供される半導体装置は、厚さ方向を向く主面を有するリードと、前記主面の上に搭載された半導体素子と、前記主面に接するとともに、前記半導体素子を覆う封止樹脂と、を備え、前記リードには、前記主面から凹み、かつ互いに離れて位置する複数の溝が形成されており、前記複数の溝は、前記主面の周縁から離れて位置する。
【発明の効果】
【０００７】
本開示にかかる半導体装置によれば、リードと封止樹脂との密着性の向上を図ることが可能となる。
【０００８】
本開示のその他の特徴および利点は、添付図面に基づき以下に行う詳細な説明によって、より明らかとなろう。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
図１は、本開示の第１実施形態にかかる半導体装置の斜視図である。
図２は、図１に示す半導体装置の平面図である。
図３は、図２に対応する平面図であり、封止樹脂を透過している。
図４は、図１に示す半導体装置の底面図である。
図５は、図１に示す半導体装置の正面図である。
図６は、図３のＶＩ－ＶＩ線に沿う断面図である。
図７は、図３のＶＩＩ－ＶＩＩ線に沿う断面図である。
図８は、図３に示す半導体素子およびその近傍の部分拡大図である。
図９は、図６に示す半導体素子およびその近傍の部分拡大図である。
図１０は、図６に示す端子（第１端子）の被覆部およびその近傍の部分拡大図である。
図１１は、図３に示すリードの部分拡大図である。
図１２は、図１１のＸＩＩ－ＸＩＩ線に沿う断面図である。
図１３は、図１に示す半導体装置の変形例の部分拡大平面図であり、封止樹脂を透過している。
図１４は、本開示の第２実施形態にかかる半導体装置の部分拡大平面図であり、封止樹脂を透過している。
図１５は、図１４に示す半導体装置の変形例の部分拡大平面図であり、封止樹脂を透過している。
図１６は、本開示の第３実施形態にかかる半導体装置の部分拡大平面図であり、封止樹脂を透過している。
図１７は、図１６に示す半導体装置の変形例の部分拡大平面図であり、封止樹脂を透過している。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
本開示を実施するための形態について、添付図面に基づいて説明する。
（【００１１】以降は省略されています）

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