特許ウォッチ

公開番号2025111972
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-07-31
出願番号2024005936
出願日2024-01-18
発明の名称半導体素子、半導体装置、半導体素子の製造方法
出願人ローム株式会社
代理人個人,個人
主分類H01L 21/60 20060101AFI20250724BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】信頼性を向上できる半導体素子を提供すること。
【解決手段】半導体素子30は、素子表面301に設けられた電極40と、電極40を覆い、電極40の一部を露出させる開口部51を含む絶縁層50と、開口部51によって露出した電極40の露出部分40Aに接し、かつ絶縁層50に一部が重なる電極端子60と、を含む。電極端子60は、ベース層61、導電層65、および壁部66を含む。ベース層61は、露出部分40Aと絶縁層50における開口部51の周縁部52との双方に跨って設けられ、露出部分40Aと周縁部52との双方に接している。導電層65は、ベース層61の上面611の第1領域621に接合されている。壁部66は、ベース層61の上面611の第2領域622に接合されている。第2領域622は、第1領域621に対して外方に配置されている。壁部66は、第2領域622から起立されている。
【選択図】図7
特許請求の範囲【請求項１】
厚さ方向を向く素子表面に設けられた電極と、
前記電極を覆い、前記電極の一部を露出させる開口部を含む絶縁層と、
前記開口部によって露出した前記電極の露出部分に接し、かつ、前記厚さ方向から視て前記絶縁層に一部が重なる電極端子と、
を含み、
前記電極端子は、
前記露出部分と前記絶縁層における前記開口部の周縁部との双方に跨って設けられ、前記露出部分と前記周縁部との双方に接しており、第１領域および第２領域を含む上面を有するベース層と、
前記ベース層の前記上面の前記第１領域に接合された導電層と、
前記ベース層の前記上面の前記第２領域に接合された壁部と、
を含み、
前記第２領域は、前記第１領域に対して外方に配置されており、前記壁部は、前記第２領域から起立されている、
半導体素子。
続きを表示（約 700 文字）【請求項２】
前記壁部と前記第２領域との接合強度は、前記導電層と前記第１領域との接合強度よりも高い、
請求項１に記載の半導体素子。
【請求項３】
前記導電層と前記壁部は、互いに異なる材料により構成されている、
請求項１または請求項２に記載の半導体素子。
【請求項４】
前記導電層は、Ｃｕを含む材料により構成され、
前記壁部は、Ｔｉを含む材料により構成されている、
請求項１に記載の半導体素子。
【請求項５】
前記壁部は、前記導電層と接する内壁面を有し、
前記内壁面は、上端部に設けられた湾曲面を含む、
請求項１に記載の半導体素子。
【請求項６】
前記絶縁層の前記周縁部は平坦部を含み、
前記壁部は、前記平坦部の上方に配置されている、
請求項１に記載の半導体素子。
【請求項７】
前記壁部は、前記開口部を囲むように枠状となっている、
請求項１に記載の半導体素子。
【請求項８】
前記電極端子は、前記厚さ方向から視て円形状である、
請求項１に記載の半導体素子。
【請求項９】
前記導電層は、
前記壁部に囲まれた部分と、
前記壁部よりも上方にはみ出している部分と、
を含む、
請求項１に記載の半導体素子。
【請求項１０】
前記はみ出している部分は、前記壁部の上にも設けられている、
請求項１に記載の半導体素子。
（【請求項１１】以降は省略されています）
発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本開示は、半導体装置、半導体装置、半導体素子の製造方法に関するものである。
続きを表示（約 2,300 文字）【背景技術】
【０００２】
特許文献１は、導電部材と、Ｃｕ導電層上のＣｕ柱状体を用いて導電部材にフリップ接合された半導体装置と、導電部材の一部および半導体装置を覆う封止樹脂とを含む半導体パッケージを開示する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
特開２０２０－１６７３３０号公報
【０００４】
［概要］
ところで、半導体素子では、信頼性の向上が望まれる。
【０００５】
本開示の一態様である半導体素子は、厚さ方向を向く素子表面に設けられた電極と、前記電極を覆い、前記電極の一部を露出させる開口部を含む絶縁層と、前記開口部によって露出した前記電極の露出部分に接し、かつ、前記厚さ方向から視て前記絶縁層に一部が重なる電極端子と、を含み、前記電極端子は、前記露出部分と前記絶縁層における前記開口部の周縁部との双方に跨って設けられ、前記露出部分と前記周縁部との双方に接しており、第１領域および第２領域を含む上面を有するベース層と、前記ベース層の前記上面の前記第１領域に接合された導電層と、前記ベース層の前記上面の前記第２領域に接合された壁部と、を含み、前記第２領域は、前記第１領域に対して外方に配置されており、前記壁部は、前記第２領域から起立されている。
【図面の簡単な説明】
【０００６】
図１は、半導体装置の一例を示す概略斜視図である。
図２は、図１の半導体装置の裏面から視た概略平面図である。
図３は、図１の半導体装置の内部構造を示す概略平面図である。
図４は、図３のＦ４－Ｆ４線で半導体装置を切断した概略断面図である。
図５は、図４のＦ５領域の電極端子およびその周辺の部材を拡大して示す概略断面図である。
図６は、図５のＦ６－Ｆ６線で切断した電極端子およびその周辺の部材を示す概略断面図である。
図７は、図５に示す半導体素子の電極端子の構成を示す概略断面図である。
図８は、図４に示す半導体装置の例示的な製造工程を示す概略断面図である。
図９は、図８に続く製造工程を示す概略断面図である。
図１０は、図９に続く製造工程を示す概略断面図である。
図１１は、図１０に続く製造工程を示す概略断面図である。
図１２は、図１１に続く製造工程を示す概略断面図である。
図１３は、図１２に続く製造工程を示す概略断面図である。
図１４は、図１３に続く製造工程を示す概略断面図である。
図１５は、図１４に続く製造工程を示す概略断面図である。
図１６は、図１５に続く製造工程を示す概略断面図である。
図１７は、図１６に続く製造工程を示す概略断面図である。
図１８は、図１７に続く製造工程を示す概略断面図である。
図１９は、図１８に続く製造工程を示す概略断面図である。
図２０は、図１９に続く製造工程を示す概略断面図である。
図２１は、変更例の半導体装置の電極端子およびその周辺の部材を拡大して示す概略断面図である。
【０００７】
［詳細な説明］
以下、添付図面を参照して本開示の半導体装置のいくつかの実施形態を説明する。なお、説明を簡単かつ明確にするために、図面に示される構成要素は必ずしも一定の縮尺で描かれていない。また、理解を容易にするために、断面図では、ハッチング線が省略されている場合がある。添付の図面は、本開示の実施形態を例示するに過ぎず、本開示を制限するものとみなされるべきではない。本開示における「第１」、「第２」、「第３」等の用語は、単に対象物を区別するために用いられており、対象物を順位づけするものではない。
【０００８】
以下の詳細な記載は、本開示の例示的な実施形態を具体化する装置、システム、および方法を含む。この詳細な記載は本来説明のためのものに過ぎず、本開示の実施形態またはこのような実施形態の適用および使用を限定することを意図しない。
【０００９】
（実施形態）
図１から図７を参照して、実施形態の半導体装置１０について説明する。
図１は、半導体装置１０の一例を示す概略斜視図である。図２は、図１の半導体装置１０の裏面から視た概略平面図である。図３は、図１の半導体装置１０の内部構造を示す概略平面図である。図４は、図３のＦ４－Ｆ４線で半導体装置１０を切断した概略断面図である。図５は、図４のＦ５領域の電極端子およびその周辺の部材を拡大して示す概略断面図である。図６は、図５のＦ６－Ｆ６線で切断した電極端子６０およびその周辺の部材を示す概略断面図である。図７は、図５に示す半導体素子３０の電極端子６０の構成を示す概略断面図である。本開示において使用される「平面視」という用語は、図１に示される互いに直交するＸＹＺ軸のＺ方向に半導体装置１０を視ることをいう。
【００１０】
図３は、半導体素子３０および接続端子２０の状態を示すため、封止樹脂７０が二点鎖線にて示されている。図４、図５は、半導体素子３０の素子表面３０１が下方を向いている状態が示されている。図７は、半導体素子３０の素子表面３０１が上方を向く状態を示している。また、図７は、接続端子２０に接合される前の接合層６８の状態を示している。
（【００１１】以降は省略されています）

関連特許