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公開番号2025115931
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-08-07
出願番号2024116939
出願日2024-07-22
発明の名称半導体装置、および半導体装置の製造方法
出願人ローム株式会社
代理人個人,個人
主分類H01L 23/48 20060101AFI20250731BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】配線基板に対する装置の接合強度の向上を図ることが可能な半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置A10は、第1端子21と、第1端子21の第1方向zの一方側に位置するとともに、第1端子21に導通する半導体素子10と、導体であるとともに、第1端子21の一部を覆う保護層50とを備える。第1端子21は、第1面211、第2面212、第3面213および第4面214を有する。第1面211は、第1方向zにおいて半導体素子10が位置する側を向く。第2面212は、第1方向zにおいて第1面211とは反対側を向く。第3面213は、第2方向xの一方側を向く。第4面214は、第1方向zにおいて第2面212と第3面213との間に位置する。第1方向zに視て、第4面214は、第1面211に重なっている。保護層50は、第2面212および第4面214を覆っている。
【選択図】図7
特許請求の範囲【請求項１】
第１端子と、
前記第１端子の第１方向の一方側に位置するとともに、前記第１端子に導通する半導体素子と、
導体であるとともに、前記第１端子の一部を覆う保護層と、を備え、
前記第１端子は、第１面、第２面、第３面および第４面を有し、
前記第１面は、前記第１方向において前記半導体素子が位置する側を向き、
前記第２面は、前記第１方向において前記第１面とは反対側を向き、
前記第３面は、前記第１方向に対して直交する第２方向の一方側を向き、
前記第４面は、前記第１方向において前記第２面と前記第３面との間に位置しており、
前記第１方向に視て、前記第４面は、前記第１面に重なっており、
前記保護層は、前記第２面および前記第４面を覆っている、半導体装置。
続きを表示（約 1,100 文字）【請求項２】
前記半導体素子を覆う封止樹脂をさらに備え、
前記第２面、前記第３面および前記第４面は、前記封止樹脂から露出している、請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記第３面は、前記第１方向および前記第２方向の各々に対して直交する第３方向において互いに離れており、かつ前記第１方向に延びる２つの第１縁を含み、
前記２つの第１縁は、前記第１面につながっており、
前記第４面は、前記第３方向において前記２つの第１縁よりも内方に位置する、請求項２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記封止樹脂は、前記第２方向の一方側を向く第１側面と、前記第３方向において互いに反対側を向く２つの第２側面と、を有し、
前記第３面は、前記第１側面から外部に露出しており、
前記第１側面は、前記第３方向において互いに離れており、かつ前記２つの第２側面との境界をなす２つの周縁を含み、
前記第３面は、前記第３方向において前記２つの周縁よりも内方に位置する、請求項３に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記２つの第１縁は、前記第２面につながっている、請求項４に記載の半導体装置。
【請求項６】
前記第３面は、前記第３方向において互いに離れており、かつ前記第１方向に延びる２つの第２縁を含み、
前記２つの第２縁は、前記第２面につながっており、
前記第４面は、前記第３方向において前記２つの第２縁よりも内方に位置しており、
前記２つの第２縁の前記第３方向の間隔は、前記２つの第１縁の前記第３方向の間隔と異なる、請求項４に記載の半導体装置。
【請求項７】
前記第４面の前記第１方向の寸法は、前記２つの第２縁の各々の前記第１方向の寸法に等しい、請求項６に記載の半導体装置。
【請求項８】
前記２つの第２縁の前記第３方向の間隔は、前記２つの第１縁の前記第３方向の間隔よりも狭い、請求項６に記載の半導体装置。
【請求項９】
前記２つの第２縁の前記第３方向の間隔は、前記２つの第１縁の前記第３方向の間隔よりも広い、請求項６に記載の半導体装置。
【請求項１０】
前記第３面は、前記第１方向および前記第２方向の各々に対して直交する第３方向において互いに離れており、かつ前記第１方向に延びる２つの第１縁を含み、
前記２つの第１縁は、前記第１面につながっており、
前記第４面は、前記第３方向において前記２つの第１縁の各々に到達している、請求項２に記載の半導体装置。
（【請求項１１】以降は省略されています）
発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本開示は、半導体装置とその製造方法に関する。
続きを表示（約 2,700 文字）【背景技術】
【０００２】
特許文献１には、第１リードおよび第２リードと、第１リードおよび第２リードに導電接合された半導体素子と、半導体素子を覆う封止樹脂とを具備する半導体装置の一例が開示されている。第２リードは、半導体素子を搭載している。第１リードおよび第２リードの各々の一部は、封止樹脂から露出している。封止樹脂から露出する第１リードおよび第２リードの各々の部分は、外装めっき層により覆われている。外装めっき層は、錫を含む。これにより、当該半導体装置を配線基板に実装する際、封止樹脂から露出する第１リードおよび第２リードの各々の部分に対してハンダがなじみやすくなる。これにより、ハンダに対する第１リードおよび第２リードの各々の接触面積の拡大を図ることができる。
【０００３】
しかし、特許文献１に開示されている半導体装置においては、封止樹脂から露出する第１リードおよび第２リードの各々の第１方向を向く端面は、外装めっき層に覆われていない。このため、当該半導体装置を配線基板に実装する際、第１リードおよび第２リードの各々の端面にハンダが這い上がりにくくなる。したがって、当該半導体装置においては、ハンダに対する第１リードおよび第２リードの各々の接触面積のさらなる拡大を図ることが困難となっている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
特開２０１７－１６８５５３号公報
【０００５】
［概要］
本開示は先述の事情に鑑み、配線基板に対する装置の接合強度の向上を図ることが可能な半導体装置およびその製造方法を提供することをその課題とする。
【０００６】
本開示の第１の側面によって提供される半導体装置は、第１端子と、前記第１端子の第１方向の一方側に位置するとともに、前記第１端子に導通する半導体素子と、導体であるとともに、前記第１端子の一部を覆う保護層とを備える。前記第１端子は、第１面、第２面、第３面および第４面を有する。前記第１面は、前記第１方向において前記半導体素子が位置する側を向く。前記第２面は、前記第１方向において前記第１面とは反対側を向く。前記第３面は、前記第１方向に対して直交する第２方向の一方側を向く。前記第４面は、前記第１方向において前記第２面と前記第３面との間に位置する。前記第１方向に視て、前記第４面は、前記第１面に重なっている。前記保護層は、前記第２面および前記第４面を覆っている。
【０００７】
本開示の第２の側面によって提供される半導体装置の製造方法は、第１方向において互いに反対側を向く第１面および第２面を有する第１リードを形成する第１工程と、前記第１リードを覆う保護層を形成する第２工程と、前記第１リードに導通する半導体素子を配置する第３工程と、前記半導体素子を覆う封止樹脂を形成する第４工程とを備える。前記保護層は、導体である。前記第１工程では、前記第２面から凹む第１開口部を前記第１リードに形成する工程を含む。前記第４工程では、前記封止樹脂を形成する前に、撤去可能な基材で前記第１開口部を塞ぐ工程を含む。
【０００８】
本開示のその他の特徴および利点は、添付図面に基づき以下に行う詳細な説明によって、より明らかとなろう。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
図１は、本開示の第１実施形態に係る半導体装置の平面図である。
図２は、図１に対応する平面図であり、封止樹脂を透過するとともに、保護層の図示を省略している。
図３は、図１に示す半導体装置の底面図である。
図４は、図１に示す半導体装置の正面図である。
図５は、図１に示す半導体装置の右側面図である。
図６は、図１に示す半導体装置の左側面図である。
図７は、図２のＶＩＩ－ＶＩＩ線に沿う断面図である。
図８は、図２のＶＩＩＩ－ＶＩＩＩ線に沿う断面図である。
図９は、図２のＩＸ－ＩＸ線に沿う断面図である。
図１０は、図７の部分拡大図であり、第１端子の第３面およびその近傍を示している。
図１１は、図７の部分拡大図であり、第１端子の第２面およびその近傍を示している。
図１２は、図１に示す半導体装置の製造工程のうち第１工程を説明する底面図である。
図１３は、図１２のＸＩＩＩ－ＸＩＩＩ線に沿う断面図である。
図１４は、図１に示す半導体装置の製造工程のうち第２工程を説明する断面図である。
図１５は、図１に示す半導体装置の製造工程のうち第３工程を説明する断面図である。
図１６は、図１に示す半導体装置の製造工程のうち第４工程を説明する底面図である。
図１７は、図１に示す半導体装置の製造工程のうち第４工程を説明する断面図である。
図１８は、図１に示す半導体装置の製造工程のうち第５工程を説明する底面図である。
図１９は、本開示の第２実施形態に係る半導体装置の平面図であり、封止樹脂を透過するとともに、保護層の図示を省略している。
図２０は、図１９のＸＸ－ＸＸ線に沿う断面図である。
図２１は、本開示の第３実施形態に係る半導体装置の平面図であり、封止樹脂を透過するとともに、保護層の図示を省略している。
図２２は、図２１に示す半導体装置の底面図である。
図２３は、図２１に示す半導体装置の右側面図である。
図２４は、本開示の第４実施形態に係る半導体装置の平面図であり、封止樹脂を透過するとともに、保護層の図示を省略している。
図２５は、図２４に示す半導体装置の底面図である。
図２６は、図２４に示す半導体装置の右側面図である。
図２７は、本開示の第５実施形態に係る半導体装置の平面図であり、封止樹脂を透過するとともに、保護層の図示を省略している。
図２８は、図２７に示す半導体装置の底面図である。
図２９は、図２７に示す半導体装置の右側面図である。
図３０は、本開示の第６実施形態に係る半導体装置の平面図であり、封止樹脂を透過するとともに、保護層の図示を省略している。
図３１は、図３０に示す半導体装置の底面図である。
図３２は、図３０に示す半導体装置の正面図である。
図３３は、図３０に示す半導体装置の右側面図である。
【００１０】
［詳細な説明］
本開示の詳細について、添付図面に基づき説明する。
（【００１１】以降は省略されています）

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