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公開番号2025114383
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-08-05
出願番号2024009047
出願日2024-01-24
発明の名称半導体装置、振動デバイスおよび半導体装置の製造方法
出願人セイコーエプソン株式会社
代理人個人,個人,個人
主分類H01L 25/07 20060101AFI20250729BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】貫通孔内での配線の断線を抑制することのできる半導体装置、振動デバイスおよび半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】振動デバイス1において、半導体装置2は、互いに表裏関係にある上面5aおよび下面5bを備え、上面と下面とを貫通する貫通孔51、52が形成されている半導体基板5と、半導体基板の下面側に配置され、貫通孔内に露出する電極パッド721、722を備える半導体回路7(発信回路70)と、貫通孔の内周面に配置され、貫通孔の縁部における膜厚よりも中央部における膜厚の方が厚い第1配線811、812と、を有する。
【選択図】図1
特許請求の範囲【請求項１】
互いに表裏関係にある第１面および第２面を備え、前記第１面と前記第２面とを貫通する貫通孔が形成されている半導体基板と、
前記半導体基板の前記第２面側に配置され、前記貫通孔内に露出する導電層を備える半導体回路と、
前記貫通孔の内周面に配置され、前記貫通孔の縁部における膜厚よりも中央部における膜厚の方が厚い第１配線と、を有することを特徴とする半導体装置。
続きを表示（約 660 文字）【請求項２】
前記第１配線の表面には、前記貫通孔内に凹没する凹部が形成されている請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記第１配線の前記貫通孔の中央部における膜厚は、前記貫通孔の深さの５０％以上９０％以下である請求項２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記第１面に配置され、前記第１配線と電気的に接続されている第２配線を有する請求項１に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記第１配線は、前記第１面にはみ出し、
前記第２配線は、前記第１面において前記第１配線と接している請求項４に記載の半導体装置。
【請求項６】
前記第２配線は、前記第１配線を覆っている請求項４に記載の半導体装置。
【請求項７】
前記第１配線は、めっき配線であり、
前記第２配線は、スパッタリング配線である請求項４に記載の半導体装置。
【請求項８】
前記貫通孔の内周面と前記第１配線との間に介在する第１有機樹脂膜を有する請求項１に記載の半導体装置。
【請求項９】
請求項１ないし８のいずれか１項に記載の半導体装置と、
前記半導体装置に接合され、前記半導体回路と電気的に接続されている振動素子と、を有することを特徴とする振動デバイス。
【請求項１０】
前記半導体回路は、前記振動素子を発振する発振回路を有する請求項９に記載の振動デバイス。
（【請求項１１】以降は省略されています）
発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置、振動デバイスおよび半導体装置の製造方法に関する。
続きを表示（約 2,100 文字）【背景技術】
【０００２】
例えば、特許文献１に記載された半導体装置は、互いに表裏関係にある上面および下面を備え、これら両面を貫通する貫通孔が形成された半導体基板と、半導体基板の下面上に配置され、貫通孔内に露出する第１導電層と、貫通孔の内壁に配置された絶縁層と、絶縁層上に配置された有機絶縁層と、有機絶縁層上に配置され、有機絶縁層が有する第２開口部を介して第１導電層と電気的に接続された配線と、を有する。また、配線は、貫通孔内から半導体基板の上面上に延びて形成されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
特開２０１８－１１３４６６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、このような構成では、貫通孔内において配線の厚さが確保され難く、貫通孔内での配線の断線が生じ易い。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の半導体装置は、互いに表裏関係にある第１面および第２面を備え、前記第１面と前記第２面とを貫通する貫通孔が形成されている半導体基板と、
前記半導体基板の前記第２面側に配置され、前記貫通孔内に露出する導電層を備える半導体回路と、
前記貫通孔の内周面に配置され、前記貫通孔の縁部における膜厚よりも中央部における膜厚の方が厚い第１配線と、を有する。
【０００６】
本発明の振動デバイスは、上記半導体装置と、
前記半導体装置に接合され、前記半導体回路と電気的に接続されている振動素子と、を有する。
【０００７】
本発明の半導体装置の製造方法は、互いに表裏関係にある第１面および第２面を備え、前記第１面と前記第２面とを貫通する貫通孔が形成されている半導体基板と、前記半導体基板の前記第２面側に配置され、前記貫通孔内に露出する導電層を備える半導体回路と、を有する母材を準備する準備工程と、
めっき処理によって、前記貫通孔内に、前記導電層と電気的に接続され、前記貫通孔の縁部における膜厚よりも中央部における膜厚の方が厚い第１配線を形成する第１配線形成工程と、を含む。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
第１実施形態に係る振動デバイスを示す断面図である。
半導体基板に形成された貫通孔の拡大断面図である。
半導体基板に形成された貫通孔の拡大断面図である。
半導体基板に形成された貫通孔の拡大断面図である。
半導体装置の上面を示す平面図である。
半導体装置の断面図である。
振動素子を示す平面図である。
接合部材の形成方法を説明するための断面図である。
めっき処理での問題点を説明するための断面図である。
振動デバイスの製造工程を示すフローチャートである。
振動デバイスの製造方法を説明するための断面図である。
振動デバイスの製造方法を説明するための断面図である。
振動デバイスの製造方法を説明するための断面図である。
振動デバイスの製造方法を説明するための断面図である。
振動デバイスの製造方法を説明するための断面図である。
振動デバイスの製造方法を説明するための断面図である。
振動デバイスの製造方法を説明するための断面図である。
振動デバイスの製造方法を説明するための断面図である。
振動デバイスの製造方法を説明するための断面図である。
振動デバイスの製造方法を説明するための断面図である。
第２実施形態に係る振動デバイスを示す断面図である。
図２１に示す振動デバイスを実装基板に実装した状態を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下、本発明の半導体装置、振動デバイスおよび半導体装置の製造方法を添付図面に示す実施形態に基づいて詳細に説明する。
【００１０】
＜第１実施形態＞
図１は、第１実施形態に係る振動デバイスを示す断面図である。図２ないし図４は、それぞれ、半導体基板に形成された貫通孔の拡大断面図である。図５は、半導体装置の上面を示す平面図である。図６は、半導体装置の断面図である。図７は、振動素子を示す平面図である。図８は、接合部材の形成方法を説明するための断面図である。図９は、めっき処理での問題点を説明するための断面図である。図１０は、振動デバイスの製造工程を示すフローチャートである。図１１ないし図２０は、それぞれ、振動デバイスの製造方法を説明するための断面図である。なお、説明の便宜上、各図には、互いに直交する３軸をＸ軸、Ｙ軸およびＺ軸として図示している。また、Ｚ軸方向の矢印が向く側を「上」とも言い、反対側を「下」とも言う。また、Ｚ軸方向からの平面視を単に「平面視」とも言う。
（【００１１】以降は省略されています）

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