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公開番号2025087654
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-06-10
出願番号2024207451
出願日2024-11-28
発明の名称研磨液
出願人花王株式会社
代理人弁理士法人池内アンドパートナーズ
主分類C09K 3/14 20060101AFI20250603BHJP(染料;ペイント;つや出し剤;天然樹脂;接着剤;他に分類されない組成物;他に分類されない材料の応用)
要約【課題】本開示は、一態様において、薄型化された基板においてもスクラッチを増加させずに研磨速度の向上を図ることができるできる研磨液を提供する。
【解決手段】一態様において、シリカ粒子(成分A)と、下記構造式(I)で表される化合物(成分B)と、カルボキシ基を有するモノマー由来の構成単位を含む水溶性高分子(成分C)と、水系媒体とを含有し、成分Bの窒素原子のモル数をB(mol)、成分Cのカルボキシ基のモル数をC(mol)としたとき、下記式(II)を満たす、研磨液に関する。
R¹-N(R²)-(CH₂)_n-N(R³)-R⁴-X・・・(I)
B/C<0.8・・・(II)
【選択図】なし
特許請求の範囲【請求項１】
シリカ粒子（成分Ａ）と、下記構造式（Ｉ）で表される化合物（成分Ｂ）と、カルボキシ基を有するモノマー由来の構成単位ｃ１を含む水溶性高分子(成分Ｃ)と、水系媒体とを含有する研磨液であって、
該研磨液に含有される成分Ｂの窒素原子のモル数をＢ（ｍｏｌ）、同成分Ｃのカルボキシ基のモル数をＣ（ｍｏｌ）としたとき、下記式（ＩＩ）を満たす、研磨液。
Ｒ
1
－Ｎ（Ｒ
2
）－（ＣＨ
2
）
n
－Ｎ（Ｒ
3
）－Ｒ
4
－Ｘ・・・（Ｉ）
前記構造式（Ｉ）中、Ｒ
1
、Ｒ
2
、及びＲ
3
はそれぞれ独立に、水素原子又は炭化水素基であり、Ｒ
4
は結合手又は炭化水素基であり、Ｘは水素原子、水酸基及びアミノ基のいずれかから選択されるものである。Ｒ
2
とＲ
3
は互いに結合して環状構造を形成してもよい。ｎは１以上１５以下の整数である。
Ｂ／Ｃ＜０．８・・・（ＩＩ）
続きを表示（約 1,100 文字）【請求項２】
成分Ａは、遠心沈降法により得られる重量換算での粒度分布において小粒径側からの累積頻度が９０％となる粒子径をＤ９０としたとき、Ｄ９０が６５ｎｍ以下である、請求項１に記載の研磨液。
【請求項３】
成分Ａは、乾燥質量基準での強熱減量が０．１質量％以上５質量％以下である、請求項１に記載の研磨液。
【請求項４】
成分Ｂは、エチレンジアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’－テトラメチルエチレンジアミン、１，２－ジアミノプロパン、トリメチレンジアミン、１，４－ジアミノブタン、ヘキサメチレンジアミン、Ｎ－メチルトリメチレンジアミン、Ｎ，Ｎ－ジメチルトリメチレンジアミン、Ｎ，Ｎ－ジエチルトリメチレンジアミン、Ｎ，Ｎ－ジブチルトリメチレンジアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’－テトラメチルトリメチレンジアミン、Ｎ，Ｎ－ジメチルエチレンジアミン、Ｎ，Ｎ－ジエチルエチレンジアミン、Ｎ－エチルエチレンジアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’－テトラメチルエチレンジアミン、Ｎ－(２-ヒドロキシエチル)エチレンジアミン（ＨＥＡ）、Ｎ－アミノエチルイソプロパノールアミン、Ｎ－アミノエチル－Ｎ－メチルエタノールアミン、ジエチレントリアミン、１，４－ジアザシクロヘキサン、２－メチル－１，４－ジアザシクロヘキサン、２，５－ジメチル－１，４－ジアザシクロヘキサン、１－メチル－１，４－ジアザシクロヘキサン（ＭＤＣ）、１－（２－アミノエチル）－１，４－ジアザシクロヘキサン（ＡＤＣ）、及び１－(２－ヒドロキシエチル)－１，４－ジアザシクロヘキサン（ＨＤＣ）から選ばれる少なくとも１種である、請求項１に記載の研磨液。
【請求項５】
成分Ｃはポリアクリル酸である請求項１に記載の研磨液。
【請求項６】
成分Ｃは、スルホン酸基を有するモノマー由来の構成単位ｃ２を更に含む、請求項１に記載の研磨液。
【請求項７】
成分Ｃの全構成単位中のカルボキシ基を有するモノマー由来の構成単位ｃ１に対するスルホン酸基を有するモノマー由来の構成単位ｃ２のモル比（ｃ２／ｃ１）が、０超２０以下である、請求項６に記載の研磨液。
【請求項８】
成分Ｃはアクリル酸／２－アクリルアミド－２－メチルプロパンスルホン酸共重合体である請求項６に記載の研磨液。
【請求項９】
成分Ｂと成分Ｃが水系媒体中で複合体を形成している、請求項１に記載の研磨液。
【請求項１０】
酸及び酸化剤から選ばれる少なくとも１種を更に含有する、請求項１に記載の研磨液。
（【請求項１１】以降は省略されています）
発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本開示は、研磨液、磁気ディスク基板の製造方法、基板の研磨方法、及び、基板の研磨速度向上方法に関する。
続きを表示（約 1,600 文字）【背景技術】
【０００２】
近年、磁気ディスクドライブは小型化・大容量化が進み、高記録密度化が求められている。高記録密度化のためには、単位記録面積を縮小し、弱くなった磁気信号の検出感度を向上させる必要がある。そのため、磁気ヘッドの浮上高さをより低くするための技術開発が進められており、磁気ディスク基板には、これらに対応するため、平滑性及び平坦性の向上（表面粗さ、うねり、端面ダレの低減）や表面欠陥低減（残留砥粒、スクラッチ、突起、ピット等の低減）への要求が厳しくなっている。
【０００３】
このような要求に対して、より平滑で、傷が少ないといった表面品質向上と生産性の向上を両立させる観点から、磁気ディスク基板の製造方法においては、２段階以上の研磨工程を有する多段研磨方式が採用されることが多い。一般に、平滑性という要求を満たすために、コロイダルシリカ粒子を含む研磨材が使用され、生産性向上の観点から、アルミナ粒子を砥粒として含む研磨液が使用される。しかしながら、アルミナ粒子を砥粒として使用した場合、アルミナ粒子の基板への突き刺さりによって、磁気ディスク基板に欠陥を引き起こすことがある。
【０００４】
そこで、例えば、特許文献１～２には、アルミナ粒子を含まず、シリカ粒子を砥粒として含有する研磨液組成物が提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
特開２０１９－１１９７８２号公報
特開２０１９－１８２９５５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
近年、基板の薄型化も進んでおり、基板の厚みが薄くなると基板に作用する研磨液量が減少し、十分な研磨速度を確保できない傾向にある。
また一般的に、研磨速度とスクラッチとはトレードオフの関係にあり、一方が改善すれば一方が悪化するという問題がある。
【０００７】
そこで、本開示は、薄型化された基板においてもスクラッチを増加させずに研磨速度の向上を図ることができる研磨液、並びにこれを用いた磁気ディスク基板の製造方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本開示は、一態様において、シリカ粒子（成分Ａ）と下記構造式（Ｉ）で表される化合物（成分Ｂ）とカルボキシ基を有するモノマー由来の構成単位ｃ１を含む水溶性高分子(成分Ｃ)と水系媒体とを含有する研磨液であって、該研磨液が含有する成分Ｂの窒素原子のモル数をＢ（ｍｏｌ）、同成分Ｃのカルボキシ基のモル数をＣ（ｍｏｌ）としたとき、下記式（ＩＩ）を満たす、研磨液に関する。
Ｒ
1
－Ｎ（Ｒ
2
）－（ＣＨ
2
）
n
－Ｎ（Ｒ
3
）－Ｒ
4
－Ｘ・・・（Ｉ）
前記構造式（Ｉ）中、Ｒ
1
、Ｒ
2
、及びＲ
3
はそれぞれ独立に、水素原子又は炭化水素基であり、Ｒ
4
は結合手又は炭化水素基であり、Ｘは水素原子、水酸基及びアミノ基のいずれかから選択されるものである。Ｒ
2
とＲ
3
は互いに結合して環状構造を形成してもよい。ｎは１以上１５以下の整数である。
Ｂ／Ｃ＜０．８・・・（ＩＩ）
【０００９】
本開示は、一態様において、本開示の研磨液を用いて厚み１．５ｍｍ以下の被研磨基板を研磨する研磨工程を含む、磁気ディスク基板の製造方法に関する。
【００１０】
本開示は、一態様において、本開示の研磨液を用いて被研磨基板を研磨することを含み、前記被研磨基板は磁気ディスク基板の製造に用いられる厚み１．５ｍｍ以下の基板である、基板の研磨方法に関する。
（【００１１】以降は省略されています）

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