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公開番号2025124206
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-08-26
出願番号2024020096
出願日2024-02-14
発明の名称半導体パッケージ
出願人ローム株式会社
代理人弁理士法人深見特許事務所
主分類H01L 23/12 20060101AFI20250819BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】パッケージサイズを小型化しつつ溶融しためっき等の侵入を抑制可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体パッケージは、半導体パッケージであって、基板と、半導体素子と、ボンディングワイヤと、封止樹脂とを備える。基板は、基材と、第1導体パターン、第2導体パターン及び第3導体パターンと、第1導体層と、第1絶縁層とを有する。基材は、基材の厚さ方向である第1方向において、第1主面と第1主面の反対面である第2主面とを有する。基材には、第1方向に沿って基材を貫通する第1貫通穴が形成されている。第1導体パターン及び第2導体パターンは、第1主面上に配置されている。第1導体パターンは、第1ランドを有する。第2導体パターンは、第2ランドを有する。第3導体パターンは、第2主面上に配置されている。第1導体層は、第1貫通穴の内壁面上に配置されて第1導体パターンと第3導体パターンとを接続している。
【選択図】図1
特許請求の範囲【請求項１】
半導体パッケージであって、
基板と、
半導体素子と、
ボンディングワイヤと、
封止樹脂とを備え、
前記基板は、基材と、第１導体パターン、第２導体パターン及び第３導体パターンと、第１導体層と、第１絶縁層とを有し、
前記基材は、前記基材の厚さ方向である第１方向において、第１主面と前記第１主面の反対面である第２主面とを有し、
前記基材には、前記第１方向に沿って前記基材を貫通する第１貫通穴が形成され、
前記第１導体パターン及び前記第２導体パターンは、前記第１主面上に配置され、
前記第１導体パターンは、第１ランドを有し、
前記第２導体パターンは、第２ランドを有し、
前記第３導体パターンは、前記第２主面上に配置され、
前記第１導体層は、前記第１貫通穴の内壁面上に配置されて前記第１導体パターンと前記第３導体パターンとを接続し、
前記半導体素子は、前記第２ランド上に配置され、
前記ボンディングワイヤは、一方端において前記半導体素子に接続されているとともに他方端において前記第１ランドに接続され、
前記第１絶縁層は、前記第１導体層と前記第１ランドとの間において、前記第１導体パターン上に配置され、
前記封止樹脂は、前記半導体素子を覆うように前記基板上に配置され、
前記第１絶縁層は、平面視において前記封止樹脂の外周縁よりも内側にある、半導体パッケージ。
続きを表示（約 1,400 文字）【請求項２】
前記基材は、前記第１方向に垂直な第２方向における端面である第１側面と、前記第１方向及び前記第２方向の双方に垂直な第３方向における端面である第２側面とを有し、
前記第１貫通穴は、前記第１側面と前記第２側面とが連なる前記基材の角部に形成されている、請求項１に記載の半導体パッケージ。
【請求項３】
前記基材は、前記第１側面の反対面である第３側面を有し、
前記第３側面は、前記半導体パッケージの実装面をなしている、請求項２に記載の半導体パッケージ。
【請求項４】
前記基板は、第２絶縁層を有し、
前記基材には、前記厚さ方向に沿って前記基材を貫通する第２貫通穴が形成され、
前記基材は、第４導体パターンと、第２導体層とを有し、
前記第４導体パターンは、前記第２主面上に配置され、
前記第２導体層は、前記第２貫通穴の内壁面上に配置されて前記第２導体パターンと前記第４導体パターンとを接続し、
前記第２絶縁層は、前記第２導体層と前記第２ランドとの間において、前記第２導体パターン上に配置され、
前記第２絶縁層は、平面視において前記封止樹脂の外周縁よりも内側にある、請求項１に記載の半導体パッケージ。
【請求項５】
前記基材は、前記第１方向に垂直な第２方向における端面である第１側面と、前記第１方向及び前記第２方向の双方に垂直な第３方向における端面である第２側面と、前記第１側面の反対面である第３側面と、前記第２側面の反対面である第４側面とを有し、
前記第２貫通穴は、前記第１側面と前記第４側面とが連なる前記基材の角部に形成されている、請求項４に記載の半導体パッケージ。
【請求項６】
前記第３側面は、前記半導体パッケージの実装面をなしている、請求項５に記載の半導体パッケージ。
【請求項７】
前記基板は、めっき層を有し、
前記めっき層の構成材料は、スズ又はスズ合金であり、
前記めっき層は、前記第１導体パターン上、前記第３導体パターン上及び前記第１導体層上に配置されている、請求項１に記載の半導体パッケージ。
【請求項８】
前記第１導体パターンの表面は、前記第１方向において、前記基板のうちで前記第２主面から最も離れた位置にある、請求項１に記載の半導体パッケージ。
【請求項９】
前記第１導体パターンは、第３ランドと、接続部を有し、
前記第３ランドは、前記第１貫通穴の周囲に配置されて前記第１導体層に接続され、
前記接続部は、前記第１ランドと前記第３ランドとを接続し、
前記第１絶縁層は、前記接続部上に配置されている、請求項１に記載の半導体パッケージ。
【請求項１０】
前記接続部は、
前記接続部は、第１部分と第２部分とを有し、
前記第１部分は、前記第１方向及び前記第１方向に垂直な第２方向の双方に垂直な第３方向に沿って前記第３ランドから延在し、
前記第１部分は、前記第２方向に沿って前記第１部分の前記第３ランドとは反対側の端部から延在して前記第１ランドに接続され、
前記第１絶縁層は、前記第１部分上に配置されている、請求項９に記載の半導体パッケージ。
（【請求項１１】以降は省略されています）
発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本開示は、半導体パッケージに関する。
続きを表示（約 1,900 文字）【背景技術】
【０００２】
例えば特開２０２３－０７６６９６号公報（特許文献１）には、半導体パッケージが記載されている。特許文献１に記載の半導体パッケージは、基板と、半導体素子と、ボンディングワイヤと、封止樹脂とを有している。
【０００３】
基板は、基材と、第１導体パターン、第２導体パターン、第３導体パターン及び第４導体パターンと、第１導体層及び第２導体層とを有している。基板は、さらに、第１絶縁層及び第２絶縁層を有している。
【０００４】
基材は、第１方向において、第１主面と第２主面とを有している。第１方向は、基材の厚さ方向である。第２主面は、第１主面の反対面である。第１導体パターン及び第２導体パターンは、第１主面上に配置されている。第３導体パターン及び第４導体パターンは、第２主面上に配置されている。基材には、第１貫通穴及び第２貫通穴が形成されている。
【０００５】
第１貫通穴及び第２貫通穴は、基材を第１方向に沿って貫通している。第１貫通穴及び第２貫通穴は、平面視において（第１方向に沿って見た際に）、第２方向における両端にある。第２方向は、第１方向に垂直な方向である。第１導体層は、第１貫通穴の内壁面上に配置されており、第１導体パターンと第３導体パターンとを接続している。第２導体層は、第２貫通穴の内壁面上に配置されており、第２導体パターンと第４導体パターンとを接続している。
【０００６】
第１導体パターン及び第２導体パターンは、それぞれ、第１ランド及び第２ランドを有している。半導体素子は、第２ランド上に配置されている。ボンディングワイヤは、一方端において半導体素子に接続されており、他方端において第１ランドに接続されている。
【０００７】
第１絶縁層及び第２絶縁層は、平面視において、第３方向に沿って延在している。第３方向は、第１方向及び第２方向に垂直な方向である。第１絶縁層は第１導体パターンを部分的に覆っており、第２絶縁層は第２導体パターンを部分的に覆っている。但し、第１絶縁層は第１ランドを覆っておらず、第２絶縁層は第２ランドを覆っていない。
【０００８】
封止樹脂は、半導体素子及びボンディングワイヤを覆うように、基板上に配置されている。封止樹脂の外周縁は、平面視において、第１絶縁層及び第２絶縁層と重なっている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
特開２０２３－０７６６９６号公報［概要］第１導体パターン、第３導体パターン及び第１導体層（第２導体パターン、第４導体パターン及び第２導体層）の表面には、めっき層が形成されることがある。めっき層の構成材料は、例えば、スズ又はスズ合金である。特許文献１に記載の半導体パッケージが実装される際、めっき層の構成材料が溶融し、溶融しためっき層の構成材料が封止樹脂と第１導体パターン（第２導体パターン）との界面に沿って、平面視における封止樹脂の外周縁よりも内側に侵入しようとする。特許文献１に記載の半導体パッケージでは、溶融しためっき層の侵入が第１絶縁層（第２絶縁層）により止められる。しかしながら、特許文献１に記載の半導体パッケージでは、パッケージサイズが大型化してしまう。
【００１０】
本開示の半導体パッケージは、半導体パッケージであって、基板と、半導体素子と、ボンディングワイヤと、封止樹脂とを備える。基板は、基材と、第１導体パターン、第２導体パターン及び第３導体パターンと、第１導体層と、第１絶縁層とを有する。基材は、基材の厚さ方向である第１方向において、第１主面と第１主面の反対面である第２主面とを有する。基材には、第１方向に沿って基材を貫通する第１貫通穴が形成されている。第１導体パターン及び第２導体パターンは、第１主面上に配置されている。第１導体パターンは、第１ランドを有する。第２導体パターンは、第２ランドを有する。第３導体パターンは、第２主面上に配置されている。第１導体層は、第１貫通穴の内壁面上に配置されて第１導体パターンと第３導体パターンとを接続している。半導体素子は、第２ランド上に配置されている。ボンディングワイヤは、一方端において半導体素子に接続されているとともに、他方端において第１ランドに接続されている。第１絶縁層は、第１導体層と第１ランドとの間において、第１導体パターン上に配置されている。封止樹脂は、半導体素子を覆うように基板上に配置されている。第１絶縁層は、平面視において封止樹脂の外周縁よりも内側にある。
【図面の簡単な説明】
（【００１１】以降は省略されています）

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